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[发明专利]易加工性镁合金及其制造方法-CN200610126908.2无效
发明人：高林宏之;清水哲也 -专利权人：大同特殊钢株式会社
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C22C23/02 文献下载
摘要：0.005wt％、Ni：小于或等于0.005wt％、Cr：小于或等于0.005wt％、Cu：小于或等于0.008wt％，Co：小于或等于0.005wt％，以及作为其他部分的Mg及不可避免的杂质，基体的平均结晶粒径小于或等于500μm，金属间化合物的平均粒径小于或等于20μm。
加工镁合金及其制造方法

[发明专利]罐用钢板及其制造方法-CN201680017408.7有效
发明人：木俣雄介;船川义正;高田直行 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：0.02％以下、S：0.02％以下、Al：0.01％～0.10％、N：0.004％以下，含有Ti：0.01％～0.06％和/或Nb：0.01％～0.04％，剩余部分由Fe和不可避免的杂质构成，钢板表面的未再结晶晶粒所占的面积率为0.10％以下，从钢板表面到深度50μm为止的组织中的平均晶体粒径(d1)与总厚度平均晶体粒径(d2)满足d1≤0.8×d2的关系，且d2为11.0μm以上。
钢板及其制造方法

[发明专利]耐磨性氧化铝质烧结体-CN202080056275.0在审
发明人：杉本武史;柴田贵之;山冈健;山口一茂;大西宏司 -专利权人：日化陶股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：SiO2为65.0～79.0重量％，CaO为2.0～6.0重量％，MgO为2.0～8.0重量％；不可避免的杂质为0.5重量％以下；孔隙率为3.0％以下；玻璃相的平均直径为0.5μm以下；玻璃相的含有比例为氧化铝质烧结体整体的3.0～10.0％；氧化铝质烧结体的平均结晶粒径为0.8～2.0μm；最大结晶粒径为6.0μm以下。
耐磨性氧化铝烧结

[发明专利]铁基稀土类系纳米复合磁体及其制造方法-CN200580001849.X有效
发明人：金清裕和;三次敏夫 -专利权人：株式会社新王磁材
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：该磁体含有形成磁性耦合的纳米复合磁体构造的R₂Fe₁₄B型化合物相和α－Fe相，所述R₂Fe₁₄B型化合物相的平均结晶粒径为30nm～300nm，所述α－Fe相的平均结晶粒径为1nm～20nm，具有矫顽力为400kA/m以上，剩余磁通密度0.9T以上的磁特性。
稀土纳米复合磁体及其制造方法

[发明专利]带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法-CN200780000848.2有效
发明人：谷晋辅;川本光俊 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。
可变功能层叠半导体陶瓷电容器及其制造方法

[发明专利]粉末状金属材料的表面处理方法-CN201480035621.1有效
发明人：宫坂四志男 -专利权人：株式会社不二机贩
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：使用具备于在作业空间内将喷射粉体与压缩气体一并喷射，使其碰撞被碰撞物的同时，对上述作业空间内进行抽吸而将粉尘去除、回收的集尘手段的喷击加工装置，进行使平均粒径10～200μm的粉末状金属材料及具有与上述粉末状金属材料同等以上的硬度的媒介物质以喷射速度100～300m/sec反复碰撞的喷击处理，自上述粉末状金属材料将表面氧化物剥离，并且于该粉末状金属材料的表面附近形成具有相对于中心部的结晶粒径较小的结晶粒径的微细粒区域。
粉末状金属材料表面处理方法

[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件-CN201310450062.8在审
发明人：辰巳宪之;关聪至;小林隆一;上田孝史郎 -专利权人：株式会社SH铜业
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该Cu-Mn合金溅射靶材以含有平均浓度5原子%以上且30原子%以下的Mn并且平均结晶粒径为10μm以上且50μm以下的Cu-Mn合金作为母材，利用X射线能谱分析得到的Mn浓度的最大值和最小值与平均浓度的差为
cu mn 合金溅射制造方法以及半导体元件

[发明专利]热轧钢板及其制造方法-CN201980067649.6有效
发明人：横井龙雄;首藤洋志;林田辉树;安藤洵;榊原睦海 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C21D9/46 文献下载
摘要：的位置处的金属组织以面积分率计包含77.0～97.0％的贝氏体或回火马氏体、0～5.0％的铁素体、0～5.0％的珠光体、3.0％以上的残余奥氏体、0～10.0％的马氏体；在上述金属组织中，除上述残余奥氏体以外的平均结晶粒径为7.0μm以下，直径为20nm以上的铁系碳化物的平均个数密度为1.0×106个/mm2以上；抗拉强度为980MPa以上；上述表面中的平均Ni浓度为7.0％以上。
热轧钢板及其制造方法

[发明专利]一种气升式搅拌应用于丙烯酰胺的结晶工艺-CN201210251663.1无效
发明人：熊光辉;沈瑞华;杨涛;顾稀平;陆煌生;韩浩梁 -专利权人：江苏南天农科化工有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C07C233/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种气升式搅拌应用于丙烯酰胺结晶的工艺，采用气升式搅拌结晶釜，单釜结晶时间缩短了3小时左右，结晶率提高了12%，产品外观质量明显提高，晶体颗粒粒径分布集中，晶型规则，粒径均匀，避免了机械式搅拌带来的晶粒破碎和晶疤垢等现象
一种气升式搅拌应用于丙烯酰胺结晶工艺

