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[发明专利]一种方酸锂的制备方法-CN202211586232.0在审
发明人：王珂;张乐欣;陈世安 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07C45/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种方酸锂的制备方法，具体步骤包括(1)制备碱性的锂源水溶液、(2)方酸与锂源水溶液反应制得方酸锂溶液、(3)交替加入方酸和锂源，提高方酸锂溶液浓度、和(4)提纯，并干燥得到方酸锂固体。相较于现有技术的碱性锂源‑方酸复分解反应，本发明运用独特的交替加料方法，反应体系浓度高，反应产量大，为方酸锂结晶提纯操作创造可调控的任意理想浓度的条件，降温结晶工艺更为可控，制备方法节能绿色。
一种方酸锂制备方法

[发明专利]一种纳米方酸锂及制备方法、正极片和锂电池-CN202210977478.4在审
发明人：李宝华;林逵;徐晓富;秦显营;康飞宇 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C07C45/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种纳米方酸锂及其制备方法、正极片和锂电池，所述纳米方酸锂的制备方法包括：将方酸与含锂化合物溶于去离子水中，搅拌，烘干，得到方酸锂粉末，对所述方酸锂粉末进行重结晶析出处理，得到纳米方酸锂粉末本申请中通过将纳米方酸锂作为一种预锂化材料加入到正极片中，对锂电池首次充放电过程中不可逆的锂损失起到补偿作用，进而提升电池的整体容量；对于构建具有实用价值的无负极锂金属电池，该纳米方酸锂可以为负极提供额外的锂源
一种纳米方酸锂制备方法正极锂电池

[发明专利]一种石墨烯复合方酸锂/钠材料及其制备方法和应用-CN202210707080.9在审
发明人：王珂;王熙;梁志钦 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯复合方酸锂材料及其制备方法和应用，石墨烯复合方酸锂材料中，方酸锂和石墨烯材料的质量比为4:1～49:1。以石墨烯材料为催化剂，能有效降低方酸锂氧化过电势，同时避免过渡金属化合物催化剂引入过渡金属离子，降低循环寿命恶化风险。使用喷雾干燥工艺开发石墨烯材料与方酸锂复合材料混合均匀，石墨烯材料形成的导电网络能有效地将电子快速地传导到方酸锂活性反应中心，有利于提高方酸锂容量的发挥。
一种石墨复合方酸锂材料及其制备方法应用

[发明专利]腐殖酸衍生的传导性泡沫和装置-CN201780059527.3有效
发明人：阿茹娜·扎姆;张博增 -专利权人：纳米技术仪器公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B32B5/18 文献下载
摘要：一种腐殖酸衍生的泡沫，其由多个孔和孔壁构成，其中所述孔壁含有单层或少层腐殖酸衍生的六方碳原子平面或片，所述少层六方碳原子平面或片具有2‑10层堆叠的六方碳原子平面，所述堆叠的六方碳原子平面具有如通过X射线衍射测量的从002#191，并且所述单层或少层六方碳原子平面含有按重量计0.01％至25％的非碳元素，并且其中所述腐殖酸选自氧化的腐殖酸、还原的腐殖酸、氟化的腐殖酸、氯化的腐殖酸、溴化的腐殖酸、碘化的腐殖酸、氢化的腐殖酸、氮化的腐殖酸、掺杂的腐殖酸、化学官能化的腐殖酸、或其组合。
腐殖衍生传导性泡沫装置

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种用于识别铜离子的非对称方酸菁比色探针及其应用-CN202210049106.5有效
发明人：李忠玉;吴月晗;梁倩;周满;徐松 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07D209/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于识别铜离子的非对称方酸菁比色探针及其应用，非对称方酸菁比色探针的制备方法：将1,1,2‑三甲基‑1H‑苯并[e]吲哚和碘乙烷合成3‑乙基‑1,1,2‑三甲基‑1H‑苯并[e]吲哚、方酸与乙醇合成二乙氧基方酸、二乙氧基方酸与3‑乙基‑1,1,2‑三甲基‑1H‑苯并[e]吲哚合成3‑乙基‑1,1,2‑三甲基‑1H‑苯并[e]吲哚方酸半菁，再与3‑二乙氨基酚合成非对称双方酸菁，用于铜离子选择性识别检测。本发明的有益效果是：非对称方酸菁化学传感器具有良好的光学性能，高度灵敏性的特点。对铜离子的检测识别，溶液颜色发生明显变化，有利于进行比色检测。
一种用于识别离子对称方酸菁比色探针及其应用

