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[发明专利]一种快速主动抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路及控制方法-CN202110727363.5在审
发明人：田超;秦东东;吴元元 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速主动抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路及控制方法，属于电力电子驱动技术领域，解决了现有技术在串扰抑制过程中会减缓关断速度和增加关断损耗以及抑制串扰的可靠性较低的问题。电路包括与上管SiC MOSFET连接的第一串扰抑制电路和与下管SiC MOSFET连接的第二串扰抑制电路；所述第一串扰抑制电路，用于根据接收的驱动下管SiC MOSFET的第二PWM控制信号进行通断，以调整上管SiC MOSFET处于关断状态,下管SiC MOSFET开通时，上管SiC MOSFET的门极电压，抑制上管SiC MOSFET的开通；所述第二串扰抑制电路，用于根据接收的驱动上管SiC MOSFET的第一PWM控制信号进行通断，以调整下管SiC MOSFET处于关断状态,上管SiC MOSFET开通时，下管SiC MOSFET的门极电压，抑制下管SiC MOSFET的开通。
一种快速主动抑制 sic mosfet 驱动电路控制方法

[发明专利]具有可重新组态的光二极管数组的光学接近传感器-CN201510292288.9有效
发明人：玛诺·必酷曼得拉;思琳·巴朗 -专利权人：英特希尔美国公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01S17/50 文献下载
摘要：本文中描述光学接近传感器、搭配光学接近传感器使用的方法及包括光学接近传感器的系统。此光学接近传感器包括一光源及一光检测器，其中该光检测器包括个别可选择的多个光二极管。在一校准模式期间，测试该光检测器的该多个光二极管中的个别光二极管以识别哪些光二极管为串扰支配式。在一操作模式期间，使用未被识别为串扰支配式的该光检测器的该光二极管以产生对于在该光学接近传感器的感测区内检测一对象的存在、接近和/或运动有用的一光检测值或信号。与也使用该串扰支配式光二极管的情况相比较，通过不使用被识别为串扰支配式的该光二极管，会改良该光检测值或信号的信杂比。
具有重新组态二极管数组光学接近传感器

[发明专利]抗串扰性能测试方法、装置、系统、设备和存储介质-CN202310665331.6在审
发明人：潘明华;赵振伟;路强 -专利权人：曙光信息产业（北京）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H04B3/487 文献下载
摘要：本申请涉及一种抗串扰性能测试方法、装置、系统、设备和存储介质。所述方法包括：获取串行解串器接收的目标传输信号，所述目标传输信号是利用串扰信号对原始传输信号进行环绕串扰后得到的；根据所述目标传输信号，确定所述串行解串器对应的抗串扰性能测试结果；其中，所述串扰信号对应的串扰走线环绕分布于所述原始传输信号对应的传输走线的周围采用本方法能够更加真实准确地测试串行解串器的抗串扰性能。
抗串扰性能测试方法装置系统设备存储介质

[发明专利]增强具有左输入通道和右输入通道的音频信号的方法和系统-CN201880094798.7有效
发明人：扎卡里·塞尔迪斯 -专利权人：云加速360公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H04S7/00 文献下载
摘要：一种音频系统提供了对输入音频信号的空间增强、串扰处理和串扰补偿。串扰补偿对由对空间增强信号应用串扰处理引起的频谱缺陷进行补偿。串扰补偿可以在串扰处理之前，在串扰处理之后或与串扰处理并行地执行。串扰补偿包括：对左输入通道和右输入通道的中间分量和边侧分量应用滤波器，以补偿由音频信号的串扰处理引起的频谱缺陷。串扰处理可以包括串扰模拟或串扰消除。在一些实施方式中，串扰补偿可以与空间上增强音频信号的子带空间处理整合。
增强具有输入通道音频信号方法系统

