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[发明专利]集成电路或分立元件平面阵列凸点式封装结构-CN200510041043.5无效
发明人：王新潮;于燮康;梁志忠;谢洁人;陶玉娟;李福寿;杨维君 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2005-07-02 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：包括基岛(1)、芯片(2)、功能输出脚(3)以及塑封体(5)，所述的功能输出脚(3)分布于基岛(1)的外圈和外侧，芯片(2)放置于基岛(1)上，其特征在于：所述的塑封体(5)外部的基岛(1)和功能输出脚(3)凸出于塑封体(5)表面；所述的基岛(1)有单个基岛或多个基岛；所述的功能输出脚(3)有圈状分布的，也有排状分布的，圈状的有单圈或/和多圈，排状的有单排或/和多排；所述的芯片(2)有单颗或多颗。
集成电路分立元件平面阵列凸点式封装结构

[实用新型]集成电路或分立元件平面阵列凸点式封装结构-CN200520073725.X无效
发明人：王新潮;于燮康;梁志忠;谢洁人;陶玉娟;李福寿;杨维君 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：包括基岛(1)、芯片(2)、功能输出脚(3)以及塑封体(5)，所述的功能输出脚(3)分布于基岛(1)的外圈和外侧，芯片(2)放置于基岛(1)上，其特征在于：所述的塑封体(5)外部的基岛(1)和功能输出脚(3)凸出于塑封体(5)表面；所述的基岛(1)有单个基岛或多个基岛；所述的功能输出脚(3)有圈状分布的，也有排状分布的，圈状的有单圈或/和多圈，排状的有单排或/和多排；所述的芯片(2)有单颗或多颗。
集成电路分立元件平面阵列凸点式封装结构

[发明专利]集成电路或分立元件平面凸点组合式封装结构-CN200510041070.2无效
发明人：王新潮;于燮康;梁志忠;谢洁人;陶玉娟;李福寿;杨维君 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：它包括基岛(1)、芯片(2)、功能输出脚(3)以及塑封体(5)，所述的功能输出脚(3)分布于基岛(1)的外圈或/和外侧，芯片(2)放置于基岛(1)上，其特征在于：所述的塑封体(5)外部的基岛(1)和功能输出脚(3)凸出于塑封体(5)表面；所述的基岛(1)有单个基岛或多个基岛；所述的功能输出脚(3)有圈状分布的，或有排状分布的，或有圈排混合分布的；所述的芯片(2)有单颗或多颗。
集成电路分立元件平面组合式封装结构

[实用新型]集成电路或分立元件平面凸点组合式封装结构-CN200520073724.5无效
发明人：王新潮;于燮康;梁志忠;谢洁人;陶玉娟;李福寿;杨维君 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：它包括基岛(1)、芯片(2)、功能输出脚(3)以及塑封体(5)，所述的功能输出脚(3)分布于基岛(1)的外圈或/和外侧，芯片(2)放置于基岛(1)上，其特征在于：所述的塑封体(5)外部的基岛(1)和功能输出脚(3)凸出于塑封体(5)表面；所述的基岛(1)有单个基岛或多个基岛；所述的功能输出脚(3)有圈状分布的，或有排状分布的，或有圈排混合分布的；所述的芯片(2)有单颗或多颗。
集成电路分立元件平面组合式封装结构

[发明专利]制备基板上晶体岛的方法-CN201710167835.X在审
发明人：道格拉斯·R·迪卡尔 -专利权人：迪夫泰克激光公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：某些电子应用，例如，有机发光二极管显示背板，要求在大面积上分布高品质半导体材料小岛。该面积超出了利用传统的基于晶锭的技术所能够制造的晶体半导体晶片的面积。本申请提供了一种岛状材料晶体岛的制造方法，该方法包括将岛状材料颗粒沉积在基板上，加热基板和岛状材料颗粒以熔化和融合颗粒从而形成熔球，然后冷却基板和熔球使熔球结晶，从而将岛状材料晶体岛固定在基板上。该方法可以用于在大面积范围内制造晶体岛阵列，远超基于传统晶锭技术所能制造的晶体半导体晶片面积。
制备基板上晶体方法

[发明专利]使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法-CN201980034576.0在审
发明人： T.卡米卡瓦;S.甘德罗图拉;H.李 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。
使用外延横向生长制造极性器件方法

[发明专利]制作岛状成长结构背电极之方法-CN201110282420.X无效
发明人：简唯伦;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明为制作岛状成长结构背电极之方法，主要是采用银金属背电极岛状结构沉积成膜的机制原理，使其表面形成凸形的岛状结构，增加入射光到达背电极后反射光散射之方向性，提升光在吸收层的行进距离，以增加太阳能电池发电效率在基板温度较高时，银金属会以岛状结构沉积成膜，我们可以运用此沉积特性，使其表面形成凸形的岛状结构，其目的在于增加银金属背电极的表面积，提升光反射后行进角度分布，增加光在太阳能组件内行径距离，大大提升太阳能电池有效光源
制作成长结构电极方法