[发明专利]一种方酸钒基有机金属骨架材料及制备方法和锂离子电池-CN202310697144.6在审
发明人：谷天天;吕恒;薛浩楠;高欣宇;王永文 -专利权人：石河子大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池材料制备技术领域，提供了一种方酸钒基有机金属骨架材料及其制备方法和锂离子电池。本发明采用钒源和方酸以及去质子化物质进行离子交换的方法合成方酸钒基有机金属骨架材料。具体为：在方酸中加入去质子化物质碱金属氢氧化物后，方酸变为相应的方酸碱金属盐；进一步加入钒盐溶液，钒离子置换碱金属盐的位置，进一步长大形成方酸钒框架。利用MOFs骨架中金属和配体协同作用，提高了方酸钒基有机金属骨架材料作为锂离子电池负极材料的综合性能，改善方酸小分子作为锂离子电池负极材料面临的衰减问题。本发明所得方酸钒基有机金属骨架材料作为负极材料具有较高的比容量和较好的倍率性能，且大电流循环500圈还能保持稳定。
一种方酸钒基有机金属骨架材料制备方法锂离子电池

[发明专利]一种方酸锂材料及其制备方法和应用-CN202211295307.X在审
发明人：岳敏;陈俊奇;夏凡;黄美云 -专利权人：无锡零一未来新材料技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C07C45/64 文献下载
摘要：本发明提供一种方酸锂材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将方酸和锂源干法混合，得到混合物；将所述混合物烧结，得到所述方酸锂材料。本发明提供的制备方法具有无溶剂化的特点，工艺简单、可操作性强、环保性好，适于实现方酸锂材料的工业化应用。通过所述制备方法得到的方酸锂材料的结晶性好，具有显著提高的电导率和电化学活性。所述方酸锂材料作为补锂添加剂，能够有效改善锂离子电池的容量，实现优异的补锂效果。
一种方酸锂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种裂缝向下延伸酸压方法-CN200910081980.1有效
发明人：周福建;刘玉章;刘雄飞;熊春明;张福祥;杨贤友;沈建新;李向东;连胜江;石阳;贾新峰 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;北京科麦仕油田化学剂技术有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： E21B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种裂缝向下延伸酸压方法，用5～20立方米浓度为10～20％的盐酸，以0.5～3.0立方米/分钟的排量注入地层；用20～100立方米冻胶，以1.5～5.0立方米/分钟的排量注入地层裂缝，并尾追浓度0.2％的过硫酸铵破胶剂；用30～80立方米低密度空心玻璃微珠体积含量为2～10％的携带液，以1.0～4.0立方米/分钟的排量泵注；用50～200立方米冻胶，以3.0～7.5立方米/分钟的排量泵注入地层；用50～200立方米的胶凝酸、温控变粘酸或其它酸液，以3.0～7.5立方米/分钟的排量泵注；用滑溜水将井筒中的压裂液顶入地层；达到常规酸压无法沟通的远距离储集体，实现定向深度酸压改造目的。
一种裂缝向下延伸方法

[发明专利]一种纳米厚度方酸MOF膜及其制备方法-CN202310272797.X在审
发明人：何萌 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米厚度方酸MOF膜及其制备方法，制备方法包括：制备阳离子表面活性剂、方酸、氢氧化钠、金属盐分别溶于水中配成1mg/mL的溶液；采用朗格缪膜仪组装酸MOF Langmuir膜，采用Langmuir‑Blogget法转移方酸MOF膜至固体基底，得到纳米厚度方酸MOF膜；本发明通过阳离子表面活性剂来诱导水溶性带负电荷的方酸分子界面聚集，采用朗格缪薄膜制备技术合理调控界面压力，调节表面活性剂间距离及界面电荷密度，进而调控其诱导聚集的方酸配体分子界面密度及薄膜厚度
一种纳米厚度 mof 及其制备方法

