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[发明专利]防静电掩膜版原材、防静电掩膜版及其制备方法-CN201710106501.1在审
发明人：杜武兵;吕振群 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种防静电掩膜版原材、防静电掩膜版及其制备方法，所述防静电掩膜版原材包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。所述防静电掩膜版则包括玻璃基板以及在玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。本发明实施例提供的掩膜板原材通过在玻璃基板和铬膜之间设置导电金属膜，最终制得的掩膜版也带有所述导电金属膜，从而在使用所述掩膜版时，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。
静电掩膜版原材掩膜版及其制备方法

[实用新型]防静电掩膜版原材及防静电掩膜版-CN201720176072.0有效
发明人：杜武兵;吕振群 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种防静电掩膜版原材及防静电掩膜版，所述防静电掩膜版原材包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。所述防静电掩膜版则包括玻璃基板以及在玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。本实用新型实施例提供的掩膜板原材通过在玻璃基板和铬膜之间设置导电金属膜，最终制得的掩膜版也带有所述导电金属膜，从而在使用所述掩膜版时，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。
静电掩膜版原材掩膜版

[发明专利]一种金属掩膜版原材及加工工艺-CN202211553499.X在审
发明人：曾羽;闫西安;徐华伟;沈洵;夏金晓 -专利权人：浙江众凌科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C22C38/08 文献下载
摘要：本发明公开一种金属掩膜版原材及加工工艺，以质量％计，Si％0.01，Al％0.01，Mg％0.001，O％0.001，0.2Mn％0.4，35.5Ni％36.5，其余为Fe及不可避免的物质，且0.5≤Si％/Al％≤5，本发明通过控制金属掩膜版原材中硅铝比例以及相应氧化物的含量，使得氧化物数量大量减少，大尺寸氧化物大量减小，破孔相关不良率急剧降低。
一种金属掩膜版原材加工工艺

[发明专利]光掩膜版的缺陷识别方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211611313.1在审
发明人：杨刘标 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本申请公开了一种光掩膜版缺陷识别方法、装置、电子设备及存储介质，其中所述方法包括：对目标光掩膜版进行图案扫描，得到目标光掩膜版上各个目标区域的信号强度；其中所述目标光掩膜版上的图案是对原光掩膜版上的图案中对应于曝光单元的不同行或不同列的图案以不同的曝光能量进行曝光而得到；基于各个目标区域的信号强度，得到目标光掩膜版的缺陷信息；基于目标光掩膜版的缺陷信息，得到原光掩模版的缺陷信息。
光掩膜版缺陷识别方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种镀膜装置-CN201710249337.X有效
发明人：孙中元;薛金祥;刘文祺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀膜装置，该镀膜装置包括：成膜辊，成膜辊的外周面上包括一预定区域，柔性基板的当前待镀膜部位能够卷绕在预定区域处；靶材，靶材设置在成膜辊一侧，并与成膜辊的预定区域位置对应；掩膜版，设置在靶材与成膜辊之间，掩膜版为曲面掩膜版，其曲面曲度与成膜辊的预定区域处的曲面曲度相同，掩膜版上设有第二对位标记；复眼摄像机，用于获取掩模版的第二对位标记及柔性基板的第一对位标记的位置信息；以及，控制机构，用于根据复眼摄像机获取的所述位置信息，控制掩膜版移动，以将掩膜版与柔性基板进行对位。本发明所提供的镀膜装置可直接利用曲面掩膜版在柔性基板上沉积图形化的薄膜。
一种镀膜装置

[发明专利]一种高分子掩膜版及其制作方法和应用-CN201710713991.1有效
发明人：唐凡 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子掩膜版，包括承载基板以及依次叠层设置于承载基板上的牺牲层和掩膜；掩膜包括高分子膜层以及开设在高分子膜层上并贯穿高分子膜层的若干孔洞，高分子膜层中掺有磁性纳米颗粒。本发明还公开了上述高分子掩膜版的制作方法，包括步骤：S1、在承载基板上制作牺牲层；S2、在牺牲层上涂布掺有磁性纳米颗粒的高分子前驱体并固化成膜，形成高分子原膜；S3、利用光罩掩膜版采用激光扫描对高分子原膜上未被光罩掩膜版遮挡的区域进行烧蚀形成孔洞以形成掩膜，获得高分子掩膜版前驱体；S4、清洗并干燥高分子掩膜版前驱体后，弱化承载基板与掩膜之间的作用力，获得高分子掩膜版。本发明还公开了上述高分子掩膜版在制作OLED中的应用。
掩膜版高分子膜层承载基板掩膜牺牲层孔洞磁性纳米颗粒前驱体制作光罩原膜高分子前驱体固化成膜激光扫描叠层烧蚀遮挡清洗应用弱化贯穿

[发明专利]一种掩膜版设备工艺调试方法-CN201910049472.9有效
发明人：林伟 -专利权人：成都路维光电有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜版设备工艺调试方法，一块掩膜版原材均分为若干区域，每个区域上设置有十字架，将光刻设备、显影设备、蚀刻设备需要测试的图形分别设置在每个区域上的十字架上；对第一个区域内的图形进行曝光，通过显影、蚀刻、脱膜、清洗、测量工艺，得出光刻机的实际精度误差，根据测量误差调试设备参数；第一次测试完成后，将掩膜版原材进行清洗然后涂胶；偏移第二次曝光文件位置，进行第二次曝光，然后对第二个区域的图形进行测试；
一种掩膜版设备工艺调试方法

