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[发明专利]一种低反射率膜层结构-CN201610926273.8在审
发明人：袁中存;党继东;龙维绪;俞亚东;徐东升;张标 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种低反射率膜层结构，包括硅片，所述硅片的正面有正面绒面，所述正面绒面上由下至上依次设有非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层，所述表面渐变膜层上设有表面低折射率膜层。该低反射率膜层结构通过增加非晶硅膜层，用以增强吸光性和光的吸收率；通过增加底层高折射率膜层，用以钝化非晶硅层中的缺陷，从而非晶硅膜层、底层高折射率膜层、中间高折射率膜层和表面渐变膜层共同配合降低反射率，
一种反射率结构

[实用新型]一种硅基高光吸墨相纸-CN201921027514.0有效
发明人：李春刚;鹿秀山;王广磊;曹西亮;毛英帅;杨文涛;杨宁宁;石凯 -专利权人：天津碧海蓝天水性高分子材料有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B32B27/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基高光吸墨相纸，包括淋膜纸基，淋膜纸基上设有硅基高光吸墨涂层，所述硅基高光吸墨涂层包括硅基吸墨层和设置于硅基吸墨层上的高光泽层。本实用新型的硅基高光吸墨相纸，不仅具有吸墨性优良、光泽度高、固墨性好、耐水性优良的优点，还具有优良的耐磨性、抗黄变性和抗划伤性能，为生产综合性能优良的高端相纸提供了可靠途径。
一种硅基高光吸墨相纸

[发明专利]有机薄膜形成方法-CN02105076.7无效
发明人：庄野朋文;山下一博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-02-20 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：一种有机薄膜的形成方法，在半导体基板10上形成由硅氮化膜或硅氮化氧化膜构成的底膜11后，对底膜11进行使用洗涤液12的湿式洗涤处理。然后，对底膜11照射远紫外线13后，通过旋转半导体基板10，同时将液状有机材料供于半导体基板10上，在底膜11上形成厚度为100nm以下的有机薄膜14。从而在使用低粘度的有机材料在硅氮化膜或硅氮化氧化膜上形成有机薄膜的场合，也能够防止产生涂覆不均，得到膜厚均匀性优良的有机薄膜。
有机薄膜形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810004154.2无效
发明人：中村麻树子 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，可以使用由熔点低的材料形成的构造体，另外，可将密封该构造体而形成的空间置为高真空，并且，不在构造体上进行密封部件的成膜。利用牺牲膜覆盖形成于半导体基板(1)上的可动构造体(3)，利用硅氧化膜(5)覆盖该牺牲膜，进而在该硅氧化膜(5)上形成通孔。然后，通过该通孔除去牺牲膜，在可动构造体(3)和硅氧化膜(5)之间形成空间，并利用溅射法在硅氧化膜(5)上进行流动性高的铝或铝合金的成膜，来密封通孔。
半导体器件制造方法

[发明专利]硅氧烷化合物及其聚合物和用该聚合物制备介电膜的方法-CN200410100231.6无效
发明人：李在俊;宣钟白;郑铉潭;林珍亨;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO₂含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
硅氧烷化合物及其聚合物制备介电膜方法

[发明专利]光固化性含硅被覆膜形成用组合物-CN201880089915.0有效
发明人：柴山亘;德永光;石桥谦;桥本圭祐;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。
光固化性含硅被覆形成组合

[发明专利]感光性聚硅氧烷组成物、保护膜以及具有保护膜的元件-CN201510907562.9在审
发明人：陈奕光;吴明儒;施俊安 -专利权人：奇美实业股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明提供一种感光性聚硅氧烷组成物、保护膜以及具有保护膜的元件，该感光性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜的元件的显影性佳及显影操作可靠性佳。感光性聚硅氧烷组成物包括碱可溶性树脂(A)、具有乙烯性不饱和基的化合物(B)、光起始剂(C)以及溶剂(D)。碱可溶性树脂(A)包括聚硅氧烷(A-1)。具有乙烯性不饱和基的化合物(B)包括具有乙烯性不饱和基的化合物(B-1)，其中具有乙烯性不饱和基的化合物(B-1)包括由式(1)表示的(甲基)丙烯酸酯单体及由式(2)表示的(甲基)丙烯酸酯单体中的至少一个
感光性聚硅氧烷组成保护膜以及具有元件

[发明专利]黑硅电池片及其制备方法及黑硅光伏组件-CN201610181805.X在审
发明人：魏青竹;汪燕玲;连维飞;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的提供一种黑硅电池片的制备方法及其制得的黑硅电池片及包括该黑硅电池片的黑硅光伏组件，在黑硅电池片的表面形成周期性减反射结构，绒面面结构规则，黑硅电池片的反射率低，制得的黑硅光伏组件的CTM高。一种黑硅电池片的制备方法，依次包括如下步骤：S1、用酸溶液对硅片制绒；S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜，所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元，各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形；S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒；S4、去除掩膜。
电池及其制备方法黑硅光伏组件

