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- [发明专利]一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风-CN201410653763.6在审
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缪建民
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缪建民
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2014-11-18
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2015-02-25
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H04R19/04
- 本发明为一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基及位于所述背极板硅基上方的振膜，其特征在于：导电良好的背极板硅基和振膜作为麦克风电容的两极板；背极板硅基上沉积有背极板金属电极，背极板金属电极和背极板硅基电连接；背极板硅基上设有若干个直接与大气相通的TSV声孔；振膜上设有小凸柱；振膜上沉积有振膜电极，振膜电极和振膜电连接；振膜电极和背极板金属电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；振膜由氧化硅层支撑悬于背极板硅基的上方，之间形成气隙，背极板硅基、振膜和气隙形成电容结构。本发明产品灵敏度高、一致性好且生产优良率高，可与ASIC封装为一体。
- 一种背部声学mems麦克风
- [发明专利]一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法-CN201410130901.2有效
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姜礼华;谭新玉;肖婷;向鹏
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三峡大学
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2014-04-01
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2014-08-06
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H01L21/314
- 一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1）配制溶液；2）制备图案化的单晶硅衬底；3）沉积氮化硅薄膜；4）沉积微晶硅薄膜；5）沉积非化学计量比碳化硅薄膜；6）制备周期性多层膜；7）在制成的周期性多层膜上按照步骤3）沉积氮化硅薄膜，制得多层膜样品；8）对步骤7）制得的多层膜样品进行高温退火处理，制得退火处理后的多层膜样品；9）进行氨气等离子体钝化处理，制得三维空间分布有序硅量子点。本发明提供的一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，将多层膜自组装技术和图案化单晶硅衬底技术融为一体，制备的硅量子点具有制备面积大、缺陷少、空间三维分布排列有序、成核位置和尺寸可控等特点。
- 一种三维空间分布有序量子制备方法
- [发明专利]一种挠性覆铜板的制备方法-CN202011508938.6有效
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蒋晓璐;张博文;孔仙达;罗祎玮;梁静静
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浙江巨化新材料研究院有限公司
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2020-12-18
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2022-04-01
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B32B37/06
- 本发明公开了一种新型挠性覆铜板的制备方法，包括如下步骤：(1)制备介孔硅、空心微球粉体或两者混合物改性可熔性聚四氟乙烯膜；(2)制备笼型硅氧烷改性的聚二甲基硅氧烷膜；(3)将可熔性聚四氟乙烯膜、聚二甲基硅氧烷膜和铜箔分别通过丙酮清洗、水超声清洗、氮气干燥后，可熔性聚四氟乙烯膜和聚二甲基硅氧烷膜经过高温等离子处理；(4)将三者通过热压工艺，得到挠性覆铜板。本发明采用四氟乙烯作为基材，通过无机粒子改性后，得到的挠性覆铜板具有高耐温性，尺寸稳定性。以PDMS作为粘结层，热压的覆铜板层次间粘结力强，不易剖落。复合后的覆铜板在超高频下具有低介电常数、低介质损耗角，适用于5G领域，制作高频高速挠性印刷电路板。
- 一种挠性覆铜板制备方法
- [实用新型]轻剥离力网格非硅离型膜-CN202021329061.X有效
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丁乔清
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昆山乔伟新材料有限公司
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2020-07-09
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2021-05-14
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B32B27/36
- 本实用新型公开了轻剥离力网格非硅离型膜，包括硅油层主体，所述硅油层主体的上端外表面设置有支撑层，所述支撑层的上端外表面设置有连接层，所述连接层的上端外表面设置有轻剥离力机构。本实用新型所述的轻剥离力网格非硅离型膜，能够解决现有PET离型膜硅转移的现象，采用网格聚酯薄膜，剥离力超轻，网格聚酯薄膜机械性能优良，刚性、硬度及韧性高，耐穿刺，耐摩擦，耐高温和低温，耐化学药品性、耐油性、气密性和保香性良好，且采用非硅离型剂进行生产，非硅离型剂具有无硅转移、固化温度低、使用方便的性能，在不影响离型膜离型性能、离型效果的基础上使用非硅离型剂进行生产，解决离型膜的硅转移现象，提升了使用效果
- 剥离网格非硅离型膜
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