[发明专利]镀膜方法及镀膜装置-CN201910089377.1有效
发明人：郑建升 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种镀膜方法及镀膜装置，其中镀膜方法包括：准备一带电的掩膜版和一金属靶材；将基板放置在所述掩膜版和所述金属靶材之间；使所述金属靶材中的金属离子在电场力的作用下吸附在所述基板上，并形成膜层。本发明的步骤简单且易于操作，利用掩膜版与金属靶材之间的电场力，将金属靶材中的金属离子吸附在基板上形成所需的膜层，节省了涂布、曝光、显影、蚀刻以及剥膜等步骤，提高了基板的生产效率，节约了生产成本。
镀膜方法装置

[实用新型]掩膜版-CN202122718928.1有效
发明人：翟明;王莉莉;刘超;韩仕伟;冯莎;王静;贾明明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型提供的掩膜版，包括掩膜版本体，掩膜版本体包括层叠设置的胶材层和柔性基材层，掩膜版本体具有在厚度方向上贯穿掩膜版本体的至少一个镂空图案；离型膜，位于胶材层远离柔性基材层的一侧；补强膜，位于柔性基材层远离胶材层的一侧
掩膜版

[发明专利]一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法-CN202111040767.3在审
发明人：李由根;李娜;萧训山;刘丹;吴婷 -专利权人：东莞市宏诚光学制品有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法，其中，该高精度双面蓝光掩膜基版从上至下依次包括：铬氮氧化物超低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物低反射膜层以及玻璃基片。该高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法主要为提供一个Cr靶材，通过通入气体以形成所需的膜层，在镀膜靶向及行车方向均匀性良好，经过实际检测可得出：使得该高精度双面蓝光掩膜基版的均匀性达到小于或者等于2％。
一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法

[实用新型]一种基于回收处理的再生光刻掩膜版-CN202122610680.7有效
发明人：王峰;赵海琴 -专利权人：美可隆半导体（苏州）有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于回收处理的再生光刻掩膜版，包括报废的光刻掩膜版，所述报废的光刻掩膜版经过回收处理后得到基板，所述回收处理后得到的基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面的粗糙度≤0.5nm，所述第一表面或第二表面上设置有透明补偿层，所述基板与透明补偿层的总厚度为原始基板厚度，所述透明补偿层上设置铬层，所述铬层包含转印图案，得到再生光刻掩膜版。制作简单，得到的再生光刻掩膜版与原掩膜版性能基本相同，即维持掩膜版在紫外曝光过程中的光路路径不变，有利于稳定光刻工艺制程，减少生产缺陷。并且可以对资源进行再利用，可以大大降低制造成本。
一种基于回收处理再生光刻掩膜版

[实用新型]一种IC用掩膜版半自动滴胶装置-CN202220349160.7有效
发明人：林超;林伟 -专利权人：成都路维光电有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体掩膜版制造技术领域，公开了一种IC用掩膜版半自动滴胶装置，包括：光刻胶瓶体，所述光刻胶瓶体用于盛放光刻胶；过滤组件，用于对所述光刻胶里的大颗粒杂质进行过滤，所述过滤组件的输入口与所述光刻胶瓶体通过出液管连通本实用新型在光刻胶瓶体的后端增加了过滤机构，将光刻胶原材中超过规格的大颗粒杂质过滤掉，避免原材带来的缺陷。
一种 ic 用掩膜版半自动装置

[实用新型]一种掩膜版刻蚀用防卡板治具-CN202123341660.0有效
发明人：段雪波;郑庆靓;李哲;周俊吉 -专利权人：成都拓维高科光电科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版刻蚀用防卡板治具，属于掩膜版技术领域，其可至少部分解决现有技术中掩膜版在传动过程中，由于片材较薄，容易被卡在滚轮缝隙中的问题，本实用新型实施例的一种掩膜版刻蚀用防卡板治具，包括防止片材卡入滚轮缝隙的防卡板结构，防卡板结构沿片材的运送方向位于片材的前端位置，防卡板结构包括引导部和用于放置片材的延伸部，引导部与延伸部固定连接，引导部和延伸部的宽度之和大于任意两个滚轮之间的间隙宽度。
一种版刻蚀用防卡板治具

[发明专利]一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法-CN202111040770.5在审
发明人：李由根;李娜;萧训山;刘丹;吴婷 -专利权人：东莞市宏诚光学制品有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法主要为提供一个Cr靶材，通过通入气体以形成所需的膜层，经过实际检测可得出：使得该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版具有高精度的光学物性，且该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的靶向及行车方向均达到高均匀性
一种精密微米封装级光掩膜基版及其生产方法

[发明专利]一种新型金属掩膜版的制造方法-CN202310452929.7在审
发明人：蔡宗宏;倪惠敏 -专利权人：黄石全洋光电科技有限公司;全洋（上海）材料科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及金属掩膜版技术领域，提出了一种新型金属掩膜版的制造方法，利用熔炼或粉末冶金合成的方式来制备非晶质合金靶胚，将金属靶胚利用焊合方式制成非晶质合金靶材后，放入PVD设备中，并在金属掩膜版表面沉积非晶质合金膜层，在沉积了非晶质合金膜层之后，利用含非晶质合金镀膜膜层的金属掩膜版，放在PECVD设备进行SiOx、SiNx、SiNOx等生产工艺，在SiOx、SiNx、SiNOx等镀膜沉积后，PECVD设备系统利用NF3、SF6、Cl2等气体进行等离子体清洗，利用等离子体清洗工艺来完成系统及金属掩膜版附着薄膜的清洗，使得附着有非晶质合金膜层镀膜保护层的金属掩膜版在腐蚀性的等离子体清洗工艺中，具有一定的耐腐蚀性。
一种新型金属掩膜版制造方法

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