[发明专利]船体用厚钢板及其制造方法-CN201080039247.4有效
发明人：中岛清孝;星野学;小田直树;益田晋宇 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2010-10-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C22C38/60 文献下载
摘要：Al：0.002～0.1％，剩余部分包含铁以及不可避免的杂质，且具有如下显微组织：包含铁素体，且包含珠光体、贝氏体中的1种以上，所述显微组织中的未加工的铁素体的面积率为85％以上，所述未加工的铁素体的平均结晶粒径为5～40μm，所述铁素体的晶粒内的渗碳体粒子以个数密度计为50000个/mm2以下，屈服强度为235MPa以上，抗拉强度为460MPa以下，均匀伸长率为15％以上，0℃下的夏比平均吸收能量为100J以上
船体钢板及其制造方法

[发明专利]冷镦用线材及其制造方法-CN201810795127.5有效
发明人：文东俊;闵世泓;李基澔;林炫辰 -专利权人：株式会社POSCO
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：0.03％、S：小于等于0.03％、sol.Al：0.01％至0.05％、Cr：小于等于0.5％、Ti：0.005％至0.05％、N：小于等于0.01％、余量的Fe及其他杂质，并且满足下述式(1)，被结晶取向差大于等于15°的铁素体晶界包围的铁素体的平均粒径为15μm至40μm，{(A/4)+[(B×30)/(2A+40)]}×(C/3)≥700……式(1)其中，A表示结晶取向差大于等于15°的铁素体晶界平均等效圆直径(μm)，B表示结晶取向差大于等于15°的铁素体晶界晶粒相对于铁素体相整体所占的面积分数(面积％)，C表示铁素体相的平均硬度(Hv)。
冷镦用线材及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN01125338.X有效
发明人：田中幸一郎;中嶋节男 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中,形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜,并利用结晶半导体膜制造TFT,因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下,另一激光光束延迟于一个激光光束,并且激光光束合成以便照射到半导体膜上,因而半导体膜的冷却速度缓慢,并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜通过用结晶半导体膜制造TFT,可实现能高速操作的TFT。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种球形高氯酸钾生产工艺-CN201510750048.9有效
发明人：于海;邵文祖;钟文田;蔡忠发 -专利权人：大连高佳化工有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C01B11/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种球形高氯酸钾生产工艺，采用自然结晶的高氯酸钾，经重结晶工艺制备，将原料高氯酸钾加入精制罐内，加入高氯酸钾饱和液，得到高氯酸钾精制液，精制液通过转子流量计连续与循环高氯酸钾饱和液混合，混合后进入列管式换热器，经间壁换热，交换掉精制液带入的热量，形成过饱和度，析出高氯酸钾晶晶粒粒径达到200微米以上，送入离心机中完成固液分离，固体送入流化床干燥器中干燥，得到成品。本发明利用现有的普通的结晶装置进行生产，无需设计专用设备，降低大量成本，技术成熟实用，球形化程度高，平均粒径远大于200微米，产量大，满足现代化市场需求。
高氯酸钾精制液饱和液生产工艺送入流化床干燥器管式换热器重结晶工艺转子流量计离心机析出固液分离过饱和度间壁换热结晶装置平均粒径市场需求专用设备自然结晶球形化粒粒精制制备成熟交换生产

[发明专利]用作端子或连接器材料的铜合金板及用作端子或连接器材料的铜合金板的制造方法-CN201380023308.1有效
发明人：大石惠一郎;外薗孝;高崎教男;中里洋介 -专利权人：三菱伸铜株式会社;三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：的Ni，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，具有11≤[Zn]+7.5×[Sn]+16×[P]+3.5×[Ni]≤19的关系，并且，Ni为0.35～0.85质量％时，具有7≤[Ni]/[P]≤40的关系，平均结晶粒径为2.0～8.0μm，圆形或椭圆形的析出物的平均粒径为4.0～25.0nm或者在所述析出物中粒径为4.0～25.0nm的析出物所占的个数比例为70％以上，导电率为29％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150
用作端子连接器材料铜合金制造方法

[发明专利]铜合金板及铜合金板的制造方法-CN201580027152.3有效
发明人：大石惠一郎;须崎孝一;高崎教男;外薗孝 -专利权人：三菱伸铜株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：[Ni]≤18、0≤[Zn]‑0.3×[Sn]‑1.8×[Ni]≤11、0.3≤(3×[Ni]+0.5×[Sn])/[Zn]≤1.6、1.8≤[Ni]/[Sn]≤10、16≤[Ni]/[P]≤250，平均结晶粒径为2～9μm，圆形状或椭圆形状的析出物的平均粒径为3～75nm或所述析出物内粒径为3～75nm的析出物所占的个数的比例为70％以上，导电率为24％IACS以上，作为耐应力松弛特性在150℃、1000小时条件下的应力松弛率为
铜合金制造方法