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[发明专利]一种基于欧拉角的晶粒组织演化数值模拟方法-CN202211519403.8在审
发明人：周荣益;冯小辉;杨院生;李应举;罗天骄;黄秋燕;郑策;朱成;王东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于欧拉角的晶粒组织演化数值模拟方法。该方法可以包括：通过MATLAB MTEX工具生成初始晶粒取向，获得初始晶粒取向中所有可能的取向差；建立晶体生长元胞自动机模型；根据取向差与晶体生长元胞自动机模型进行晶粒生长过程模拟，获得晶粒组织模拟数据；将晶粒组织模拟数据转换成EBSD类型的晶粒组织模拟数据，通过EBSD数据分析软件分析取向信息。本发明解决了取向角简化算法中人为引起的计算误差问题，简化了传统含欧拉角组织模拟的生成初始组织欧拉角、晶界处取向差计算和模拟数据取向分析的复杂算法开发步骤，提高了材料组织模拟研究效率和准确性。
一种基于欧拉角晶粒组织演化数值模拟方法

[发明专利]一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法-CN202310077238.3在审
发明人：祖国庆;厉思奇;马鹏光;赵宇;韩英;朱巍巍;冉旭 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C21D8/02 文献下载
摘要：一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法，属于取向硅钢的生产技术领域。一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法，该方法包括：冶炼浇铸，粗轧，热轧，常化退火，冷轧，脱碳退火，临界变形，高温退火，平整拉伸和细化磁畴。临界变形后的板材内部形成临界变形区，此区域内的Goss晶粒内部形成亚晶粒，亚晶粒在高温退火时以低畸变能为驱动力，晶界迁移速率加快，提高了Goss晶粒异常长大的稳定性，降低取向硅钢产品的废品率。
一种应变诱导取向硅钢晶粒生长方法

[发明专利]晶体硅锭的切割方法-CN201410621138.3在审
发明人：周声浪;游达;胡亚兰;王双丽;田义良 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅锭的切割方法，包括以下步骤：沿垂直于晶粒生长方向将晶体硅锭切割成截面尺寸为所需的硅片尺寸的硅条；切割硅条，得到平行于晶粒生长方向的硅片。上述切割方法，通过一次开方和一次切片工序，直接得到平行于晶粒生长取向的晶体硅片，该方法省略了截断工序，简化了生产周期，提高了生产效率，同时可得到平行于晶粒生长取向的具有较大晶粒的多晶硅片，减少了晶粒晶界
晶体切割方法

[发明专利]利用相场法模拟调控铁电织构陶瓷晶粒尺寸的制备方法-CN202211115441.7在审
发明人：张永梅;郭新东;李菊霞;刘艳红 -专利权人：山西农业大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用相场法仿真模拟技术调控铁电织构陶瓷晶粒尺寸的制备方法，包括以下步骤：制备一系列不同尺寸分布的微晶粉体；设置满足颗粒尺寸分布的初始相场结构；建立晶粒取向生长的相场模型；晶粒取向生长过程的仿真模拟；制备膜片；制备微晶相互平行分布的素坯体；制备目标晶粒尺寸分布的铁电织构陶瓷。本发明充分发挥计算机仿真模拟智能预测指导技术，不需要反复试错试验，省时省力，产品的重现性和稳定性好，轻松实现铁电织构陶瓷晶粒尺寸分布的精确控制，易于产业化；有效控制了晶粒异常生长现象的发生，保持晶粒高度取向的同时，促进了陶瓷的致密化；本发明不仅可以制备出高织构度致密铁电陶瓷，还能调控其晶粒尺寸。
利用相场法模拟调控铁电织构陶瓷晶粒尺寸制备方法