[发明专利]一种防污玻璃的制备工艺-CN201710646176.8在审
发明人：武娟 -专利权人：合肥利裕泰玻璃制品有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种防污玻璃的制备工艺，包括以下步骤（1）对玻璃依次进行亲水性处理与氨基化处理；（2）在经过步骤（1）处理的玻璃表面涂覆硅化合物涂料，在300‑400℃下进行固化处理，在玻璃表面形成硅化合物膜；（3）在经过步骤（2）处理的玻璃表面涂覆硅‑钛化合物涂料，在300‑400℃下进行固化处理，在硅化合物膜表面形成硅‑钛化合物膜；（4）在经过步骤（3）处理的玻璃表面涂覆氟‑硅化合物涂料，在300‑400℃下进行固化处理，在硅‑钛化合物膜表面形成氟‑硅化合物膜。本发明制备的防污玻璃具有超亲水效果，能够有效去除表面污物，耐候性好，可用于幕墙玻璃领域。
一种防污玻璃制备工艺

[发明专利]非晶硅薄膜成膜方法-CN201710579002.4在审
发明人：刘善善;朱黎敏;朱兴旺 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含第1步，对覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第2步，对预热过的硅基板进行第一次等离子体处理；第3步，进行第一次非晶硅成膜；第4步，进行第二次等离子体处理；第5步，进行第二次非晶硅成膜。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法，能够有效的防止成膜时鼓包的存在，可以在使用微量掺杂元素的情况下获得较平坦化的非晶硅薄膜，同时该方法的可操作性较强，由于掺杂元素较少，又助于后续非晶硅薄膜的刻蚀残留改善。
非晶硅薄膜方法

[发明专利]结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法-CN99126970.5无效
发明人：土本修平;田仲広久;緖方潔;桐村浩哉 -专利权人：夏普株式会社;日新电机株式会社
申请日： 1999-12-22 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法，是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜，该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序；向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序，使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体，通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜
结晶系列半导体薄膜制造方法

[发明专利]用于硅膜的选择性蚀刻-CN201180026160.8在审
发明人： J·张;王安川;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜层更快速地被移除。其他示例性的应用包含修整碳氮化硅(silicon carbon nitride)膜时，基本保留氧碳化硅(siliconoxycarbide)。可利用本文所描述的方法以及崭新的工艺流程来实施此应用。亦可使用在此所描述的方法，以比蚀刻具有较高浓度氮的含氮硅膜层更快的速度来蚀刻含硅膜层。
用于选择性蚀刻

[发明专利]压力传感器硅谐振膜的制造方法-CN200610054435.X无效
发明人：冯建;徐俊;吴建 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感器硅谐振膜的制造方法，用于微电子机械系统(MEMS)压力传感器中的硅悬梁的制作。该方法步骤包括：1.将第一和第二原始硅片进行加工，形成带硅谐振膜的SOI硅片；2.在第三原始双面抛光硅片上进行加工，形成有图形的硅衬底片；3.将所述有图形的硅衬底片与所述SOI硅片进行键合，形成键合片；4.对键合片采用减薄、腐蚀、漂SiO₂层工艺进行处理，暴露出在有图形的硅衬底上的所述硅谐振膜。采用本发明的方法，可获得不易破裂的压力传感器硅谐振膜，且制作出的硅谐振膜厚度薄，均匀性好，能大大提高压力传感器硅谐振膜制作的成品率。
压力传感器谐振制造方法

[发明专利]一种水铝英石硅纳米管杂化正渗透膜-CN201610847062.5有效
发明人：吴青芸;潘叶寒;顾林 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种水铝英石硅纳米管杂化正渗透膜，该方法将水铝英石硅纳米管作为改性剂，预分散于铸膜液中，通过相转化成膜，再结合界面聚合获得水铝英石硅纳米管杂化正渗透膜，有效降低了正渗透膜的内浓差极化，提高了正渗透膜的水通量由本发明提供的正渗透膜具有高渗透通量和高效选择性。
一种英石纳米管杂化正渗透

[发明专利]一种锶锌硅生物陶瓷复合纤维膜及其制备方法和应用-CN202310301870.1在审
发明人：常江;余静;张赵文斌;杨晨;徐毓泽 -专利权人：国科温州研究院（温州生物材料与工程研究所）
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： A61L15/26 文献下载
摘要：本申请属于创面修复材料技术领域，尤其涉及一种锶锌硅生物陶瓷复合纤维膜及其制备方法和应用。本申请中提供的锶锌硅生物陶瓷复合纤维膜，适用于诱导烧伤创面毛囊再生，该复合纤维膜包括：生物相容性高分子材料以及分布于生物相容性高分子材料中的含硅、锶和锌元素的生物陶瓷。本申请提供的复合纤维膜，能够通过锶锌硅生物陶瓷中释放的活性离子硅离子、锶离子、锌离子产生的协同作用，赋予复合纤维膜优异的激活烧伤创面周围毛囊干细胞、促进损伤区域毛细血管再生的能力，在组织工程中具有非常大的应用潜力
一种锶锌硅生物陶瓷复合纤维及其制备方法应用