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[发明专利]一种新型蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层-CN201911402230.X有效
发明人：刘双韬;赵德刚;朱建军;杨静;江德生;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层，其中，该方法包括：对蓝宝石衬底进行高温成核处理，在蓝宝石衬底上形成GaN成核中心；在所述含有GaN成核中心的蓝宝石衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层进行升温退火，形成具有成核岛的缓冲层；在所述具有成核岛的缓冲层上生长GaN外延层，得到蓝宝石上的GaN外延层。本发明通过利用在高温表面处理过程中通入高温成核源，使得在样品表面形成高温成核点，然后再生长低温缓冲层能够获得高质量的GaN外延层，其位错密度可远低于常规的两步法生长，并且使用该方法生长可以降低反应室残留对生长的影响
一种新型蓝宝石生长 gan 外延方法

[发明专利]具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法-CN02825681.6无效
发明人： M·S·卢西亚诺;J·L·利伯特;R·J·菲利普斯;M·库尔卡尼;M·巴南;S·J·布伦克霍斯特 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-12-23 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：具体地说，在形成氧沉淀物之前，晶片主体包括掺杂剂稳定的氧沉淀物成核中心。掺杂剂选自氮和碳，并且掺杂剂的浓度足够使氧沉淀物成核中心能承受热处理如一种外延淀积法，而同时保持溶解任何生长中成核中心的能力。
具有稳定沉淀物成核中心理想沉淀硅片及其制造方法

[发明专利]一种原位成核聚丙烯及其制备方法-CN202210550918.8在审
发明人：郑伟平;丁其维;石敏;刘璐;袁文博;赵永臣;王耀伟;栾波;马韵升 -专利权人：山东京博石油化工有限公司;黄河三角洲京博化工研究院有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C08F210/06 文献下载
摘要：本发明提供一种原位成核聚丙烯及其制备方法，将含钛主催化剂、助催化剂、成核剂单体加入反应釜内，再加入溶剂，反应，得到负载聚合物成核剂的催化剂；将助催化剂、外给电子体和负载聚合物成核剂的催化剂混合，通入气相丙烯，进行丙烯淤浆预聚合；预聚合结束后分离溶剂，再通液相丙烯和氢气进行本体聚合，得到原位成核聚丙烯。该方法一步法制备聚合物成核剂后，直接通入气相丙烯进行淤浆预聚合，使催化剂最大程度释放活性中心以提高其在本体聚合中的催化活性，含低浓度聚合物成核剂的原位成核聚丙烯呈现出较高结晶温度和结晶度。原位成核聚丙烯的结晶温度高于128℃，结晶度大于55％；原位成核聚丙烯中聚合物成核剂的浓度为20～30ppm。
一种原位成核聚丙烯及其制备方法

[发明专利]精密控制硅中氧的沉淀-CN96100507.6无效
发明人：Ｒ·法尔斯特 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-03-13 - 公布日： 2001-02-07 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：控制单晶硅中氧沉淀物成核中心密度的工艺。该工艺中，为了在单晶硅中形成氧沉淀物成核中心，在至少约３５０℃的温度下对单晶硅退火。当通过在不超过约１１５０℃的某一温度下对硅进行热处理能够溶解氧沉淀成核中心时，结束退火。$#!
精密控制硅中氧沉淀

[发明专利]气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法-CN200610097955.9无效
发明人：余林蔚;陈坤基;李伟;徐骏;黄信凡;宋捷;李雪飞;马忠元;徐岭 -专利权人：南京大学
申请日： 2006-11-23 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H₂)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH₄+H₂)和纯氢气(H₂)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×10⁸/cm²，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。
组装生长子环纳米结构制备方法

[发明专利]高β晶含量的PP-RCT专用料和管材及它们的制备方法-CN202111521114.7有效
发明人：江焕峰;吴波;郑贤;周杨;许文杰;郑德;任颜卫;冷海强;黄玉松 -专利权人：华南理工大学;广东炜林纳新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C08L23/14 文献下载
摘要：PP‑RCT专用料制备方法包括改性β成核剂母粒的制备步骤和PP‑RCT专用料的制备步骤。所述改性β成核剂母粒包括WT处理剂和β成核剂。所述β成核剂为对苯芳香酰胺酸金属盐的一种；含有酰胺基官能团和羧酸基官能团；所述WT处理剂为含有多个金属酸酯基焦磷酸根的中心金属原子、以及多个轻稀土元素活性中心的表面活性剂，所述中心金属原子为Ti、Al或
含量 pp rct 专用管材它们制备方法

[发明专利]一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法-CN201910374009.1在审
发明人：杨祥龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波;于国建 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大，因此，对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低，对应生长组分浓度高、过饱和度大，当其过饱和达到临界过饱和度时，便开始成核，而籽晶表面其他区域温度相对较高，还达不到临界过饱和度，无法自发成核。这样，便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长，建立起中心晶核优势，进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场，减少了成核数量，提高了SiC晶体质量。
一种籽晶碳化硅生长方法

[实用新型]一种籽晶托-CN201920647584.X有效
发明人：杨祥龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波;于国建 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种籽晶托，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大，因此，对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低，对应生长组分浓度高、过饱和度大，当其过饱和达到临界过饱和度时，便开始成核，而籽晶表面其他区域温度相对较高，还达不到临界过饱和度，无法自发成核。这样，便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长，建立起中心晶核优势，进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场，减少了成核数量，提高了SiC晶体质量。
籽晶托中心区域导热层籽晶表面热导率基底临界过饱和度成核籽晶碳化硅单晶单晶生长过饱和度自发成核生长石墨过饱和晶核晶托温场粘结种籽调制申请

