“掩模占宽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果253023个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法-CN201810156245.1有效
发明人：郑衍畅;胡华奎;王海;杨春来 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明适用于光栅加工技术领域，提供了一种增大光刻胶光栅掩模占宽比的加工方法，包括如下步骤：将带有光刻胶光栅掩模的基底放置于加热平台上；在光栅掩模的表面加盖PDMS垫片，并进行预热；用圆棒在PDMS垫片上朝着光栅条的延伸方向单向滚压，直至PDMS垫片与光栅掩模完全接触；在PDMS垫片上依次加盖薄纸片及玻璃基片；从上到下对玻璃基片施加载荷，对光栅基底进行加热；对光栅进行冷却，冷却至光刻胶的玻璃化转变温度以下，依次卸除载荷、玻璃基片及薄纸片；揭开PDMS垫片的一端，缓慢的揭掉整个PDMS垫片，获得占宽比增大的光刻胶光栅掩模。通过上述加工方法获取的光栅掩模占宽比明显增大的同时，光栅掩模线条粗细均匀，且光栅掩模线条表面平整，侧壁陡直。
一种增大光刻光栅掩模占宽加工方法

[发明专利]用于印刷具有变化的占宽比的周期性图案的方法和装置-CN202080039223.2在审
发明人： F·克鲁贝;A·阿姆雷因;M·勒布格勒;H·索拉克;L·王 -专利权人：尤利塔股份公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种用于在光刻胶层中形成具有期望的占宽比的空间变化的表面浮雕光栅的方法，该方法包括：提供带有线性特征的高分辨率光栅（32）的第一掩模（31），将所述第一掩模布置在距衬底（33）第一距离处，提供带有具有设计的占宽比的空间变化的不透明和透明线性特征的可变透射光栅（27）的第二掩模（28），将所述第二掩模布置在第一掩模之前的一定距离处，使得可变透射光栅的线性特征与高分辨率光栅的线性特征正交，照射第二掩模，同时根据位移Talbot光刻法改变第一距离，并且还将第二掩模相对于其线性特征以一定角度位移
用于印刷具有变化周期性图案方法装置

[发明专利]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法-CN200810023121.2有效
发明人：刘全;吴建宏;杨卫鹏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
一种全息离子束刻蚀制备光栅方法

[发明专利]248纳米波段的零级抑制相位掩模-CN200810023116.1有效
发明人：刘全;吴建宏;胡祖元;陈新荣;李朝明 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种248纳米波段的零级抑制相位掩模，主要由石英基片以及设置在石英基片一侧表面的槽形结构的光栅构成，其特征在于：所述相位掩模的光栅周期为1050nm～1090nm，槽形深度为240～260nm，所述光栅的每一凸起结构的截面形状为上窄下宽的梯形，梯形的顶部占宽比为0.40～0.46，梯形角为5～13度。本发明的相位掩模，实现了透射248纳米波段激光的零级抑制，相位掩模的零级透过率可以被抑制在2％以内；±1级透射衍射效率高于36％，且与入射光的偏振状态无关。
248 纳米波段抑制相位

[发明专利]抑制垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法-CN201710407545.8有效
发明人：刘颖;林达奎;陈火耀;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法，属于一种衍射光栅的制备技术领域，即在近场全息曝光时，通过在垂直于光栅矢量方向上的微位移抑制位相掩模初始的垂直于光栅矢量方向的次生干扰图形，降低制作光栅的杂散光水平、并提高光栅的占宽比均匀性。
抑制位相垂直光栅矢量方向次生干扰近场全息动态曝光方法

[发明专利]一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法-CN200810156859.6无效
发明人：陈新荣;吴建宏;李朝明 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量光刻胶掩模槽形结构参数的方法，其特征在于：采用TE/TM线偏振光为入射光，入射角为被测掩模的闪耀角，分别测量标准反射片的反射光的光谱分布D₀(λ)；被测掩模的反射衍射零级复色光的光谱分布D(λ)；采用比较法，计算出介质膜光栅掩模实际的反射衍射零级的光谱分布R_g(λ)，对其进行光谱反演，得到掩模的槽形参数：光刻胶的剩余厚度、槽深和占宽比。本发明实现了对于面积、重量均较大的待测掩模的槽形参数的无损检测；且可以避免测量系统的误差，对光谱仪测量系统以及光源没有特别要求，测量方法简单易行。
一种测量光刻胶掩模槽形结构参数方法

[发明专利]一种凸面闪耀光栅制作方法-CN201210035381.8无效
发明人：刘全;吴建宏;陈明辉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明是一种凸面闪耀光栅的制作方法，通过先在凸面基片上制作同质光栅，以该同质光栅为掩模，进行球面转动斜向离子束刻蚀得到所需的闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外在干涉光刻得到光刻胶光栅之后，可以进一步增加灰化工艺，控制光刻胶光栅的占宽比，从而控制所需的同质光栅的占宽比，因此本发明的制作方法实现了制作闪耀光栅的多参数控制
一种凸面闪耀光栅制作方法

