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[发明专利]一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法-CN202110154587.1在审
发明人：王庆国;吴锋;徐军;唐慧丽;罗平;薛艳艳 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。与现有技术相比，本发明采用导模法进行晶体生长，具有长晶固液界面小、结晶速度快、晶体质量高、可定型定向生长等优点，成为超大尺寸晶体的主流生长方式之一。
一种 ycob 晶体生长生长装置方法

[发明专利]自动控制的微下拉晶体生长装置和自动控制方法-CN201610326024.5在审
发明人：王亚琦;张连翰;杭寅;蔡双 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现生长过程自动控制的微下拉晶体生长装置，在传统的微下拉晶体生长设备加入称重系统，实现对生长晶体质量实时监控，对生长晶体的直径的自动控制。与现有微下拉技术相比，该装置成本低，易实现晶体生长自动控制，且具备普适性，适用用于所有生长晶体。
自动控制下拉晶体生长装置方法

[实用新型]一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构-CN202020485258.6有效
发明人：包文东;陈吉堃;陈诺夫;惠峰;陆贵兵;普世坤;林作亮;胡文瑞 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度，从而减小了生长温度的测量误差，使得PVT方法生长SiC单晶时的温度控制更精确，生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低。
一种 pvt 生长 sic 单晶炉测温结构

[发明专利]一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法-CN202111673616.1有效
发明人：金雷;武红磊;覃佐燕;李文良 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶的坩埚放入加热炉中，切换加热炉中的生长气氛为纯氮气氛围，升温至坩埚内达到预设温度，并调节至所述籽晶周围形成由所述原料至所述籽晶方向温度由高到低的小温梯，进行氮化铝单晶晶体生长，并保温一段时间，降温至室温，打开坩埚，得到所述的氮化铝晶体使用本发明原料进行氮化铝晶体生长，可抑制晶体中碳占氮位和氮空位点缺陷的产生，获得的氮化铝晶体在深紫外波段具有很高的透过率。
一种采用相传制备氮化晶体方法

[实用新型]一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉-CN202023208098.X有效
发明人：曹顿华;陈伟;董永军;华伟;潘国庆 -专利权人：南京光宝光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于晶体生长应用技术领域，具体公开了一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉，包括炉体、上保温屏、下保温屏、外保温屏、内保温屏、水冷坩埚杆、坩埚护套、坩埚、发热体、温度辅助调节部和若干个温度调节部本实用新型的一种温度梯度法晶体生长用温度梯度可调节晶体炉的有益效果在于：其设计合理、工作状态稳定和安全，通过温度辅助调节部、若干个温度调节部，可针对不同的晶体生长需求做不同形状的设计，调节方式更加灵活，实现单个晶体炉生长不同晶体对温度梯度的不同需求，进而提高晶体产品品质，实用性强。
一种温度梯度晶体生长调节晶体

[发明专利]一种晶体生长方法和装置-CN202080004445.0有效
发明人：王宇;杨田;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了晶体生长方法及装置。所述晶体生长方法包括：将籽晶和目标源材料置于晶体生长装置的生长腔体中；基于所述籽晶和所述目标源材料，通过物理气相传输法生长晶体；在晶体生长过程中，判断是否满足预设条件；以及当满足预设条件时，将升华后的目标源材料替换为备选源材料本申请通过以备选源材料替换升华后的目标源材料，可以生长得到大尺寸、高质量的晶体。
一种晶体生长方法装置

[实用新型]一种YCOB晶体生长用生长装置-CN202120318679.4有效
发明人：王庆国;吴锋;徐军;唐慧丽;罗平;薛艳艳 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种YCOB晶体生长用生长装置，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。与现有技术相比，本实用新型采用导模法进行晶体生长，具有长晶固液界面小、结晶速度快、晶体质量高、可定型定向生长等优点，成为超大尺寸晶体的主流生长方式之一。
一种 ycob 晶体生长生长装置