[发明专利]用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法-CN200610088944.4无效
发明人：王保柱;王晓亮;王晓燕;王新华;肖红领;王军喜;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，为生长InAlGaN提供与衬底相同取向的成核中心；5)降低衬底的温度；6)在成核层上生长InAlGaN层。
mbe 外延 inalgan 薄膜方法

[发明专利]一种预成核超音速涡流管天然气脱水方法-CN201010115527.0有效
发明人：计维安;高晓根;黄黎明;常宏岗;宋彬;温冬云;熊钢 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B01D53/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种预成核超音速涡流管天然气脱水方法；原料气进入原料气分离器和原料气过滤分离器脱除大颗粒，降温经精细过滤器除去细小固体颗粒进入预成核超音速涡流管，从成核剂入口加入成核剂或从成核剂出口排除成核剂，通过聚结成核器形成适合的粒径，在涡流发生器产生涡流旋转后再经拉伐尔喷管加速降温；在离心力的作用下进入分液腔，经冷凝液出口进入气液分离器；管中心气流通过整流器消除涡流后由干气出口与气液分离器分出的气体混合进入气气换热器与原料气换热升温后外输，原料气分离器、原料气过滤分离器和气液分离器分离的水进入水储罐外排；含水天然气通过预成核超音速涡流管天然气脱水工艺处理后，水露点达到-5℃，满足外输的要求。
一种成核超音速涡流天然气脱水方法

[发明专利]超临界CO₂制备结晶聚丙烯的方法-CN200310107986.4无效
发明人：曹贵平;刘涛;赵玲;许志美;朱中南;袁渭康 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：包括如下步骤：将成核剂和聚丙烯在高压或超临界CO₂状态下进行溶胀增塑聚合物，即获得本发明的聚丙烯。本发明的方法所获得的结晶聚丙烯的结晶度提高10～14％，透明性提高，制备方法较为简单可靠，由于成核剂是先溶解于高压或超临界CO₂中，然后以分子状态渗透到聚丙烯的基体中，由于成核剂的极性大于聚丙烯，因此成核剂在聚丙烯基体中聚集，并以纳米粒子均匀分散于聚丙烯中，在聚丙烯熔融降温结晶过程中，以纳米粒子分散的成核剂作为成核中心，引导聚丙烯结晶，可以改善聚丙烯的晶型，提高聚丙烯的结晶度，改善聚丙烯的透明性，克服了现有技术存在的成核剂分散粒度大，分布不均匀，用量大，成核效果差缺陷。
临界 co sub 制备结晶聚丙烯方法

[发明专利]一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法-CN201510735787.0在审
发明人：李雪松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于薄膜的大面积单晶的合成，具体为一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法，该装置包括CVD反应室、反应气体管理系统、排气管理系统及热源；所述CVD反应室顶部设置有反应气体入口管、底部设置有排气管，反应气体管理系统连接入口管、排气管理系统连接排气管，其特征在于，所述CVD反应室底部还设有基板支撑、顶部还设有成核控制器，所述成核控制器连接入口管、悬挂于基板支撑上方，成核控制器由一石英管与一石英盘焊接构成，所述石英管连接反应气体入口管，所述石英盘中心处开设有成核孔。本发明采用特有的成核控制器的设计，能够准确的控制石墨烯的成核位置及数量，从而制备大面积的石墨烯单晶。
一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶装置方法

[发明专利]一种异位成核的双层MoS2-CN202210992813.8在审
发明人：周喻;李成;范秀莲;邹路玮 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
一种成核双层 mos base sub

[发明专利]一种晶硅铸锭炉热场热门控制装置及其控制方法-CN201110336968.8无效
发明人：刘芝;徐芳华;赵波;卢雪梅 -专利权人：杭州精功机电研究所有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用中心对称开合的晶硅铸锭炉热场热门控制装置。现有的热场热门控制方法中，有的初期辐射量过大会极大影响成核质量，并且增加额外的能耗；有的后期辐射量不足导致晶体生长连续性不好并且生长速度缓慢；有的散热通道的不均匀对称性也会对晶体成核及生长造成不利的影响本发明包括绝热笼、置于绝热笼内的加热器和热交换台，绝热笼的下方设有内部通冷却水的冷板，其特征在于所述的冷板与绝热笼底部之间设有其中心形成的开口能以中心对称的方式逐渐向四周打开或向中心闭合的隔热板组件。本发明结合中心对称开合法，既能保持低能耗的晶体生长，同时又能充分利用散热面积，还能够有效控制晶体初期成核和稳步定向生长。
一种铸锭炉热场热门控制装置及其方法

[发明专利]氧沉积成核中心的分布受控的硅晶片的制备方法-CN98809399.5无效
发明人：罗伯特·福斯特 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-09-02 - 公布日： 2000-10-25 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种制备氧沉积成核中心不均匀分布的硅晶片的方法。通过以在一定时间周期内在晶片的厚度方向产生温度梯度的方式加热晶片,制备氧沉积成核中心的分布受控的硅晶片。
沉积成核中心分布受控晶片制备方法

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