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[发明专利]有机电激发光元件及其画素结构、画素阵列与驱动方法-CN200510093815.X无效
发明人：林恩强;廖启智 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：一种有机电激发光元件，包含一第一有机薄膜晶体管、一第二有机薄膜晶体管以及至少一有机官能层。其中，有机官能层是夹置于第二有机薄膜晶体管与第一有机薄膜晶体管之间。同时施加电压于第一有机薄膜晶体管与第二有机薄膜晶体管，即可使二有机薄膜晶体管间产生电位差，进而使电子与电洞往有机官能层中移动并于其中再结合而发出光线。藉由有机电激发光元件与有机薄膜晶体管的技术整合，进而提高有机电激发光元件的开口率与制程信赖度。
机电激发元件及其结构阵列驱动方法

[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法-CN201611196057.9在审
发明人：周星宇;迟世鹏 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了有机发光显示面板，其包括基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件，外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中，所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小，以控制所述有机发光器件的灰阶，所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。本发明还公开一种有机发光显示面板的制作方法。在本发明中，低温多晶硅薄膜晶体管的漏极与有机发光器件的底电极接触，从而提供给有机发光器件的电流稳定，使有机发光器件发光稳定；金属氧化物半导体薄膜晶体管的漏电较低，从而能够实现更优的电路关闭效果。
有机发光显示面板及其制作方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN202211600482.5在审
发明人：康建喜;朱映光;张国辉;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司;淮北翌光科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：本申请适用于有机半导体技术领域，提供了有机电致发光器件及其制备方法。上述有机电致发光器件包括：基底；第一电极层，形成于基底上；有机发光层，形成于第一电极层上；第二电极层，形成于有机发光层上；第一薄膜晶体管层，形成于第二电极层上；第二薄膜晶体管层，形成于第一薄膜晶体管层上；第一薄膜晶体管层包含多个第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管层包含多个第二薄膜晶体管，上述多个第一薄膜晶体管与上述多个第二薄膜晶体管连接构成多个连通的薄膜晶体管对，每个薄膜晶体管对的一端与邦定区的第一电极引线电连接，另一端与第二电极层电连接或通过引线连接到有机电致发光器件之外。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN201710723490.1在审
发明人：盛晨航;徐海燕 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板、驱动电路层和有机发光单元；驱动电路层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用于驱动有机发光单元发光；第二薄膜晶体管用于控制第一薄膜晶体管的开启与关断；第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的源极、漏极以及有源层同层设置。第一薄膜晶体管较高的载流子迁移率和工作电流满足有机发光单元的发光要求；第二薄膜晶体管较低的漏电流保证显示面板功耗较小，满足显示面板高亮度和低功耗的要求；同时第一薄膜晶体管的源极、漏极和有源层同层设置，实现显示面板薄型化设计要求
薄膜晶体管显示面板有机发光单元驱动电路层同层设置显示装置漏极源层源极发光多晶硅薄膜晶体管非晶硅薄膜晶体管载流子迁移率薄型化设计衬底基板工作电流低功耗漏电流功耗关断制备驱动保证

[发明专利]同步光泵浦的有机薄膜晶体管-CN200810116161.1无效
发明人：张福俊;徐征;赵谡玲;王永生;徐叙瑢 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H05B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步光泵浦的有机薄膜晶体管，涉及一种有机薄膜晶体管。该晶体管是在有机薄膜晶体管的上方增设同步泵浦光源(6)。同步泵浦光源(6)的电压与有机薄膜晶体管栅极电压同步控制。该晶体管可用于光电子器件的驱动电路或开关电路。本发明可提高薄膜晶体管的开关电流比和增加输出电流。
同步光泵浦有机薄膜晶体管