[发明专利]一种大尺寸硼酸盐晶体生长所用的坩埚和所用的方法-CN201410455749.5有效
发明人：涂衡;胡章贵;赵营;岳银超 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚，所述异形坩埚在坩埚壁上设有用于调节坩埚内温场的缺口。本发明还公开了一种大尺寸硼酸盐晶体生长方法，采用所述异形坩埚进行晶体生长。使用本发明提供的用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚和大尺寸硼酸盐晶体生长方法可以有效调节生长出的晶体形貌，显著提高晶体利用率，有利于切割出更大尺寸的器件。
一种尺寸硼酸盐晶体生长所用坩埚方法

[发明专利]高压原位合成多功能晶体生长系统-CN201410689495.3在审
发明人：孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座、炉腔和炉顶盖，所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构在所述系统适用于III-V和II-IV族化合物半导体的合成与晶体生长，尤其适用于含有挥发性元素的二元或者多元熔体的合成及成分的精确控制，可适用于多种不同的晶体生长方法，具有使用方便，控制精确度高的特点。
高压原位合成多功能晶体生长系统

[发明专利]一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法-CN202210151711.3有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架；连续过滤装置设于槽体外部；载晶架设于槽体内部；杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间；杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部；杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口；移动式连接管的一端与溶液进口连通，另一端与连续过滤装置连通；移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器；晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。
一种晶体生长槽底杂晶去除方法

[实用新型]高压原位合成多功能晶体生长系统-CN201420718788.5有效
发明人：孙聂枫;孙同年;王书杰;刘惠生;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包括炉底座、炉腔和炉顶盖，所述晶体生长系统还包括籽晶杆升降机构在所述系统适用于III-V和II-IV族化合物半导体的合成与晶体生长，尤其适用于含有挥发性元素的二元或者多元熔体的合成及成分的精确控制，可适用于多种不同的晶体生长方法，具有使用方便，控制精确度高的特点。
高压原位合成多功能晶体生长系统

[实用新型]一种晶体生长槽-CN202220339062.5有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长槽，属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架；连续过滤装置设于槽体外部；载晶架设于槽体内部；杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间；杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部；杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口；移动式连接管的一端与溶液进口连通，另一端与连续过滤装置连通；移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器；晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。
一种晶体生长

[发明专利]结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法-CN202080059351.3在审
发明人：河原克明;大岛祐一;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为
结晶包含半导体装置以及制造方法

[发明专利]铌酸锂晶体及其制备方法-CN202111022496.9有效
发明人：薛冬峰;陈昆峰;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本申请属于光电材料技术领域，尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中，铌酸锂晶体的制备方法，包括步骤：计算铌酸锂晶体生长的温度场结构；计算铌酸锂晶体的生长参数；将锂源和铌源进行混合干燥处理，得到混合原料；在空气氛围中，对混合原料进行烧结处理，得到铌酸锂多晶料块；在计算的温度场结构中，将铌酸锂多晶料块融化后，在籽晶的引导下，依据计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法，通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数，然后在计算的温度场结构中，依据计算的晶体生长参数，采用提拉法进行晶体生长，显著提高铌酸锂晶体的生长效率。
铌酸锂晶体及其制备方法

[实用新型]一种晶体生长用块状粉料压制的等静压机模具-CN201920030601.5有效
发明人：丁言国;徐悟生;叶崇志 -专利权人：上海新漫晶体材料科技有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体生长用块状粉料压制的等静压机模具，其包括一端封闭一端开口的容器、密封塞、金属抱箍，将混合均匀后的晶体生长用粉料装入容器中，通过密封塞、金属抱箍将容器开口端密封，形成密闭空间，之后将装有粉料的模具放置在等静压机进行压料，将粉料压制成致密的块状粉料，以减小晶体生长用粉料的体积，实现一次性将晶体生长用粉料全部装入坩埚中进行晶体生长的目的，同时使晶体生长用粉料的固相反应更充分，达到提高晶体光学性能的目的。
粉料晶体生长等静压机金属抱箍密封塞模具压制致密本实用新型容器开口端固相反应晶体光学密闭空间一端封闭一端开口装入容器一次性减小压料坩埚密封装入