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[发明专利]无定形活性碳材料及其生产方法-CN201310484819.5在审
发明人： K·P·加德卡里;刘佳 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C01B31/12 文献下载
摘要：本发明涉及无定形活性碳材料及其生产方法。用于生产无定形活性碳的方法包括：将碳前体加热至足以形成部分致密的无定形碳的温度，使得所述部分致密的无定形碳活化，以生产无定形活性碳。为了促进无定形碳的高效活化，对碳化进行控制，以生产无定形碳材料，所述无定形碳材料在活化之前的密度是无定形碳的最大密度的85-99%。
无定形活性碳材料及其生产方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410325768.6有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳表面具有结晶源；对所述无定形碳层表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源。本发明氧化去除位于无定形碳层表面的结晶源，防止所述结晶源在与外界环境接触后体积增加，从而避免无定形碳层表面的结晶现象，进而提高无定形碳层表面平坦度，提高形成的无定形碳层的质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]无定形碳膜的处理方法，开口的形成方法-CN201110224905.3有效
发明人：张彬;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种无定形碳膜的处理方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳膜；对所述无定形碳膜进行退火处理；对经过退火处理的无定形碳膜进行紫外光处理。通过本发明所提供的无定形碳膜的处理方法，无定形碳膜中氢原子分布均一，使得无定形碳膜的刻蚀速度均一，有利于在不同区域刻蚀时形成平坦、均匀的刻蚀表面，从而提高半导体器件的性能。相应地，本发明还提供对经过上述处理的无定形碳膜进行刻蚀形成开口的方法。
无定形碳处理方法开口形成

[发明专利]无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法-CN201110383465.6有效
发明人：张彬;邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种无定形碳硬掩膜层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成初始无定形碳硬掩膜层，形成所述初始无定形碳硬掩膜层的反应温度为200～300摄氏度；采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成无定形碳硬掩膜层。本发明无定形碳硬掩膜层的形成方法，采用低温工艺形成初始无定形碳硬掩膜层，采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成致密性高的无定形碳硬掩膜层，降低了热预算，提高了器件稳定性。
无定形碳硬掩膜层形成方法刻蚀

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201210292632.0有效
发明人：郑春生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上依次形成第一缓冲层、第一无定形碳层、第二缓冲层以及第二无定形碳层，利用第二无定形碳层作掩膜刻蚀第一无定形碳层形成无定形碳牺牲栅极，并利用第二缓冲层覆盖在无定形碳牺牲栅极上，并在堆叠结构侧壁形成保护层，所述保护层和覆盖在无定形碳牺牲栅极上的第二缓冲层共同保护所述无定形碳牺牲栅极，防止后续进行的氧气灰化工艺中的等离子体损伤所述无定形碳牺牲栅极，确保最终形成的金属栅极的质量。
半导体器件制造方法

[发明专利]无定形碳层的处理与形成方法、半导体器件的制作方法-CN201110296697.8有效
发明人：张彬;鲍宇;邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种处理无定形碳层的方法，所述方法包括对形成的无定形碳层进行紫外线处理；其中，在300-550℃的温度条件下、氦气(He)环境中，进行所述紫外线处理。本发明还提供一种高厚度无定形碳层的形成方法，以及利用上述无定形碳层制作半导体器件的方法。本发明通过对形成的无定形碳层进行紫外线处理，以去除无定形碳层内的大颗粒惰性气体原子，从而可以改善无定形碳层质量。
无定形碳处理形成方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用-CN202111032673.1有效
发明人：李念武;于乐;苏凯;金童 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用。本发明将无定形碳、粘结剂和导电剂制成无定形碳电极，以所述无定形碳电极作为负极，对无定形碳负极进行锂化，从而获得无定形碳基复合负极材料，所述无定形碳基复合负极材料中含有准金属态锂。使用本发明的无定形碳基复合负极作为储能电池负极，有极好的导电性，其内部所具备的无序碳所组成的纳米级别的孔隙为准金属态锂的可逆存储提供了特殊的限域空间，可有效减少电解液与金属锂的反应，显著提高负极的循环稳定性
一种金属无定形碳复合负极材料制备方法应用

[发明专利]一种无定形碳/纳-微米网络薄膜及其制备方法-CN201811116233.2有效
发明人：肖仕奇;周维亚;王艳春;解思深 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C01B32/158 文献下载
摘要：本发明提供了一种无定形碳/纳‑微米网络薄膜及其制备方法，属于纳米材料技术领域，其包括：无定形碳和纳‑微米网络，所述无定形碳填充于所述纳‑微米网络的孔隙内，以形成无孔隙的复合薄膜；所述无定形碳为由碳原子组成的二维无定形碳纳米薄膜本发明提供的一种新型的无定形碳/纳‑微米网络薄膜，其将无定形碳填充于纳‑微米网络以形成的无孔隙二维复合薄膜，可以阻止外部的水、氧等物质对电子器件、金属涂层等表面的氧化侵蚀，相较于纳‑微米网络，具有更加优异的保护性能
一种无定形碳微米网络薄膜及其制备方法