[发明专利]一种托盘和包含该托盘的反应腔-CN201310128423.7无效
发明人：孙仁君;马培培 -专利权人：光垒光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：采用若干个具有内凹的边的岛状结构形成凹槽，用来固定和定位基板，所述内凹边上具有内凹的凹陷，以减少岛状结构与基板边缘的接触面积，保障基板边缘与岛状结构均匀接触，从而减少基板的边缘与岛状结构因为接触热传导获得的热量，提高基板的温度的均匀性，也使得基板周围的温度分布更加均匀。
一种托盘包含反应

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201811369379.8在审
发明人：吴秉桓;林鼎佑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件及其制作方法，其中该半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中岛状图案的上表面靠近沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在岛状图案的上表面除转角区之外的区域本公开保护层从沟槽的侧壁延伸到岛状图案的上表面而形成转角，以便转角区的岛状图案可以得到保护层的保护，避免在后续工艺中被氧化掏空造成半导体器件通道的载流子下降，抑制岛状图案边界效应，并能够为后续工艺提供面积更大的接触着陆区
半导体器件及其制作方法

[实用新型]半导体器件-CN201821896656.6有效
发明人：吴秉桓;林鼎佑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件，其中该半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底中包括交替间隔分布的岛状图案和沟槽，其中岛状图案的上表面靠近沟槽的位置为转角区；图案化衬氧化层，覆盖在岛状图案的上表面除转角区之外的区域本公开保护层从沟槽的侧壁延伸到岛状图案的上表面而形成转角，以便转角区的岛状图案可以得到保护层的保护，避免在后续工艺中被氧化掏空造成半导体器件通道的载流子下降，抑制岛状图案边界效应，并能够为后续工艺提供面积更大的接触着陆区
转角岛状图案半导体器件保护层上表面侧壁延伸后续工艺图案化衬氧化层衬底半导体载流子边界效应侧边表面隔离结构交替间隔着陆区侧壁底面覆盖掏空

[发明专利]柔性显示装置及其制造方法-CN201810951165.5有效
发明人：李莎莎;王硕晟 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：和驱动电路板，所述弯折区位于所述显示区和所述驱动电路板之间，并且通过在所述弯折区弯折使所述驱动电路板位于所述显示区的背面，其中，所述弯折区包含：基板；无机层，设置在所述基板上，其中所述无机层在所述基板上呈岛状分布，且包含多个岛状区块，其中相邻的两个岛状区块彼此间隔排列；以及第一金属层，整面地设置在所述无机层和所述基板上，其中所述第一金属层对应所述多个岛状区块的形状而形成多个第一凹槽。
柔性显示装置及其制造方法

[发明专利]一种柔性基板结构及其制备方法-CN201710444286.6有效
发明人：鲁佳浩;亢澎涛;潘新叶 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性基板结构及其制备方法，及柔性显示装置的制备方法，提供有一刚性基板，于刚性基板的上表面制备复数个离散分布的岛状结构，于岛状结构的上表面和侧壁以及刚性基板暴露的上表面覆盖柔性衬底，柔性衬底与刚性基板之间的单位面积的粘合力不同于柔性衬底与所述岛状结构之间的单位面积的粘合力；还提出了在上述柔性基板结构的基础上进行薄膜晶体管器件结构和有机发光二极管器件结构的制备工艺形成柔性显示装置；本发明能够容易地控制柔性衬底分别与刚性基板和岛状结构的接触面积，以控制柔性衬底与刚性基板及岛状结构的总粘合力
一种柔性板结及其制备方法

[实用新型]鱼鳞式岛状沙障-CN201520362383.7有效
发明人：闫德仁;张文军;胡小龙;袁立敏;薛博;曲娜;黄海广 -专利权人：内蒙古自治区林业科学研究院
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： E02D3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鱼鳞式岛状沙障，将麻袋、草袋编织成的抗老化袋内装填风沙土、有机肥及植物种子等基质添加物构成基础沙袋，在流动沙丘迎风面中部和下部位置，将1-5个所述基础沙袋配置摆放组成鱼鳞式岛状沙障，开口方向对着迎风侧，在鱼鳞式岛状沙障内侧形成20-30cm宽的积沙区，鱼鳞式岛状沙障间的空间配置密度为2m×2m-2m×4m，每个基础沙袋尺寸长度为50-250cm，直径为10-50cm。将基础沙袋按照“鱼鳞式”岛状配置组成鱼鳞式岛状沙障，既可以起到沙障的防风固沙作用，又可以通过基质填加物为土壤提供肥料，改善土壤局部环境。基础沙袋内填加的植物种子经萌发后，植被逐渐扩展，直接恢复植被，在流动沙丘形成连续分布的绿色植被。
鱼鳞式岛状沙障

[发明专利]掩膜-CN201710556840.X有效
发明人：江南辉;陈瑞祥;赖俊志;邓博文;陈信宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种掩膜，包含第一岛状物以及第二岛状物。第二岛状物连接第一岛状物。第二岛状物与第一岛状物在行列方向上都交错排列。每两个邻近的第一岛状物与对应的两个第二岛状物之间夹有通孔。第一岛状物的顶面面积大于第二岛状物的顶面面积。
掩膜

[发明专利]电子元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法-CN200610039919.7有效
发明人：梁志忠;王新潮;于燮康;谢洁人;陶玉娟;闻荣福 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚平面分布于基板正面；在后续封装时形成的单个电子元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛(1)的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
电子元器件平面凸点式超薄封装及其制作方法

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