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[发明专利]一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法-CN201510294228.0在审
发明人：杨晓朋;徐翔;曹丙强 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。调节电场方向，使基片表面与电场负方向成 α角度，0≤α≤360^o，电场强度1×10^-6 V/nm≤ E≤5V/nm；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验本发明在半导体材料的生长过程中引入匀强电场的辅助作用，施加严格控制的外加静电场对半导体材料的晶核取向、形核密度、形貌产生有效影响，对杂质原子在半导体材料中的缺陷形成能进行调控，能够有效提高杂质固溶度和替位杂质比率，提高掺杂半导体材料的晶体品质。
一种外加静电场辅助半导体材料掺杂方法

[发明专利]锂离子电池正极材料回收方法及装置-CN201810344291.4在审
发明人：祝融峰 -专利权人：祝融峰
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种锂离子电池正极材料回收方法及装置。其中锂离子电池正极材料回收方法包括：将待回收的锂离子电池正极材料进行粉碎，得到材料粉末；通过筛分机和风力摇床对所述材料粉末进行分选，得到粘附有钴酸锂杂质的铝箔粉末；将所述粘附有钴酸锂杂质的铝箔粉末置于非质子极性溶剂中进行洗涤，将所述铝箔粉末上粘附的钴酸锂杂质浸出，得到合格的铝箔粉末。所述锂离子电池正极材料回收装置包括：粉碎装置、筛分装置、风选装置、洗涤装置、蒸馏装置、以及焙烧装置。
锂离子电池正极材料铝箔钴酸锂回收材料粉末非质子极性溶剂焙烧装置粉碎装置风力摇床风选装置回收装置机械处理机械破碎筛分装置损失问题洗涤装置蒸馏装置分离法铝回收筛分机粘附的分选浸出申请洗涤

[发明专利]包层材料、钎焊管的制造方法及钎焊管-CN201410294811.7有效
发明人：寺田隆;高桥一幸;井川洋平 -专利权人：株式会社京滨冷暖科技
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明提供包层材料、钎焊管的制造方法及钎焊管。包层材料由芯材、覆盖芯材一面和另一面的第1及第2表皮材料构成，以第1和第2表皮材料重合状态钎焊而成。芯材由如下A1合金形成：0.6～1.5质量％的Mn、0.05～0.25质量％的Ti、不足0.05质量％的Cu、不足0.05质量％的Zn、0.2质量％以下的Fe、0.45质量％以下的Si，其余为A1及不可避免的杂质第1表皮材料由如下A1合金形成：6.8～11.0质量％的Si、0.05质量％以下的Zn，其余为A1及不可避免的杂质。第2表皮材料由如下A1合金形成：4.0～6.0质量％的Si、0.5～1.0质量％的Cu，其余为A1及不可避免的杂质。
表皮材料钎焊管包层材料合金芯材重合状态覆盖芯钎焊制造

[发明专利]一种去除硅材料表面杂质的方法-CN201310019237.X无效
发明人：郝胜智;董闯;秦颖 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除硅材料表面杂质的方法，属于新能源材料制备技术领域。本方法利用强流脉冲电子束辐照处理硅材料，通过瞬时高能量注入引发表面蒸发和表层喷发过程，发挥表面蒸发去除杂质和熔体喷发去除深层杂质的双重效果，获得具有一定厚度且符合太阳能电池制造使用要求的表层高纯多晶硅材料本方法可对不经任何提纯预处理的冶金多晶硅原料、其他提纯工艺生产的中间硅材料，以及生产使用中表面出现污染和服役性能下降的回收成品硅材料直接进行表面提纯处理，具有操作简单、投资低、能耗低和无环境排放污染等优点
一种去除材料表面杂质方法

[实用新型]一种高强度的新型浅槽钢-CN202320372829.9有效
发明人：刘明杰;杨鹏;王静 -专利权人：唐山宏润实业有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E04B1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供有一种高强度的新型浅槽钢，包括槽钢本体，所述槽钢本体内部设有耐腐蚀材料，所述槽钢本体内部设有铝元素材料，所述铝元素材料侧边设有隔板，所述隔板侧边设有铝锰铁，所述铝锰铁底部设有加劲板，所述加劲板顶部设有加强钢片该高强度的新型浅槽钢，通过铝元素材料安装在槽钢本体内部，当工作人员在铸造槽钢本体时，通过工作人员加入适量的铝元素材料，使得槽钢本体在铸造过程中，不会出现杂质，同时防止槽钢本体在铸造后，会有大量的杂质存留在槽钢本体内部中，从而降低了槽钢本体的使用效果，进而通过铝元素材料有效提高槽钢本体的强度，达到有效减少杂质的作用。
一种强度新型槽钢

