专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件-CN202110897827.7有效
  • 任娜;盛况 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2021-08-05 - 2021-11-09 - H01L29/78
  • 本发明提出一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件,包含衬底、源极、漏极、栅极沟槽、电场屏蔽结构、源极区域和具有第一导电类型的半导体区域,一个或多个位于半导体区域表面下方的具有第二导电类型的电场屏蔽结构,与栅极沟槽的侧壁以一角度相交,源极区域位于栅极沟槽的两侧或周围,被电场屏蔽结构分割成多个源极子区域。本发明通过设置与栅极沟槽侧壁相交的一个或多个电场屏蔽结构,且通过合理布局电场屏蔽结构的排布方式,可以有效减小器件的元胞尺寸,提高沟道密度和器件导通电流密度,降低器件比导通电阻,提高器件导通性能,同时增强电屏蔽效应,降低栅极氧化层中的电场强度,提高器件长期工作稳定性和可靠性。
  • 一种具有电场屏蔽结构沟槽mosfet器件

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