[发明专利]一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法-CN202111493069.9在审
发明人：乔梁;张超;丁翔 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁酸铋薄膜技术领域，公开了一种带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法，带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜材料的制备方法包括：利用镍酸镧作为底电极材料，在四方相铁酸铋和铝酸镧之间引入底电极，制备复合膜本发明通过引入较薄的镍酸镧层作为底电极，为超四方相铁酸铋的应用提供更多空间，而且不含环境污染型材料，贵金属，适于大规模使用。本发明以铝酸镧，采用镍酸镧作为底电极材料，实现了带有底电极的超四方相铁酸铋薄膜的制备，制备过程简单，材料不太昂贵，效果较好。本发明采用镍酸镧作为铁电薄膜的底电极可以极大程度增强铁电薄膜器件的抗疲劳特性。
一种有底电极四方相铁酸铋薄膜材料制备方法

[发明专利]方酸衍生物及其制备方法-CN200910083563.0无效
发明人：刘宗英;大卫·W·博伊金;王跃明;李卓荣;蒋建东 -专利权人：中国医学科学院医药生物技术研究所;佐治亚州立大学研究基金会
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C07C49/753 文献下载
摘要：本发明提供了一种方酸衍生物及其药用盐，该方酸衍生物具有通式(I)的结构，本发明的方酸衍生物可以作为小分子微管蛋白抑制剂，不仅具有抗微管作用，还具有显著的抗肿瘤活性，并且具有分子量小、合成简单、毒副作用小的优点本发明还提供了所述方酸衍生物的合成方法，以及该方酸衍生物及其药用盐为活性成分的抗肿瘤药物组合物。
衍生物及其制备方法

[发明专利]一种用于Fe³⁺检测的方酸菁化学传感器及其制备方法-CN201210291476.6有效
发明人：李忠玉;吴春晖;徐松;唐明杰 -专利权人：常州大学;常州浩瀚新材料科技有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C07C65/40 文献下载
摘要：本发明一种用于Fe3+检测的方酸菁化学传感器及其制备方法，属于化学分析测试领域。其具有对称结构的2,4,6-三羟基-3,5-二(对羧苄基)苯)方酸菁化合物。上述用于Fe3+检测的方酸菁化学传感器的制备方法，包括中间体1,3,5-三羟基-2,4-二(对羧苄基)苯的制备；二(2,4,6-三羟基-3,5-二(对羧苄基)苯)方酸菁的制备。本发明的方酸菁化合物合成方法简单，反应条件容易控制，通过简单的处理就能够得到纯的产物，得到的方酸菁化合物具有优良的光学性能和光稳定性；本发明的方酸菁化合物中含有羧基和羟基基团，具有一定的水溶性，对铁离子具有较好的选择性
一种用于 fe sup 检测方酸菁化学传感器及其制备方法

[发明专利]方酸内鎓盐有机电致发光材料及其制备方法-CN200510021878.4无效
发明人：唐先忠;蒋亚东;王涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：方酸内鎓盐有机电致发光材料及其制备方法，属于材料技术领域，特别是涉及有机电致发光材料及制备方法。本发明提供的方酸内鎓盐有机电致发光材料，是一种主体材料由方酸内鎓盐构成的有机粉末状材料，所述方酸内鎓盐的结构式为(I)。利用方酸与胺作原料，经水或有机溶剂溶解后加热至回流温度下搅拌反应8－24小时，然后冷却过滤，将过滤所得固体产物经洗涤过滤抽干、真空干燥后即得本发明所述的方酸内鎓盐有机电致发光材料。本发明提供的方酸内鎓盐有机电致发光材料抗老化性能好，不易失效，使用寿命长，其制备方法简单，反应一步完成，反应条件温和易控，操作容易，成本低廉，且无毒无环境污染。本发明提供的方酸类鎓盐在各种有机电致发光显示器中将有非常广阔的应用前景。
方酸内鎓盐有机电致发光材料及其制备方法

[发明专利]异方酰化氨基酸化合物及其制备方法-CN00125876.1无效
发明人：衡林森 -专利权人：衡林森;达县师范专科学校
申请日： 2000-10-27 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： C07C229/16 文献下载
摘要：本发明涉及一类异方酰化氨基酸化合物及其制备方法，将异方酰胺、氨基酸和碱在溶剂中进行反应，碱将氨基酸转化为氨基酸盐，氨基酸盐与异方酰胺进行酰胺交换反应，生成异方酰化氨基酸盐，再用酸酸化即得异方酰化氨基酸。该制备方法反应条件较温和，操作简便，适用性强，产率较高，为制备大量的既含芳基又含氨基酸的异方酰胺化合物提供一个有效的方法。
异方酰化氨基酸化合物及其制备方法

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