[发明专利]用于处理材料的方法-CN202180071780.7在审
发明人： J·沃恩;H·彭 -专利权人：雷奥技术公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：一种用于处理材料以从中去除硫酸盐或其他杂质的方法包括a)使材料经历浸出步骤以选择性地从材料中溶解含硫酸盐的材料或溶解其他杂质和/或以钝化石膏，b)将步骤(a)中产生的浸出溶液与固体分离，以及c)处理来自步骤步骤(a)是预洗涤/预浸出步骤，其去除杂质，否则可能会干扰沸石沉淀步骤或需要进一步处理富集浸出液。
用于处理材料方法

[发明专利]用于水处理的浸渍碳-CN201080066889.3无效
发明人：肯·R·维斯特;阿尔温德·S·帕蒂尔 -专利权人：索法塔斯有限责任公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：一种用于处理水溶液的方法，其中制备具有有离子交换性能的聚合物的过滤材料，所述聚合物粘附在多孔的粒状粒子的表面或浸渍在其内，以使所得到的结构不会导致所述粒状粒子的任何聚集或结合，从而保持所述粒子的最大表面积以与溶液中的金属杂质反应一种过滤材料，其由多孔的粒状粒子和离子交换聚合物构成。一种通过使水溶液通过所述过滤材料以除去该溶液中的金属杂质而处理水溶液的方法。一种再生被金属杂质饱和的过滤材料的方法。
用于水处理浸渍

[发明专利]低杂质浓度半绝缘GaN单晶及其制备方法与应用-CN201510353379.9在审
发明人：王建峰;张育民;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种低杂质浓度半绝缘GaN单晶及其制备方法与应用。所述半绝缘GaN单晶中掺杂有深受主杂质以及浅施主元素和/或浅受主元素，所述深受主杂质的掺杂浓度低于1e17cm^-3，所述浅施主元素和/或浅受主元素的总掺杂浓度小于或等于深受主杂质掺杂浓度的本发明通过降低非故意掺杂的背底杂质浓度，从而只需要较少的深受主杂质就可以实现GaN材料的半绝缘特征(室温电阻在10⁶ohm-cm以上)，进而可以有效减少杂质浓度过高时GaN材料内部深受主杂质的团聚，并降低由过量深受主杂质引起的GaN生长过程中产生的孔洞等缺陷的密度，同时还使所获GaN单晶具有较为理想的光学特性，可广泛应用于各类半导体器件中，并有效提升其工作性能。
杂质浓度绝缘 gan 及其制备方法应用

[发明专利]一种去除纳米碳材料中铁杂质的装置-CN201911391689.4在审
发明人：邓粉华 -专利权人：格润纳米科技（苏州）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B03C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除纳米碳材料中铁杂质的装置，当需要去除纳米碳材料中的特杂质时，通过罐盖打开放入纳米碳材料进入罐体中，搅拌器通过第二电机带动，搅拌纳米碳材料，第一电机传动轴带动第一连杆转动，第一连杆带动第二连杆转动，固定于第二连杆的铁块由于固定杆与第一槽口是滑动配合，铁块只能平移运动，又因电磁柱与铁块下表面接触，铁块是软铁，故而铁块与电磁柱接触就形成一个电磁铁，能吸出纳米材料中的铁杂质，又因铁块的长度略小于电磁柱安装的位置，当铁块向左平移运动到极限时，即接触不到电磁柱，因为铁块是软铁制作，软铁有能立刻退磁的特性，铁块平移出罐体时，铁杂质也能自动落下。
一种去除纳米材料杂质装置