[发明专利]包括无定形碳层的掩模结构-CN200480033277.9有效
发明人： G·S·桑胡;殷之平;李伟民 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：该掩模结构包括无定形碳层和形成在无定形碳层上的帽盖层。该无定形碳层包括透明的无定形碳。该帽盖层包括非氧化物材料。在半导体器件制造期间，该掩模结构可以用作在蚀刻处理中的掩模。
包括无定形碳结构

[发明专利]具有双栅结构的半导体器件的制造方法-CN200610149852.2无效
发明人：金光玉;郑永均 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底之上形成栅氧化物层；在栅氧化物层之上形成栅导电层；在栅导电层之上形成无定形碳层；在无定形碳层之上形成感光图案；使用感光图案作为蚀刻掩膜来蚀刻无定形碳层，以形成图案化的无定形碳层；使用图案化的无定形碳层作为离子注入阻挡来执行第一离子注入工艺，以使杂质注入于栅导电层上；去除图案化的无定形碳层；以及图案化栅导电层，以形成栅结构。
具有结构半导体器件制造方法

[发明专利]MoO2-CN202111348750.4在审
发明人：舒梨;曹萌;张正;李武义;郭华彬;胡海玲 -专利权人：银隆新能源股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了MoO2/无定形碳包覆的硅碳复合材料及其制备方法和应用。按质量含量计，MoO2/无定形碳包覆的硅碳复合材料包括：硅材料5～42％；碳基材料和无定形碳57.5～95％；MoO20.05～0.5％，MoO2分散在无定形碳中，硅材料和碳基材料复合形成硅碳复合材料，MoO2/无定形碳包覆在硅碳复合材料表面本申请的MoO2/无定形碳包覆的硅碳复合材料中硅材料、碳基材料、MoO2和无定形碳之间相互协同，既可以充分发挥硅材料的高容量特性，又可以充分发挥碳材料的体积缓冲作用，因此，MoO2/无定形碳包覆的硅碳复合材料具有优良的电化学性能，可以提供良好的电子传输通道，提高复合材料的导电性。
moo base sub

[发明专利]四面体无定形碳膜及其制备方法-CN02152684.2无效
发明人：兵藤浩之 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：制备四面体无定形碳(ta－C)膜的方法包括在物体表面上沉积碳原子。在碳原子的沉积期间保持物体表面曝露于氟原子。该方法允许氟原子分散在四面体无定形碳膜中的沉积碳原子中。四面体无定形碳膜的硬度可以响应于包括在四面体无定形碳膜中sp3碳键的增加含量而改进。此外，由于存在于四面体无定形碳膜曝露表面附近的氟原子，四面体无定形碳膜仍然提供对水的足够排斥性能。
四面体无定形碳及其制备方法

[发明专利]海胆状无定形碳/泡沫镍复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用-CN202110033712.3有效
发明人：黄丹莲;陈亚诗;雷蕾;程敏;许飘;陈莎;杜立;肖睿豪 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了海胆状无定形碳/泡沫镍复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用。该海胆状无定形碳/泡沫镍复合材料包括泡沫镍和负载于泡沫镍上的无定形碳，所述无定形碳为海胆状；其制备方法包括以钴基金属有机骨架作为前驱体，经过水热，前驱体负载在泡沫镍上，并将其进行煅烧，制得海胆状无定形碳本发明海胆状无定形碳/泡沫镍复合材料具有结构稳定、比电容高等优点，可直接作为电极材料用于电化学储能，具有能耗低，结构稳定，储能效果好等优点。
海胆无定形碳泡沫复合材料及其制备方法超级电容器中的应用

[发明专利]保留部分无定形碳层的方法-CN201110328160.5有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种保留部分无定形碳层的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅线；在多晶硅线上依次沉积无定形碳层、绝缘抗反射涂层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂敷光刻胶，光刻形成无定形碳层剥离区域的第一窗口；刻蚀第一窗口内的氮化硅硬掩膜层，停留在绝缘抗反射涂层上，在氮化硅硬掩膜层中形成第二窗口；刻蚀去除光刻胶；刻蚀去除第二窗口内的绝缘抗反射涂层和无定形碳层。本发明采用氮化硅硬掩膜层和无定形碳层的高刻蚀选择比，保留部分无定形碳层，保留的无定形碳层可以使用在后续工序中。
保留部分无定形碳方法

[发明专利]一种基于结构色的折射率传感器及其制作方法和测试系统-CN202310400101.7在审
发明人：王磊;张绪;宋瑞琦;宗顾卫 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于结构色的折射率传感器及其制作方法和测试系统，属于传感器技术领域；所述折射率传感器通过激光器的热效应烧灼聚合物薄膜生成无定形碳材料制备而成；所述聚合物薄膜采用聚酰亚胺薄膜；所述折射率传感器基于无定形碳的F‑P腔作为反射结构，所述F‑P腔结构包括第一无定形碳薄层和第二无定形碳层，第一无定形碳薄层和第二无定形碳层之间设有空气层。本发明通过激光器诱导生成无定形碳，通过控制激光参数进而改变无定形碳表面的颜色，生成的结构色色域分布广；该方法简单高效，成本低廉，并且绿色环保；同时，生成的空气层用来加入不同折射率的液体，而引起表面反射光的变化
一种基于结构折射率传感器及其制作方法测试系统

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