[发明专利]一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路-CN200910264860.5无效
发明人：张晓建;彭永;张宏勇 -专利权人：江苏华创光电科技有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路，包括：第一驱动薄膜晶体管，用于驱动所述有机发光二极管发光，其栅极和所述储存电容的一端相连；其漏极，和所述第四开关薄膜晶体管的源极及所述第三开关薄膜晶体管的漏极相连；其源极和所述有机发光二极管的阳极相连；第一开关薄膜晶体管，控制耦合电容为第一驱动薄膜晶体管的栅极充入灰阶数据电压；第二开关薄膜晶体管，控制耦合电容的一端放电；第三开关薄膜晶体管，控制第一驱动薄膜晶体管的栅极电压放电至阈值电压；第四开关薄膜晶体管，控制所述电源线与第一驱动薄膜晶体管的连接。本发明有效补偿驱动薄膜晶体管特性漂移，极大地增加有源矩阵有机发光显示器的寿命。
一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命像素电路

[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器-CN201610417269.9有效
发明人：郭小军;唐伟;李乔峰;黄钰坤;丁立;赵家庆 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器，包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管，所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件，采用有机半导体层埋在栅绝缘层下面的顶栅底接触型结构，所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件实现各类传感功能，采用有机半导体层暴露在外面的底栅底接触型结构，该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层，组成互补反相器，所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接。较之于单一有机薄膜晶体管传感器而言，本发明极大地提升了传感器的稳定性和降低了传感器的功耗，具有稳定性好、功耗低、结构简单、加工工序简化和制造成本低的优点。
有机薄膜晶体管传感器有机半导体层电接触端子栅绝缘层反相器接触型功耗互补反相器传感功能传感元件负载元件加工工序制造成本衬底底栅顶栅公用暴露

[发明专利]有源式有机电致发光器件背板及其制作方法-CN201310410909.X有效
发明人：徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有源式有机电致发光器件背板及其制作方法，所述器件背板包括：基板（20）、设置在基板（20）上的数个有源薄膜晶体管像素阵列及设置在有源薄膜晶体管像素阵列上的有机平坦层（228）、有机电致发光电极（229）、像素定义层（25）及支撑体（28），每一有源薄膜晶体管像素阵列包括驱动薄膜晶体管（22）及开关薄膜晶体管（24），驱动薄膜晶体管（22）的栅极绝缘层（220）的厚度大于开关薄膜晶体管（24）的栅极绝缘层（240）的厚度，通过加厚驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层，以降低驱动薄膜晶体管的栅极电容，进而增大驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以很好的定义灰阶，同时保持开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度不变，使开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅保持较小
有源有机电致发光器件背板及其制作方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910149465.6有效
发明人：张卿;姚绮君;苏晓越 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的多个像素单元，各像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件；在沿垂直于衬底基板所在平面的方向，开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧，重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧；开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接，重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接，驱动薄膜晶体管的漏极与有机发光器件耦接。如此方案，有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积，有利于实现高PPI设计。
显示面板显示装置

[发明专利]有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法-CN201780038047.9有效
发明人：福崎英治;渡边哲也;宇佐美由久;谷征夫;冈本敏宏;竹谷纯一 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法
有机薄膜晶体管有机半导体化合物薄膜晶体管用组合制造方法

[发明专利]一种分层式像素补偿电路-CN202010236251.5在审
发明人：贾浩;罗敬凯 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。
一种分层像素补偿电路

[发明专利]分层式AMOLED像素补偿电路-CN201911051666.9在审
发明人：罗敬凯;卢昭阳;贾浩 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种分层式AMOLED像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路。区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。
分层 amoled 像素补偿电路

[发明专利]一种分层式像素补偿电路-CN201911281361.7在审
发明人：贾浩;罗敬凯 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。
一种分层像素补偿电路

[实用新型]一种分层式像素补偿电路-CN201922235305.1有效
发明人：贾浩;罗敬凯 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。
一种分层像素补偿电路

[实用新型]一种分层式像素补偿电路-CN202020432506.0有效
发明人：贾浩;罗敬凯 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。
一种分层像素补偿电路

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