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[发明专利]在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法-CN02141876.4无效
发明人：吴集锡 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-08-27 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法，其将金氧半晶体管的工艺加以修改，以同步制作双载子晶体管与互补式金氧半晶体管，如此将可大幅减少工艺步骤，并降低工艺成本。再者，由于本发明在硅绝缘体基底上形成双载子互补式金氧半导体元件，故可降低元件的寄生电容，避免元件发生闭锁现象，并可增进元件的集成度与操作速度。
绝缘体基底制造双载子互补式金氧半导体方法

[实用新型]沟槽式功率金氧半场效晶体管-CN201420127857.5有效
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，而形成一PN结(PN junction)。如此，当沟槽式功率金氧半场效晶体管工作时，PN结所形成的接面电容可和栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极的等效电容降低。
沟槽功率半场晶体管

[发明专利]沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制造方法-CN201410105142.4有效
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制造方法，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区与一下掺杂区，而形成一PN结(PN junction)。如此，当沟槽式功率金氧半场效晶体管工作时，PN结所形成的接面电容可和栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极的等效电容降低。
沟槽功率半场晶体管与其制造方法

[发明专利]沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制作方法-CN201410848353.7有效
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制作方法，沟槽式功率金氧半场效晶体管的栅极包括一上掺杂区、一中间区与一下掺杂区，其中中间区为本质区或淡掺杂区，而在栅极中形成一PIN接面、P⁺/N本发明的沟槽式功率金氧半场效晶体管与其制作方法，当沟槽式功率金氧半场效晶体管运作时，PIN接面或PN接面所形成的接面电容可和降低栅极/漏极之间的电容串联，而使栅极/漏极之间的等效电容降低。
沟槽功率半场晶体管与其制作方法

[发明专利]静态瞬态电压降分析装置及方法-CN200910266844.X有效
发明人：罗振兴;卢建邦 -专利权人：晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种静态瞬态电压降分析装置，应用于一多阈值互补式金氧半导体晶体管。该静态瞬态电压降分析装置包含一估算模块、一处理模块及一量测模块。该估算模块根据该多阈值互补式金氧半导体晶体管的瞬态电压降特性估算出一瞬态电压降容忍值。该处理模块根据该瞬态电压降容忍值自多个候选仿真金属层中选取相对应的一仿真金属层，并将该仿真金属层加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中。该量测模块量测已加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中的该仿真金属层的一瞬态电压降。该量测所得的瞬态电压降实质上为该多阈值互补式金氧半导体晶体管的静态瞬态电压降。
静态瞬态电压分析装置方法

[发明专利]半导体芯片及其形成方法-CN201711241717.5有效
发明人：刘铭棋;李汝谅;蔡嘉雄;陈逸群;亚历山大·卡尼斯基;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：族半导体区及氧化区设置在第一面上，且外延III‑V族半导体区及氧化区具有从硅承载晶片的第一面量起大抵相同的高度，外延III‑V族半导体区侧壁接触氧化区侧壁；在外延III‑V族半导体区及氧化区顶表面形成共晶接合层；接合互补式金氧半晶片至共晶接合层；随后去除硅承载晶片；单粒化互补式金氧半晶片以形成三维集成电路，其皆包含互补式金氧半基板及III‑V族光学装置，互补式金氧半基板及III‑V族光学装置分别对应互补式金氧半晶片及III‑V族光学装置的一部分
半导体芯片及其形成方法

[实用新型]一种装配式GIS终端-CN202221047941.7有效
发明人：白晓烨;张浩;梁栋;张宝磊;吴春磊;王鑫魁 -专利权人：江苏中天科技电缆附件有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H02G15/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装配式GIS终端，包含上部电极、上部金具、环氧套管、环氧套管内置电极、应力锥和应力锥下部金具，环氧套管内置电极设置在环氧套管上端内侧，上部金具下端与电缆上端固定连接，上部金具设置在环氧套管内置电极内侧且上部金具上端伸出环氧套管内置电极上端面，上部电极与上部金具上端可拆卸固定，应力锥设置在环氧套管内侧下端且位于应力锥下部金具上侧。本实用新型通过上部电极与环氧套管内置电极分体式的结构设计，并通过将上部电极与上部金具通过螺栓连接，这样上部电极固定到其余部件上也对上部金具提供向上的固定力，分担了应力锥的承重，从而有效缓解了电缆下滑的趋势
一种装配式 gis 终端

