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[发明专利]一种SIC压力敏感器件的制造方法-CN202211326212.X在审
发明人：李颖;任向阳;张治国;刘宏伟;祝永峰;贾文博;李永清;何方;李昌振;王卉如;钱薪竹;胡延丽 -专利权人：沈阳仪表科学研究院有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N30/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种SIC压力敏感器件的制造方法。所述敏感器件由敏感芯片和衬底玻璃封接而成。敏感芯片基体的器件层上，采用淀积金属掩膜、光刻、刻蚀工艺制作敏感电阻、封接区及连接区，敏感电阻连接后构成惠斯通电桥，敏感电阻和过渡层之间采用PN结隔离结构，有效的避免了芯片不稳现象；敏感芯片电极采用Ni‑Au金属复合电极，确保敏感芯片的稳定性；敏感膜片采用激光加工或精密机械加工方式制作；将完成全部平面工艺制作的敏感芯片和衬底玻璃依次进行化学液处理、有机溶剂超声辅助键合处理、等离子体处理、特定条件的静电封装等步骤，最终形成敏感器件。本方案有效解决了现有技术中无法达到SIC敏感器件实用化的技术要求的问题。
一种 sic 压力敏感器件制造方法

[发明专利]一种量化评估安全芯片安全性的方法及系统-CN201410856616.9有效
发明人：邵翠萍;李慧云;周剑彬;徐国卿;李大为;罗鹏 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院;国家密码管理局商用密码检测中心
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06F21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种量化评估安全芯片安全性的方法及系统，通过对待评估安全芯片进行错误注入攻击，以确定安全芯片在空间上的易受错误注入攻击的敏感点，再对敏感点进行错误注入攻击，确定每个敏感点易受错误注入攻击的敏感时间长度，之后确定安全芯片在时间、空间上的敏感区域其中n表示所述敏感点的个数，t(i)表示第i个敏感点的敏感时间长度，i为正整数，最后根据安全芯片的总面积、安全芯片完成一次加/解密所需要的总时间以及安全芯片在时间、空间上的敏感区域，对安全芯片的安全性进行量化评估。因此，根据本发明实施例的量化评估安全芯片安全性的方法及系统，能够在空间和时间上对安全芯片的安全性进行量化评估。
安全芯片量化评估敏感攻击敏感区域正整数解密评估

[实用新型]温压传感器-CN201922463033.0有效
发明人：刘晓令;兰之康 -专利权人：南京高华科技股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种温压传感器，包括壳体、进压件、温度敏感芯片、压力敏感芯片以及电路板组件；进压件设置有贯穿其厚度的进压孔，进压件与壳体沿其长度方向的第一端相连，且壳体与进压件之间形成收容空间，温度敏感芯片、压力敏感芯片以及电路板组件均收容于收容空间内；温度敏感芯片和压力敏感芯片均与进压件相接；电路板组件与进压件相接并与温度敏感芯片和压力敏感芯片相连，以接收并调制处理检测到的温度信号和压力信号。在有限的空间内实现对温度和压力同时测量，能够实现对介质隔绝不对传感器内部芯片有任何影响，并且通过将温度和压力敏感单元组合到一起，减少测量管路中信号传输线缆的使用量和通道的占用数量，提高整体的可靠性。
传感器

[实用新型]一种SOI压力传感器芯片-CN202223141146.7有效
发明人：黄炜;高国民;田开芳;周岚生;陈林玉;朱宁;牛孟霄 -专利权人：中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SOI压力传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片本体、固支边、敏感电阻、敏感电阻工艺膜、SOI片氧化层及弹性敏感膜，所述敏感电阻设置在所述SOI片氧化层上方，所述敏感电阻的外侧设置有敏感电阻工艺膜，所述弹性敏感膜的设置在所述SOI片氧化层的下方，所述芯片本体底部设置有腐蚀区域，所述腐蚀区域设置有PECVD应力匹配膜，所述腐蚀区域具有腐蚀斜坡，所述弹性敏感膜上端一侧与所述弹性敏感膜的一端形成敏感膜与固支边交接处，本申请中的敏感芯片正反方向对压力敏感的对称性很好，正面与背面应力相匹配。
一种 soi 压力传感器芯片