[发明专利]一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法-CN202110013938.7在审
发明人：兰欣;刘祥龙;王兴华;朱士伟;谢国芳;吴平;于功山 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法，用以解决现有的桥臂电路中出现串扰的技术问题。电路包括：上桥臂电路、下桥臂电路；上桥臂电路包括上开关管S_H以及第一低阻抗回路；第一低阻抗回路的一端连接上开关管S_H的第二极，第一低阻抗回路的另一端连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极；第一低阻抗回路用于抑制上开关管S_H的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压；下桥臂电路包括下开关管S_L以及第二低阻抗回路；第二低阻抗回路用于抑制下开关管S_L的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压本申请通过上述电路实现了上下开关管之间的串扰抑制。
一种碳化硅场效应抑制电路方法

[发明专利]用于雷达系统的自适应TX-RX串扰消除-CN202310298690.2在审
发明人： L·魏兰德;R·佩雷斯·冈萨雷斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01S7/40 文献下载
摘要：本公开涉及用于雷达系统的自适应TX‑RX串扰消除。在实施例中，一种方法包括：初始化串扰补偿因子，串扰补偿因子指示在雷达传感器的发射路径与雷达传感器的接收路径之间的发射器‑接收器串扰；从雷达传感器接收雷达数据；从雷达数据中选择数据集；对数据集执行目标检测；以及在对数据集执行目标检测之后，当在数据集中未检测到目标时，基于数据集来更新串扰补偿因子，并且在更新串扰补偿因子之后，基于雷达数据和串扰补偿因子来生成雷达频谱，并且当在数据集中检测到目标时，在不更新串扰补偿因子的情况下，基于雷达数据和串扰补偿因子来生成雷达频谱。
用于雷达系统自适应 tx rx 消除

[发明专利]一种消除由于串扰引起光斑质心偏移的方法-CN201210288531.6有效
发明人：马晓燠;饶长辉;郭友明;魏凯;魏凌;饶学军 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01S7/495 文献下载
摘要：本发明提供一种消除由于串扰引起光斑质心偏移的方法，该方法利用串扰矩阵来表征多像素光斑质心探测器的串扰特性，将多像素光斑质心探测器输出的受串扰影响的光强阵列信号左乘上串扰矩阵的逆矩阵，从而得到解串扰后光强分布信号，再利用解串扰后光强分布信号计算得到光斑质心，与传统的直接利用受串扰影响的信号计算光斑质心的方法相比，本发明可以去除由于串扰引起的光斑质心偏移，从而提高光斑质心的探测精度。
一种消除由于引起光斑质心偏移方法

[实用新型]一种可阻止串扰的阵列式压敏电阻传感器-CN201921952994.1有效
发明人：余益臻;任佳;刘瑜;倪欣;田哥宇;郭力宁;刘斌 -专利权人：浙江理工大学;深圳市深智杰科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可阻止串扰的阵列式压敏电阻传感器，包括M条输入轴线，与所述的输入轴线垂直交叉的N条输出轴线，M*N个压阻单元，M*N个二极管；所述的压阻单元在受到不同的压力时具有不同的电阻值，所述的压阻单元和二极管在所述的输入轴线和输出轴线交叉的位置，所述的二极管正极连接所述的输入轴线，负极连接通过所述的压阻单元连接输出轴线。与相关技术相比，本实用新型提供的可阻止串扰的阵列式压敏电阻传感器，在增加二极管单元后，阻断了串扰信号，解决了串扰带来的问题，提高了多点压力检测的精度。
一种阻止阵列压敏电阻传感器

[发明专利]防串扰SiC MOSFET驱动电路-CN202210910736.7在审
发明人：陈广辉;赵文卓;刘敏通 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种防串扰SiC MOSFET驱动电路,包括:相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路，上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路；上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET，并且上桥臂防串扰电路中包括：连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路；下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET，下桥臂防串扰电路中包括：连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。本发明的方案有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰，在保证串扰被抑制的前提下，能够有效保护功率器件的安全性。
防串扰 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]具有远端串扰消除功能的网络装置-CN200810093936.8有效
发明人：施至永;黄亮维;郭协星 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本发明提供一种具有远端串扰消除功能的网络装置，当网络装置在训练模式下，提供硬数据至远端串扰消除器执行远端串扰消除；以及当网络装置在数据模式下，提供软数据至远端串扰消除器执行远端串扰消除，以达到有效地消除远端串扰的效果并可节省网络装置的消耗功率
具有远端消除功能网络装置