[发明专利]测定冶炼高温合金过程中界面传氧速率的方法-CN202010363418.4有效
发明人：李万明;李世森;臧喜民;仝文杰;马竞男;马庚鑫 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N33/2025 文献下载
摘要：本发明一种测定冶炼高温合金过程中界面传氧速率的方法，通过温度与传氧速率、气氛中氧含量与传氧速率的定量关系式，测定冶炼高温合金过程中气‑渣界面和渣‑金界面的传氧速率。与现有的技术相比，本发明的有益效果是：通过本发明的温度与传氧速率、气氛中氧含量与传氧速率的定量关系式，测定冶炼Inconel 718高温合金过程中气‑渣界面和渣‑金界面的传氧速率，根据冶金过程中温度及不同气氛中氧含量来有效的确定气‑渣界面和渣‑金界面传氧速率，为控制电渣重熔过程中合金液的氧含量提供理论依据，从而精准控制冶金过程中气氛中进入熔池的氧含量，建立更加合理的脱氧制度。
测定冶炼高温合金过程界面速率方法

[发明专利]一种带间隙复合针式绝缘子-CN201610563385.1有效
发明人：夏兰;徐勤民;丁华平 -专利权人：江苏远航电缆附件有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01B17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种带间隙复合针式绝缘子，它包括绝缘子构件、带间隙构件、中间连接金具、上金具、下金具；绝缘子构件和带间隙构件通过中间连接金具连接；在中间连接金具下部设有第一金属连杆；下金具的上部设有第二金属连杆；带间隙构件包括设有内腔的环氧芯棒，在环氧芯棒外部环套设有护套伞裙，在环氧芯棒的内腔设有陶瓷管，中间连接金具的第一金属连杆、下金具的第二金属连杆分别从环氧芯棒的内腔上、下端口伸入在陶瓷管内形成固定间隙。本发明带间隙复合针式绝缘子结构简单，成型相对容易。将其与无间隙避雷器串联使用，使无间隙避雷器实现带间隙避雷器的功能，具有良好的防雷效果和可靠性，可大大提高线路的运行水平。
一种间隙复合绝缘子

[实用新型]GIS终端的绝缘密封件-CN201520404195.6有效
发明人：董波;田正兵;住本勉 -专利权人：特变电工昭和（山东）电缆附件有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H02G15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种插拔式GIS终端技术领域，具体地说是一种GIS终端的绝缘密封件，包括终端的环氧套管，在环氧套管内分别设置高压电极端和接地端，还包括绝缘栓、制动金具、压缩金具和挡板，在环氧套管的端部内沿轴线由内向外依次设置制动金具、绝缘栓、压缩金具和挡板，挡板的外侧板与环氧套管的外端面齐平；所述的绝缘栓包括绝缘本体、屏蔽金具和固定金具并注塑成一体式结构；所述的压缩金具为横向设置的圆桶状，紧靠于固定金具和弹簧的外侧，底板与固定金具之间通过螺栓连接；挡板紧靠在压缩金具的外侧。本实用新型具有可避免GIS终端环氧套管产生放电，提高安全性能的特点。
gis 终端绝缘密封件

[发明专利]一种大吨位多通道式光纤复合绝缘子-CN201711090121.X在审
发明人：杨红军;马向方;张涛;田正波;甘银银;马建国 -专利权人：襄阳国网合成绝缘子有限责任公司;国网湖北省电力公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01B17/26 文献下载
摘要：一种大吨位多通道式光纤复合绝缘子，芯棒两端分别压接两连接金具，两连接金具结构相同，相对安装；连接金具为中空结构，连接金具一端内腔与芯棒压接，连接金具另一端的丝杆与外部金具内腔丝扣连接；连接金具与芯棒压接的一端及缠绕硅橡胶带外套装有环氧筒，环氧筒外表面有伞裙，连接金具上开有光纤通道孔，光纤通道孔与连接金具和环氧筒之间的间隙相连通，也与外部金具相连通，并经连接金具和环氧筒之间的间隙与相对安装的另一连接金具的光纤通道孔相连通。本发明采用了芯棒和环氧筒两种连接，形成双重绝缘，能够提高绝缘子的性能。在芯棒与金具之间的空隙植入多根光纤，可以对发生雷击闪络的次数进行记录，且通过光纤把数据传输到指定位置。
连接金具环氧筒芯棒光纤通道金具压接光纤复合绝缘子多通道式相对安装内腔绝缘子多根光纤硅橡胶带雷击闪络数据传输双重绝缘丝扣连接芯棒两端中空结构外部伞裙丝杆植入缠绕光纤记录