[发明专利]多晶粒选择器装置、使用选择器装置制造柱状晶粒制品的方法以及使用选择器装置制造的柱状晶粒制品-CN201880098990.3在审
发明人： A·M·汤普森;A·F·汤普森;J·S·马尔特 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶粒选择器装置，该多晶粒选择器装置包括具有外表面的外部主体。外部主体包括被配置成面向铸造炉的冷却板的冷却侧和被配置成面向模具中的相对的模具侧。外部主体包括各自由两个或更多个横向取向的细长通道形成的多个晶粒选择器柱的阵列，该横向取向的细长通道以端对端布置方式彼此流体地联接，该端对端布置方式沿从外部主体的冷却侧朝向外部主体的模具侧延伸的生长方向取向选择器柱延伸到外部主体的模具侧上的生长开口。选择器柱中的每个选择器柱被配置成从对应的生长开口中形成单晶粒柱，该单晶粒柱是将在模具中形成的沿生长方向生长的柱状晶粒制品的一部分。
多晶选择器装置使用制造柱状晶粒制品方法以及

[发明专利]Ni基单晶高温合金二维选晶器的设计方法及制备方法-CN202010999548.7在审
发明人：孟祥斌;李金国;周吉学;林涛;景财年;高嵩;郭宁;唐炳涛;张炳荣 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了Ni基单晶高温合金二维选晶器的设计方法及制备方法，通过优化二维选晶器的几何尺寸，调整定向凝固过程中晶粒生长路径，实现对单晶高温合金取向的控制。通过研究二维选晶器的几何尺寸与选出晶粒取向之间的响应关系，控制二维选晶器的起始角，可以选出特殊取向(011，111)的晶粒。结合籽晶法，可进一步提高选出特殊取向晶粒的效率。
ni 基单晶高温合金二维选晶器设计方法制备

[发明专利]一种基于元胞自动机的新型邻居捕获方法-CN201610184252.3有效
发明人：魏艳红;辜诚;占小红 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于元胞自动机的新型邻居捕获方法，尤其针对焊接熔池凝固过程或热影响区固态相变过程中不同晶向晶粒生长的组织模拟。可以准确描述晶粒生长取向角的同时，提高计算机模拟的计算精度和计算效率，并在一定程度上优化元胞自动机模拟方法。主要通过对时间、空间、状态进行离散，定义模型参数，将生长速度进行分解并定义生长距离继承规则，随后建立晶粒生长模型，基于上述模型编写计算机程序进行计算，获得具有不同取向角的晶粒生长形貌和溶质场分布。
一种基于自动机新型邻居捕获方法

[发明专利]垂直磁性记录介质-CN03824259.1无效
发明人：稻村良作;竹下弘人;杉本利夫;下田一正;大岛武典;前田麻贵;涡卷拓也;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。
垂直磁性记录介质

[发明专利]多晶硅片及其制备方法-CN201710896427.8有效
发明人：游达;汪晨;胡亚兰;黄春来 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅片，所述多晶硅片表面分布数个晶粒，所述晶粒的长轴尺寸小于157毫米，短轴尺寸小于或等于80毫米，所述晶粒的长轴方向与晶粒生长方向一致。多晶硅片具有平行于晶粒生长取向的具有较大晶粒，减少了晶粒晶界，提高了硅片质量。还提出一种多晶硅片的制备方法。
多晶硅片及其制备方法

[发明专利]具有低铁损和高磁通密度的取向电工钢板及其制造方法-CN201180070836.3有效
发明人：宋大贤;金东珍;梁日南;林才洙 -专利权人： POSCO公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：本发明涉及取向电工钢板，并且提供了一种制造具有低铁损和高磁通密度的取向电工钢板的方法，其中在1050-1250℃下加热钢坯，所述钢坯按重量％包括Si：2.0-4.5％、Al：0.005-0.040％、MnC：0.04-0.07％、Sn：0.08-0.10％，以及余量的Fe和其他不可避免引入的杂质；进行热轧；之后使热轧带钢退火；之后进行冷轧；接着进行脱碳和氮化物退火，然后二次结晶退火，其中Sn用作主要的晶粒生长抑制剂根据本发明，使用合适量的Sn作为主要的晶粒生长抑制剂而提高初次结晶织构中戈斯取向晶粒的分数，控制用于再加热钢坯的N的含量，并且恰当地控制脱碳退火前加热条件和脱碳退火温度以恰当地保持晶粒生长的驱动力与抑制力之间的适当平衡，使二次结晶稳定，从而可以制造在最终的二次结晶后具有非常高的整合{110}<001>取向且包含具有极其精细的晶粒尺寸的戈斯织构的、具有低铁损和高磁通密度的取向电工钢板。
具有低铁损高磁通密度取向电工钢板及其制造方法

