专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]新型内燃机车速装置-CN201410263149.9无效
  • 侯晓燕;尹亚玲;郑蓉芬 - 南车戚墅堰机车有限公司
  • 2014-06-14 - 2014-09-10 - B61C17/12
  • 本发明涉及一种速装置,尤其是新型内燃机车速装置。速装置主机与I端显示器和II端显示器相连,速装置主机通过XKJ继电器与机车上CF测速发电机相连。XKJ继电器一侧开关一端与原电路相连,另一端与PWM脉冲宽度调节器相连,速装置主机上的SCM调压处理板与主电压信号相连,D/A数字模拟转换器与主电流信号相连,F/信号处理器与DF16特制光电转速传感器相连,选择开关与XKJ继电器相连,这种速装置合理运用了机车柴油机功率,降低了能源的浪费,同时维修方便。由于本装置励磁控制为独立控制,因此其它各类直流传动内燃机车均可安装此装置来实现速控制功能。
  • 新型内燃机车低恒速装置
  • [实用新型]新型内燃机车速装置-CN201420315461.3有效
  • 侯晓燕;尹亚玲;郑蓉芬 - 南车戚墅堰机车有限公司
  • 2014-06-14 - 2014-10-15 - B61C17/12
  • 本实用新型涉及一种速装置,尤其是新型内燃机车速装置。速装置主机与I端显示器和II端显示器相连,速装置主机通过XKJ继电器与机车上CF测速发电机相连。XKJ继电器一侧开关一端与原电路相连,另一端与PWM脉冲宽度调节器相连,速装置主机上的SCM调压处理板与主电压信号相连,D/A数字模拟转换器与主电流信号相连,F/信号处理器与DF16特制光电转速传感器相连,选择开关与XKJ继电器相连,这种速装置合理运用了机车柴油机功率,降低了能源的浪费,同时维修方便。由于本装置励磁控制为独立控制,因此其它各类直流传动内燃机车均可安装此装置来实现速控制功能。
  • 新型内燃机车低恒速装置
  • [发明专利]一种低峰值旁瓣稀疏阵列综合方法-CN202310095649.5在审
  • 杨亚;黎亮 - 四川九洲电器集团有限责任公司
  • 2023-02-02 - 2023-06-27 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种低峰值旁瓣稀疏阵列综合方法,包括以下步骤:S1、设定初始旁瓣稀疏阵列为A0={1,2,…,M},M为规则均匀阵列可放置的阵元数;S2、对初始旁瓣稀疏阵列进行循环计算,针对第p次循环,在Ap‑1各个阵列组合的基础上,依次删除一个阵元元素,得到新的阵列组合,并分别计算各个阵列组合的峰值旁瓣电平PSL;S3、选择PSL值最低的K个阵列组合;S4、判断是否达到循环次数阈值,若是则返回步骤S2,否则进入步骤S5;S5、从K个阵列组合中选择旁瓣最小的阵列组合,即为优化得到的有N个阵元的稀疏阵列。
  • 一种峰值稀疏阵列综合方法
  • [发明专利]数字相控阵天线多方向的噪声调制方法-CN202310537858.0在审
  • 李牧;邱鹏 - 成都中科合迅科技有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-06-30 - H04K1/02
  • 本发明涉及天线阵列信号调制技术领域,提供了一种数字相控阵天线多方向的噪声调制方法,其通过数字相控阵天线旁瓣抑制和旁瓣噪化,在旁瓣方向添加噪声或特定规格信号,在实现主瓣信号传输的同时,可有效提升通信的抗截获和抗定位能力,并可实施信息欺骗;该调制方法主要包括对多通道信号进行多通道幅相校准,生成主瓣方向期望信号,生成旁瓣方向噪声信号,对主瓣方向期望信号和旁瓣方向噪声信号进行发射信号功率分配与合成,从而生成数字相控阵天线发射输出的天线信号
  • 数字相控阵天线多方噪声调制方法
  • [发明专利]小线宽沟槽图形的制备方法-CN201210586227.X有效
  • 胡红梅 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2012-12-28 - 2017-04-19 - H01L21/027
  • 本发明公开了一种小线宽沟槽图形的制备方法,包括提供半导体衬底,在该半导体衬底上依次形成目标材料层、第一底部抗反射层以及第一光刻胶;第一次光刻,形成第一光刻胶主图形以及小尺寸旁瓣图形;在第一光刻胶主图形和相应旁瓣图形上涂布第二光刻胶;对该第二光刻胶进行光刻,产生定义第一次光刻后的旁瓣图形的区域;采用自对准技术,将旁瓣图形经刻蚀传递至目标材料层,形成具有小线宽的沟槽图形。本发明利用旁瓣现象,采用两次光刻实现小线宽沟槽图形,在线宽超过光刻机极限时,可以对现有光刻机的能力有很大的拓展。
  • 小线宽沟槽图形制备方法

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