[实用新型]一种大吨位多通道式光纤复合绝缘子-CN201721476984.6有效
发明人：杨红军;马向方;张涛;田正波;甘银银;马建国 -专利权人：襄阳国网合成绝缘子有限责任公司;国网湖北省电力公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01B17/26 文献下载
摘要：一种大吨位多通道式光纤复合绝缘子，芯棒两端分别压接两连接金具，两连接金具结构相同，相对安装；连接金具为中空结构，连接金具一端内腔与芯棒压接，连接金具另一端的丝杆与外部金具内腔丝扣连接；连接金具与芯棒压接的一端及缠绕硅橡胶带外套装有环氧筒，环氧筒外表面有伞裙，连接金具上开有光纤通道孔，光纤通道孔与连接金具和环氧筒之间的间隙相连通，也与外部金具相连通，并经连接金具和环氧筒之间的间隙与相对安装的另一连接金具的光纤通道孔相连通。本实用新型采用了芯棒和环氧筒两种连接，形成双重绝缘，能够提高绝缘子的性能。在芯棒与金具之间的空隙植入多根光纤，可以对发生雷击闪络的次数进行记录，且通过光纤把数据传输到指定位置。
连接金具环氧筒芯棒光纤通道金具压接光纤复合绝缘子多通道式相对安装内腔绝缘子本实用新型多根光纤硅橡胶带雷击闪络数据传输双重绝缘丝扣连接芯棒两端中空结构外部伞裙丝杆植入缠绕光纤记录

[发明专利]驱动装置-CN202210123887.8在审
发明人：耿启育;杜明鸿;陈雅芳;杨智翔 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动装置，其包含第一互补式金氧半电路及第一比较器。第一互补式金氧半电路用以根据第一输入信号以输出电源信号或下拉信号。第一比较器包含第一非反向输入端及第一反向输入端。第一非反向输入端耦接于第一互补式金氧半电路，并用以接收电源信号或下拉信号。第一反向输入端用以接收第一参考信号，其中第一比较器用以比较电源信号及下拉信号的其中一者以及第一参考信号而提供第一驱动信号。
驱动装置

[发明专利]单一金属闸极互补式金氧半导体元件-CN200610002787.0有效
发明人：王志豪;陈尚志;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成p－型金氧半导体电晶体，p－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极/汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上的闸介电层及位于闸介电层上的闸极本发明提供了一种利用单一金属来形成闸极的互补金氧半导体元件及其制造方法，适用于形成n－型金氧半导体电晶体及p－型金氧半导体电晶体。
单一金属互补式金氧半导体元件

[发明专利]盘式合成绝缘子-CN201410256822.6无效
发明人：冯长富 -专利权人：冯长富
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01B17/06 文献下载
摘要：一种盘式合成绝缘子，结构包括金具碗头，环氧玻纤棒，金属拉杆，硅橡胶伞裙。环氧玻纤棒一端插入金具碗头，另一端插入金属拉杆内，对金具施以高压力，使金具碗头环氧玻纤棒金属拉杆压接而牢固连接成一体，硅橡胶伞裙复合在环氧玻纤棒的外围。本发明效果：一、是增强绝缘子的爬电距离；二、是充分利用硅橡胶抗污秽性能强的优点，使之实现长年运行的输电线路免于清扫；三、是重量轻，是玻璃盘式绝缘重量的30%，是“瓷芯复合盘式绝缘子”重量的50%，这对于降低输电线路杆（塔）的高度，提供了条件，可大大节约电网基建成本；四、是完全杜绝了现有的各种“盘式绝缘子”的“零值”问题，排除了电网的一大事故隐患。
合成绝缘子

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