[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置-CN200880113188.3无效
发明人：高桥研;齐藤伸;黑川刚平;佐佐木有三;小松田辰;桥本笃志;竹尾昭彦;前田知幸 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社东芝;国立大学法人东北大学
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
垂直记录介质制造方法再生装置

[发明专利]制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法-CN03125563.9无效
发明人：德拉姆·P·戈塞恩;町田晓夫;中野一志;藤野敏夫;佐藤淳一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：使用从XeCl准分子激光器发出的脉冲激光束(能量束)同样地照射非晶体膜150次，以在部分熔化关于衬底的垂直方向具有{100}取向的晶粒和熔化非晶膜或者具有非{100}取向的晶粒的温度下，加热非晶膜。具有{100}取向的硅晶体新出现在氧化硅膜和液相硅之间，并且彼此随机结合在一起，以新形成具有{100}取向的晶粒。重复这样的晶粒形成步骤，形成具有关于衬底的垂直方向优先在{100}方向上生长的晶粒并因此具有清晰的正方形晶粒边界的晶体膜。
制造晶体半导体材料方法制作半导体器件

[发明专利]低锡量镀锡板表面晶粒生长的取向控制方法-CN202111043082.4在审
发明人：徐清亮;李鹏;李秀军;兰剑;曹利明 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C25D3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低锡量镀锡板表面晶粒生长的取向控制方法，包括步骤：1、对冷轧带钢基板进行电解脱脂；2、用酸洗溶液对冷轧带钢基板进行酸洗，去除冷轧带钢基板表面的氧化膜；3、用电镀锡溶液对酸洗后的冷轧带钢基板进行电镀锡；所述的电镀锡溶液为甲基磺酸盐镀液，在电镀锡溶液中加入晶粒取向控制剂，晶粒取向控制剂由羟基苯磺酸溶液和水杨酸溶液混合而成；4、用助熔剂对电镀锡后的冷轧带钢基板进行助熔，助熔后清洗烘干，制成低锡量镀锡板；本发明能控制镀锡板的镀锡量及合金层晶粒生长取向，提高合金层质量和低锡量镀锡板的耐蚀性能。
低锡量镀锡表面晶粒生长取向控制方法

[发明专利]一种高晶粒取向氧化锌纳米纤维的制备方法-CN201310117290.3无效
发明人：常岩岩;路秀真;徐明涛 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种高晶粒取向氧化锌纳米纤维的制备方法，属无机氧化物纳米纤维制备工艺技术领域。本制备方法的主要特点是采用单晶硅N(100)作为静电纺丝的接收基底来制备高晶粒取向的氧化锌纳米纤维。首先用单晶硅接收电纺的高分子/醋酸锌复合纳米纤维薄膜，然后将覆有薄膜的单晶硅样品进行热处理，随着高分子的分解，氧化锌逐渐形核、结晶、长大，由于单晶硅基底的晶格诱导作用氧化锌晶粒择优生长，形成具有高晶粒取向的氧化锌纳米纤维本发明提供了一种利用静电纺丝法制备高晶粒取向氧化锌纳米纤维的方法。
一种晶粒取向氧化锌纳米纤维制备方法

[发明专利]薄膜谐振器装置及其制作方法-CN00121944.8无效
发明人：迈克尔·詹姆斯·曼弗拉;劳伦·内尔·普雷弗尔;肯尼斯·威廉·韦斯特;黄耀萱 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2000-07-26 - 公布日： 2001-02-14 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：用改进的压电膜制成一薄膜谐振器(TFR),改进的压电膜是在生长表面上外延生长的,得到的压电膜有很少晶粒边界。外延生长是指,压电膜有一结晶学取向,它取自或仿照一单晶衬底或生长表面的结晶学取向。例如,在以单晶硅衬底为生长表面上外延生长的压电膜,可以制作有很少或没有晶粒边界的改进的压电膜。按照本发明的另一个方面,披露了制作TFR的一种方法,其中,压电膜是在一衬底上生长的。
薄膜谐振器装置及其制作方法

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