[发明专利]一种使用含杂质乙醇为原料的SiO2-CN202211498142.6在审
发明人：崔恒律;吴锦源;范凯运;钱玲芳;王星宇;李奇霖;王银义 -专利权人：航天海鹰（镇江）特种材料有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01B33/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用含杂质乙醇为原料的SiO2气凝胶复合材料的制备方法，将制备气凝胶复合材料产生的含杂质的乙醇进行回收用于再次制备气凝胶复合材料，实现了气凝胶生产废液含杂质乙醇的无限次循环利用含杂质的乙醇回收只需要添加一定量的中和剂，再通过在一定温度下蒸馏，即可得到乙醇含量为94%～98%的回收乙醇溶液进行回用。再次制备气凝胶复合材料为：将回收的乙醇与硅源和水按一定比例混合后加入催化剂配置成凝胶胶液，浸胶后的疏水环节也使用回收的乙醇作为溶剂，大大节约了乙醇的采购量及成本。且制备的气凝胶复合材料具有优异的隔热性能，满足RoHS指令和REACH法规，阻燃等级达到94‑V0级。
一种使用杂质乙醇原料 sio base sub

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710165868.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在核心区的第一器件区的半导体衬底上设置有第一鳍片，在输入输出区的半导体衬底上设置有第二鳍片，在半导体衬底上设置有横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的伪栅极结构；去除伪栅极结构位于所述核心区的部分，以形成凹槽；在凹槽中露出的第一鳍片表面形成第一材料层，所述第一材料层中包括第一导电类型掺杂杂质；进行退火，以使第一材料层中的所述第一导电类型掺杂杂质扩散进入所述第一鳍片内，从而调节阈值电压；去除输入输出区内的伪栅极材料层；去除第一材料层。本发明的方法热预算更低，使得掺杂杂质的灵敏度更高，并且掺杂少量的掺杂杂质，器件的载流子迁移率更高。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法-CN201210135516.8有效
发明人：骞伟中;郑超;崔超婕;余云涛;孔垂岩;赵梦强;魏飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了属于材料纯化技术领域的一种用于超级电容器的碳纳米电极材料的纯化方法。该方法包括在液相中除去大部分杂质（无机氧化物载体、金属，金属硫化物，金属碳化物，或半导体元素或其碳化物），冷冻干燥，高温弱氧化性气体处理，在液相中再次除去残留杂质，冷冻干燥，高温惰性气体(或高温真空)中挥发除去残留的金属杂质或含氧该方法可将碳纳米材料中的杂质总含量降低到5 mg/kg~0.01mg/kg以下，同时还能够保持用于超级电容器的碳纳米电极材料所需要的孔结构与堆积密度及导电性能等特征，具有易重复，低成本的优点。上述碳纳米电极材料由于纯度高，可使在4V~6.5V下工作的超级电容器循环寿命显著延长，安全性增加。
一种用于超级电容器纳米电极材料纯化方法

[发明专利]一种深槽半导体光探测结构及其制造方法-CN201910513109.8有效
发明人：谭开洲;崔伟;张霞;张静;陈仙;唐昭焕;吴雪;张培健 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，所述深槽填充区和深槽扩散区作为光探测电极A，欧姆接触掺杂区作为光探测电极B，本发明可以避免使用价格较贵且不易获得的极低掺杂的高阻半导体材料，并大幅度降低光探测反向偏置电压，降低相关偏置电压电路复杂度和难度。
一种半导体探测结构及其制造方法

[发明专利]一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置-CN202010864102.3有效
发明人：蔡端俊;卢诗强;李俊冀;李书平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01N27/28 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力
一种用于氮化物半导体材料激活装置

[实用新型]一种水生产用过滤设备-CN202222957108.2有效
发明人：刘倩 -专利权人：刘倩
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B01D36/02 文献下载
摘要：包括净化箱和可视窗，所述净化箱的上端中部设置有连接管道，且连接管道的上端设置有过滤箱，所述可视窗设置于过滤箱的表面，所述过滤箱的上端设置有进料部，且进料部的上端安装有保护盖，所述过滤箱的内部设置有用于可过滤原材料水内部杂质的辅助组件该水生产用过滤设备采用辅助组件的设置能够将沿着进料部的原材料水进行过筛，这样能够将原材料水内含有的杂质进行过滤，以此来避免原材料水内含有杂质，同时可视窗能够在过滤箱进行运作时来观察内部的情况，这样能够及时有效的将内部出现的突发情况进行解决，接着连接组件的设置能够进一步的将原材料水含有的微小杂质进行过筛。
一种水生过滤设备