[发明专利]图像传感器器件和方法-CN201210536910.2有效
发明人：林政贤;杨敦年;刘人诚;洪丰基;蔡双吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。本发明还提供了图像传感器器件和方法。
图像传感器器件方法

[发明专利]一种具有串扰抑制能力的SiC MOSFET驱动电路-CN201610981876.8有效
发明人：王乃增;贾海洋;田莫帆;杨旭;徐广钊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有串扰抑制能力的SiC MOSFET驱动电路，包括相互推挽式连接的开关管S1与开关管S2，开关管S1与开关管S2之间连接有驱动电阻，驱动电阻输出端连接有并联连接的第一级串扰抑制电路和第二级串扰抑制电路；所述第一级串扰抑制电路包括二极管D2和连接在二极管D2阳极端的电容C1，电容C1另一端连接至第二级串扰抑制电路后并与二极管D2阴极端相连；所述第二级串扰抑制电路包括BJT管T、并联在BJT管T基极与发射极上的电阻R3、并联联在BJT管T集电极与基极之间的电容C2和C3；电阻R3和电容C3为输出端。该驱动电路通过负压关断避免了误导通的情况，并通过串扰抑制电路减小了负压尖峰。
一种具有抑制能力 sicmosfet 驱动电路

[发明专利]有机发光显示面板及其制备方法、显示装置-CN202110625799.3在审
发明人：李晓虎;王路;焦志强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该有机发光显示面板包括：基板；多个有机发光二极管，多个所述有机发光二极管位于所述基板上，且所述有机发光二极管具有第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层和空穴注入层；防串扰隔离电极，所述防串扰隔离电极位于相邻的两个所述有机发光二极管之间的间隔处，所述防串扰隔离电极被配置为连接固定电压，且所述防串扰隔离电极和所述第二电极之间的电压差，小于所述第一电极与所述第二电极之间的电压差。由此，可利用防串扰隔离电极降低由于空穴注入层等迁移率较高的膜层而导致的串扰问题。
有机发光显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]图像传感器像素之间串扰的消除方法及装置-CN202310296645.3在审
发明人：汪豪;胡涛;朱颖佳;李弘实;李效白 -专利权人：福建杰木科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器像素之间串扰的消除方法及装置。方法包括：建立图像传感器像素的实际图像函数与理想图像函数之间的串扰卷积数学模型，并预先基于卷积核获取正则滤波系数进而获取串扰系数并存储；获取图像传感器采集的实际图像函数；以及根据所述实际图像函数及所述串扰系数对所述串扰卷积数学模型进行卷积计算，获取消除了像素之间串扰的理想图像函数并输出。本发明通过建立串扰卷积数学模型，将像素之间的串扰问题转化为卷积问题，对于相同工艺条件的图像传感器，在不改变像素结构的情况下，可以使用相同的卷积核并通过正则滤波的方式消除像素之间的串扰，复原理想图像。
图像传感器像素之间消除方法装置

[发明专利]多视图图像显示设备及其控制方法-CN201410294958.6有效
发明人：白艾伦;罗麟鹤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H04N13/302 文献下载
摘要：所述设备包括串扰补偿器，被构造为通过使用对在多视图图像之间发生的串扰进行定义的串扰矩阵，来针对多视图图像补偿串扰；跟踪器，被构造为随着用户位置移动，跟踪用户脸部的位置；控制器，被构造为基于跟踪的用户脸部的位置，从多视图图像中确定将被设置为用于用户的左眼和右眼的图像的至少两个视图，并且控制串扰补偿器通过将预定权重施加到确定的至少两个视图来补偿串扰；以及显示器，被构造为显示串扰被补偿的多视图图像。
视图图像显示设备及其控制方法