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[发明专利]显示设备的阵列基板及其制造方法-CN201010208722.8有效
发明人：崔熙东;徐诚模 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种用于显示设备的阵列基板包括：位于基板上的栅极；栅绝缘层；有源层；位于所述基板的表面上的层间绝缘层，并且所述层间绝缘层包括第一有源接触孔和第二有源接触孔；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；位于所述第一欧姆接触层上的源极；位于所述第二欧姆接触层上的漏极；数据线，其位于所述层间绝缘层上并且连接到所述源极；位于所述层间绝缘层的表面上的第一钝化层；选通线，其位于所述第一钝化层上并通过所述第一栅接触孔接触所述栅极；位于所述第一钝化层的表面上的第二钝化层；以及像素电极，其位于所述第二钝化层上并通过所述漏接触孔接触所述漏极。
显示设备阵列及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201510086621.0有效
发明人：张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，并依次蚀刻层间介电层和接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在接触孔的侧壁和底部形成阻挡层，并在接触孔中形成接触塞；回蚀刻接触塞和阻挡层，使接触塞的顶部低于层间介电层的顶部；平坦化层间介电层，使层间介电层的顶部与接触塞的顶部平齐或者低于接触塞的顶部根据本发明，形成接触塞时，可以避免在层间介电层的上部出现凹坑缺陷，提高器件良率。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种双通道宽光谱探测器及其制备方法-CN201610518156.8有效
发明人：韩玺;徐应强;王国伟;向伟;郝宏玥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测
一种双通道光谱探测器及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法-CN201610141481.7在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板及设置在基板同侧的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、沟道层、第一、第二欧姆接触层、钝化层及像素电极，栅极设置在基板的表面，栅极绝缘层覆盖栅极，源极、漏极、沟道层、第一及第二欧姆接触层设置在栅极绝缘层上，源极与漏极间隔设置，沟道层设置在源极与漏极之间且沟道层对应栅极设置，第一欧姆接触层设置在源极与沟道层之间且第一欧姆接触层相对的两端分别与源极及沟道层接触，第二欧姆接触层设置在漏极与沟道层之间且第二欧姆接触层相对的两端分别与漏极及沟道层接触，第一欧姆接触层、第二欧姆接触层及沟道层位于同一层，其中，沟道层为金属氧化物层。
薄膜晶体管液晶显示面板制备方法

[发明专利]降低接触孔接触电阻的结构及其制造方法-CN202310631053.2在审
发明人：施江;李刚;张亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低接触孔接触电阻的结构，包括衬底，衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源、漏区，在衬底上形成有覆盖栅极结构的层间介质层结构，在层间介质层结构上形成与源、漏区连通的接触孔；接触孔的底部形成有NiSi层，NiSi层上形成有TiSi层；接触孔的侧壁形成有依次堆叠的Ti层、第二氮化钛层、第三氮化钛层；接触孔中形成有导电金属层。本发明在接触孔底部形成NiSi层、TiSi层双层结构降低接触电阻，提升器件性能。
降低接触电阻结构及其制造方法

[发明专利]电动机的转子及其制造方法、以及在该制造方法中使用的片材的制造方法-CN202210514316.7在审
发明人：武岛健太 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02K1/274 文献下载
摘要：片材具有：与孔的内面接触的第一接触层；与磁铁的侧面接触的第二接触层；位于第一接触层与第二接触层之间，并且具有多孔结构的主体层。主体层具有与第一接触层及第二接触层中的至少一方相比而较高的空隙率。在此，第一接触层及第二接触层各自可以具有多孔结构，也可以不具有多孔结构。即，第一接触层和第二接触层中的至少一方也可以为，空隙率为零。
电动机转子及其制造方法以及使用

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110053301.7有效
发明人：尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，所述第一接触层与第二接触层扩散系数相同时，所述第一接触层的厚度小于所述第二接触层的厚度；所述第一接触层与第二接触层扩散系数不同时，所述第一接触层的扩散系数小于第二接触层的扩散系数。利于减少接触层中的相应成分向沟道区扩散，利于减少短沟道效应及提高半导体结构的可靠性。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置-CN202110152297.3在审
发明人：杨维;袁广才;宁策;卢鑫泓;周天民 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成所述第一有源层；在第一有源层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二有源层；在第二有源层上形成第二绝缘层，第二有源层的刻蚀选择比大于第一绝缘层的刻蚀选择比；同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，第一电极部分位于第一接触孔内且与第一有源层接触，第二电极部分位于第二接触孔内且与第一有源层接触；第三电极部分位于第三接触孔内且与第二有源层接触，第四电极部分位于第四接触孔内且与第二有源层接触；形成显示膜层。
显示及其制备方法面板显示装置