[发明专利]压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法-CN201410174497.9有效
发明人：王金文;王新亮;王长虹;陈信琦;吴亚林;方建雷;孙凤玲;万涛;李仁刚;马明宇;宋成君 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法，涉及一种压阻式压力传感器敏感芯片的封装方法。本发明是要解决现有的压阻式压力传感器封装敏感芯片的方法易使芯片从管座上脱离而发生故障的问题。方法：一、先在敏感芯片底面依次磁控溅射金属层；二、将敏感芯片、钎焊焊片、管座组件按从上到下依次叠放，敏感芯片的正面向上，钎焊焊片通过中间的孔穿过定位凸台，放置在敏感芯片与管座组件之间，然后采用低温钎焊技术，通过钎焊焊片将敏感芯片与管座组件固定连接。本发明采用低温钎焊技术，实现了硅压阻式压力传感器的敏感芯片与管座的刚性密封连接，从而提高了压阻式压力传感器负压测量时的可靠性和性能的稳定性。本发明用于压阻式压力传感器领域。
压阻式压力传感器敏感芯片气密性封装方法

[实用新型]绝压传感器封装结构-CN201220377049.5有效
发明人：李开明;李威;杨燕飞;高家好;何火锋;唐静庆 -专利权人：上海文襄汽车传感器有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝压传感器封装结构，包括印刷电路基板、压力敏感芯片、引线、支撑环和保护胶。压力敏感芯片置于该印刷电路基板上，引线连接该压力敏感芯片及该印刷电路基板。支撑环与该印刷电路基板结合并环绕该压力敏感芯片及该引线。保护胶在由该支撑环所环绕的空间内包覆该压力敏感芯片及该引线。该绝压传感器封装结构能够提高压力敏感芯片的精度，并能够小型化。
传感器封装结构

[实用新型]一种微差压压力传感器的封装结构-CN202221916936.5有效
发明人：唐川敏;袁宇鹏;张祖伟 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01L13/00 文献下载
摘要：该封装结构包括外壳、上盖、PCB电路板、压力敏感芯片和调理芯片；压力敏感芯片和调理芯片安装在PCB电路板的两侧；PCB电路板密封连接外壳内部隔板；压力敏感芯片底部的压力检测面正对PCB电路板的开孔，并与调理芯片所在的一侧内部连通；压力敏感芯片位于外壳内部隔板朝向上盖一侧，上盖底面与外壳凸槽密封连接，外壳前侧开设两个进气孔，分别与压力敏感芯片和调理芯片所在壳内空间连通。本实用新型进气孔分别与压力敏感芯片的两侧独立连通，能够实现差分测量；压力敏感芯片和调理芯片位于PCB电路板两侧，封装的面积更小；管脚与外壳的连接处受外壳保护更牢固。
一种压压传感器封装结构

[发明专利]一种单凸梁式微机械加速度传感器-CN201310271573.3无效
发明人：孙远程;袁明权;张茜梅;王海青;武蕊;屈明山 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：所述的传感器包括敏感芯片和下玻璃板；其中，敏感芯片含有框架、敏感凸梁、质量块及压敏电阻；其连接关系是，所述框架内设置有敏感凸梁，敏感凸梁一端与框架相连，另一端与质量块相连，敏感凸梁和质量块共同构成敏感芯片的可动部分；压敏电阻设置在敏感凸梁上表面：所述的敏感芯片与下玻璃板通过键合连接。所述的敏感芯片中敏感凸梁采用长度相等的上下两个矩形梁复合而成，上窄下宽。所述的敏感芯片中的可动部分与下玻璃板之间有间隙。
一种单凸梁式微机械加速度传感器