[发明专利]一种全息闪耀光栅制作方法-CN201110318454.X无效
发明人：刘全;吴建宏;陈明辉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明是一种全息闪耀光栅的制作方法，通过先在基片上制作同质光栅，以该同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外在干涉光刻得到光刻胶光栅之后，可以进一步增加灰化工艺，控制光刻胶光栅的占宽比，从而控制所需的同质光栅的占宽比，因此本发明的制作方法实现了制作闪耀光栅的多参数控制
一种全息闪耀光栅制作方法

[发明专利]一种基于深度学习的计算新冠肺炎病变区域占比的方法-CN202010531416.1在审
发明人：梁廷波;盛吉芳;吴炜 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习的计算新冠肺炎病变区域占比的方法，属于肺测量技术领域，包括包括以下步骤：对原始CT图像集进行归一化处理，以适应深度学习模型的数据输入；将训练集中CT图像数据分别输入到2DUnet和2.5DUnet两种网络学习模型中，预测出肺部病变区域的二值掩模和肺部整个区域的二值掩模；计算训练集预测的二值掩模与真实标签掩模之间的相似性，选取最优网络学习模型；使用最优网络学习模型对训练集中的CT图像进行肺部病变区域掩模和肺部整个区域掩模的预测，并计算出病变区域掩模和整个区域掩模之间的占比。本发明利用深度学习技术，自动分割出肺部病变区域和整个肺的有效掩模，从而快速准确的计算出病变区域的体积占比。
一种基于深度学习计算肺炎病变区域方法

[发明专利]后栅工艺中假栅的制造方法-CN201110433706.3有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;赵玉印;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层，其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层；采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。
工艺中假栅制造方法

[发明专利]一种凸面双闪耀光栅的制备方法-CN201210035270.7无效
发明人：刘全;吴建宏;胡祖元 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明是一种凸面双闪耀光栅的制备方法，所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，通过先在基片上制备A、B两种同质光栅，以该两种同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的A、B闪耀光栅。由于在制备同质光栅时，可以通过控制正向离子束刻蚀的时间以及增加灰化工艺，使同质光栅的占宽比、槽深和槽型得到精确控制，另外由于同质光栅掩模和基片是同一种材质形成，两者的刻蚀速率始终保持一致，因此可以实现闪耀角的精确控制
一种凸面闪耀光栅制备方法

[发明专利]一种全息双闪耀光栅的制作方法-CN201110318711.X无效
发明人：刘全;吴建宏;陈明辉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明是一种全息双闪耀光栅的制作方法，所述全息双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，通过先在基片上制作A、B两种同质光栅，以该两种同质光栅为掩模，进行斜向离子束刻蚀得到所需的A、B闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以通过控制正向离子束刻蚀的时间以及增加灰化工艺，使同质光栅的占宽比、槽深和槽型得到精确控制，另外由于同质光栅掩模和基片是同一种材质形成，两者的刻蚀速率始终保持一致，因此可以实现闪耀角的精确控制
一种全息闪耀光栅制作方法

[发明专利]后栅工艺中假栅的制造方法-CN201110257658.7有效
发明人：杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层；刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。
工艺中假栅制造方法

[发明专利]晶体管制造中的集成的纳米线及纳米带图案化-CN201780093313.8在审
发明人： L·P·古勒尔;B·古哈;M·阿姆斯特朗;T·加尼;W·许 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：基于专门的窄掩模结构的光刻图案化来制作窄结构和宽结构。可以采用多重图案化来限定窄掩模结构。可以通过对多个窄掩模结构的基于工艺的合并而获得宽掩模结构。可以基于窄掩模结构和残留的帽盖材料的加和将窄结构和宽结构蚀刻到下层当中。插塞图案可以进一步掩蔽帽盖层的未完全填满相邻的掩模结构之间的空间的部分。之后，可以基于窄掩模结构、插塞图案和残留的帽盖材料的加和对下层进行蚀刻。这样的方法可以用于对集成电路(IC)中的纳米带晶体管与纳米线晶体管进行集成。
晶体管制造中的集成纳米图案

[发明专利]基于视频检测的室内占道检测方法、设备、介质及处理器-CN201811503554.8有效
发明人：彭力;张超溢;李稳 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于视频检测的室内占道检测方法。本发明一种基于视频检测的室内占道检测方法，包括：目标区域掩模制作，目标区域与背景分割，混合高斯背景建模，滑动窗口检测融合，形态学处理，室内占道检测。目标区域掩模制作用于得到待检测区域的二值图像；目标区域与背景分割用于待检测区域与背景进行分割；混合高斯背景建模用于提取待检测区域的二值图像；滑动窗口检测融合用于提取潜在占道物体的粗轮廓；形态学处理用于去除噪声，得到更加完整的占道物体的轮廓；室内占道检测用于检测目标区域是否有占道物体。
基于视频检测室内方法设备介质处理器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条