[发明专利]接触插塞结构、半导体结构及其制备方法-CN202110785317.0在审
发明人：穆克军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触插塞结构、半导体结构及其制备方法，包括；提供衬底；于衬底的上表面形成介质层；形成接触孔，接触孔贯穿介质层，并延伸至衬底内；接触孔位于介质层内的部分记为第一部分，接触孔延伸至衬底内的部分记为第二部分；于接触孔的侧壁形成保护层；于接触孔的底部形成阻挡层，阻挡层完全覆盖接触孔的底部；阻挡层与保护层的刻蚀选择比小于1；去除保护层；于第二部分的侧壁形成金属硅化物层；于接触孔内形成导电层，导电层位于阻挡层上，且填满接触孔。该接触插塞结构、半导体结构及其制备方法通过形成阻挡层，将金属硅化物层与衬底分隔开，避免了由于接触孔的底部形成金属硅化物而导致的结漏电流。
接触结构半导体及其制备方法

[发明专利]太阳能电池的正面接触层及其制造方法-CN201410181542.3有效
发明人：陈世伟 -专利权人：台积太阳能股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池具有位于衬底上方的背面接触层；位于背面接触层上方的吸收层，吸收层具有延伸穿过该吸收层的划线；以及位于吸收层上方的正面接触层。正面接触层具有第一端和与该第一端相对的第二端。与第一端相比，第二端更接近划线，并且正面接触层在划线之上的厚度大于正面接触层在第一端处的厚度。本发明还包括太阳能电池的正面接触层及其制造方法。
太阳能电池正面接触及其制造方法

[发明专利]降低单元接触缺陷的制造方法及半导体存储器-CN201810507152.9在审
发明人：吴小飞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明揭示一种降低单元接触缺陷的制造方法及半导体存储器，方法包括提供衬底，并在衬底上的位线结构、有源区和浅沟槽隔离结构的表面上沉积形成第一接触层，第一接触层在相邻位线结构之间形成第一凹槽；在第一接触层上沉积形成第二接触层，第二接触层在所述第一凹槽处形成第二凹槽；去除位线结构顶部和第二凹槽底部的第二接触层，露出第一接触层；过度刻蚀第一接触层，以露出位线结构和浅沟槽隔离结构的顶部，并在第二凹槽中填充接触间隔材料，以间隔单元接触；半导体存储器包括上述方法制备的单元接触。本发明的第二接触层用作保护层，以使在过度刻蚀第一接触层时，减少对浅沟槽隔离结构两侧硅的刻蚀，减少单元接触的缺陷。
接触层浅沟槽隔离结构位线结构半导体存储器单元接触过度刻蚀衬底沉积间隔材料间隔单元降低单元相邻位线凹槽处保护层刻蚀去除源区制备填充制造

[实用新型]一种LED芯片及LED-CN201320534887.3有效
发明人：刘晶;叶国光 -专利权人：刘晶
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种LED芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。
一种 led 芯片

[发明专利]伤口敷料-CN201980021156.9在审
发明人：柯尔斯顿·德代尔;马克·波伦巴;安德烈亚斯·沃尔根巴赫;马克·桑德霍夫 -专利权人： LR国际有限责任及两合公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括载体层和固定于载体层的吸收性伤口接触层的伤口敷料，其具有通过间隙彼此相隔的伤口接触表面，在所述间隙中伤口接触层与伤口无接触，所述伤口接触层被设计为整体具有吸收性，伤口接触表面通过伤口接触层的连接区域彼此连接
伤口敷料

[实用新型]一种Mini LED芯片-CN202122403609.1有效
发明人：吴永胜;郑高林;张帆 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Mini LED芯片，在GaN基底在上表面的一侧依次设置有P型欧姆接触金属层、P型欧姆接触研磨截止层和P型焊接金属层，GaN基底在上表面的另一侧依次设置有N型欧姆接触金属层、N型欧姆接触研磨截止层和N型焊接金属层，使用研磨截止层能够保护欧姆接触金属层；P型欧姆接触研磨截止层靠近P型焊接金属层的一侧和N型欧姆接触研磨截止层靠近N型焊接金属层的一侧均具有平坦化表面，因此由于欧姆接触研磨截止层的表面是平整的，焊接金属层能与欧姆接触层形成良好的电接触，固晶时能够尽可能地减少空洞率，从而增强了芯片固晶的强度。
一种 mini led 芯片

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210046444.3在审
发明人：郭帅 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，在衬底上形成叠层结构，叠层结构包括交替叠置的初始栅间介质层及第一牺牲层，初始栅间介质层包括第二牺牲层，叠层结构中形成有沟道槽；形成沟道结构，沟道结构包括沟道层；去除第一牺牲层，在第一牺牲层被去除的位置形成栅极导电层；去除第二牺牲层形成气隙层；形成沟道接触结构，沟道接触结构覆盖于沟道层的顶面，沟道接触结构和沟道层形成半金属‑半导体接触在本公开中，沟道接触结构和沟道层形成金属‑半导体接触结构，沟道接触结构和沟道层的接触电阻小，沟道接触结构和沟道层之间流动的载流子密度高，从而提高了沟道电流。
半导体结构制作方法

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