[实用新型]一种用于吸取芯片的吸嘴和芯片吸取装置-CN202221925349.2有效
发明人：刘长华;常贵连 -专利权人：地球山（苏州）微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于吸取芯片的吸嘴和芯片吸取装置，涉及半导体封装技术领域，以解决芯片吸取时敏感区域容易受压破坏的问题。所述用于吸取芯片的吸嘴，包括吸嘴本体，吸嘴本体内具有用于吸取芯片的气体通道，吸嘴本体的吸附端具有向内凹陷形成的避空槽以及将避空槽内部与吸嘴本体外部连通的通气孔，芯片包括敏感区和非敏感区；吸取芯片时，避空槽至少覆盖芯片的敏感区，气体通道用于吸取所述芯片的非敏感区，所述芯片吸取装置包括上述用于吸取芯片的吸嘴。
一种用于吸取芯片装置

[发明专利]一种真空封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法-CN202110985272.1有效
发明人：夏露;李玉玲;孙权;张强;陈宝成;郭宏伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种真空封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低和温度漂移，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安装在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作，硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的压力谐振器和温度谐振器差分实现自补偿测量。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
一种真空封装补偿谐振压力敏感芯片探头及其方法

[发明专利]一种真空封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法-CN202110984929.2有效
发明人：孙权;于洋;李玉玲;张鹏;刘志远;姜晓龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种真空封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安装在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
一种真空封装结构谐振压力敏感芯片探头及其方法

[发明专利]一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法-CN202110984930.5有效
发明人：于海超;王世宁;孙权;陈晓慧;姜晓龙;陈宝成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在密封管座的引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
一种真空封装结构谐振温度敏感芯片探头及其方法

[发明专利]电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质-CN202110284529.0有效
发明人：李鹏;田兵;吕前程;刘仲;骆柏锋;王志明;孙宏棣;尹旭;张佳明;赵继光;李立浧 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：电流传感器包括：第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片；第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片位于同一虚拟圆环上；第一单轴TMR芯片的磁敏感方向、第二单轴TMR芯片磁敏感方向和第三单轴TMR芯片磁敏感方向均垂直于虚拟圆环的半径；第一单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直于第二单轴TMR芯片的磁敏感方向；第二单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直于第三单轴TMR芯片的磁敏感方向；第一单轴TMR芯片、第二单轴TMR芯片和第三单轴TMR芯片均用于采集待测导线的磁感应强度；待测导线的磁感应强度用于计算待测导线的目标电流值。
电流传感器电流测量设备系统装置存储介质

[实用新型]一种恒温封装结构-CN201922249932.0有效
发明人：张超;周华;花竹和 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2019-12-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种恒温封装结构，它包括基板(1)，所述基板(1)上安装有热敏感芯片(2)与温度传感器(4),所述热敏感芯片(2)与基板(1)之间通过第一焊线(7)相连接,所述热敏感芯片(2)和温度传感器(4)上方罩置有加热堆(5)，所述加热堆(5)一侧设置有运算控制芯片(3),所述热敏感芯片(2)、温度传感器(4)、加热堆(5)和运算控制芯片(3)外包封有塑封料(6)。本实用新型一种恒温封装结构，它能够通过将加热堆、温度传感器与敏感芯片封装在一起，以达到控制敏感芯片合适工作温度的目的。
一种恒温封装结构

[发明专利]一种压力传感器及其封装方法-CN202010117838.4有效
发明人：赵一宇;刘宇鹏;张志彦 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01L1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种压力传感器及其封装方法，属于电子封装技术领域，解决了现有技术中传导形式的封装结构带来的封装工艺流程多，工艺要求高，且压力和敏感芯片的应变呈非线性的问题。本发明的压力传感器包括：封装上盖、敏感芯片和底座，封装上盖与敏感芯片接触，用于将外部压力传递到敏感芯片，底座上固定安装封装引脚，敏感芯片上设置至少两个芯片引脚，芯片引脚上设置凹槽，封装引脚卡合安装在芯片引脚的凹槽中本发明减少了封装流程，提高了封装效率，采用凹槽配合的方式固定敏感芯片，确保了敏感芯片在水平方向上的位置，同时减小了支撑点附近的应变不确定性，提高了传感器响应的一致性和灵敏度。
一种压力传感器及其封装方法

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