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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]层叠电容器-CN201610090274.3有效
发明人：月田祐树;正井裕士 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供层叠电容器以及其制造方法，得到能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。具备：具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体、和在层叠体的长度方向上相互分开地设置在层叠体的表面的第1外部电极以及第2外部电极。多个导电体层当中位于上述层叠方向的最外侧的1个导电体层，在上述层叠方向上弯曲，且包含在上述层叠方向上贯通的多个贯通部。在层叠体的与长度方向正交的截面中，若将弯曲的导电体层在层叠体的宽度方向上等间隔地4等分，并从上述宽度方向的一方侧起依次设为A区域、B区域、C区域以及D区域，则多个贯通部的最小尺寸的合计值在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域。
层叠电容器及其制造方法

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202111156256.8在审
发明人：北原庆汰;齐藤雄太;大川纪行;赤泽亮介;高桥武文;若岛诚宽;黑须勇太;森昭人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了耐湿性的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，交替地层叠有电介质层和内部电极层；以及外部电极，分别配置在层叠体中的与层叠方向交叉的长度方向上的两端面，与内部电极层连接，并具有从层叠体侧起被分割为第1区域、第2区域以及第3区域的基底电极层，第1区域比第2区域以及第3区域包含更多的内部电极层所包含的金属，第2区域比第1区域以及第3区域包含更多的玻璃，第3区域比第1区域以及第2区域包含更多的铜。
层叠陶瓷电容器

[发明专利]配线基板-CN201410108519.1在审
发明人：铃木健二 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：使在内部埋入有层叠电容器的配线基板提高可靠性。多层配线基板（1）在面（P1）具有供IC芯片（2）安装的芯片安装区域，并且在内部埋入有层叠电容器（5），其特征在于，在多层配线基板（1）中，将芯片安装区域的周缘和位于周缘的周围的正下方的区域设为周缘区域（ER），埋入于周缘区域（ER）的层叠电容器（5）配置为，构成该层叠电容器（5）的多个内部电极层（72）的层叠方向（SD2）与面（P1）垂直，埋入于除周缘区域（ER）以外的区域的层叠电容器（5）中的至少一个层叠电容器（5）配置为，构成该层叠电容器（5）的多个内部电极层（72）的层叠方向（SD2）与面（P1）平行。
配线基板

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911119700.1在审
发明人：金镇河 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：层叠结构，该层叠结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道层，该沟道层穿过层叠结构，其中，沟道层是单层，该单层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域，并且第一GIDL区域比单元区域和第二GIDL区域中的每个具有更大的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有极高度均一性夹断/临界电压的门极沉降假晶高电子迁移率晶体管-CN202010496437.4在审
发明人：张家铭;钟荣涛;花长煌;林儒贤;林彦丞;王郁琦 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两相邻层叠区域之每一者与另一者之材料不同，且两者之间设有一层叠区域结。在该肖特基层任两相邻层叠区域中，由AlGaAs为基底的半导体材料构成的层叠区域与由InGaP为基底的半导体材料构成的另一层叠区域交替层叠。一门极沉降区域位于一门极电极的一第一门极金属层下方，且该门极沉降区域之底边界位于该肖特基层层叠区域其中一结层。
具有极高均一性夹断临界电压沉降假晶高电子迁移率晶体管

[发明专利]包括具有改善的弯曲强度的多层叠堆的触摸传感器-CN201480068009.4在审
发明人：马修·J·金;丹耶·斯坦利;迈克尔·T·霍华德 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供了一种在触摸传感器中使用的多层叠堆，该多层叠堆包括：底部基板，该底部基板覆盖该多层叠堆的查看区域和边界区域；和光学不透明的边界层，该光学不透明的边界层限定邻近查看区域的周边并且沿查看区域的周边延伸的台阶该多层叠堆还包括设置在底部基板和边界层上并且覆盖该多层叠堆的查看区域和边界区域的光学透明的粘合剂层。该多层叠堆还包括：多个分立的间隔开的光学透明的电极，该电极设置在粘合剂层上，每个电极跨台阶延伸；和多个分立的间隔开的导电垫，该导电垫设置在该多层叠堆的边界区域而非查看区域中，每个垫设置在接触区域上的不同的对应电极上并且与对应电极物理接触
包括具有改善弯曲强度多层触摸传感器

[发明专利]半导体激光装置-CN201480076545.9有效
发明人：薮原秀彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：实施方式的半导体激光装置具有多个第1单位层叠体和多个第2单位层叠体。多个第1单位层叠体具有包含第1量子阱层且能够通过子带间跃迁发出第1红外线激光的发光区域、以及能够将上述发光区域中向微带能级弛豫的电子向下游侧的单位层叠体输送的电子注入区域。多个第2第2单位层叠体具有包含第2量子阱层且能够通过子带间跃迁发出第2红外线激光的发光区域、以及能够将第2量子阱层的发光区域中向微带能级弛豫的电子向下游侧的单位层叠体输送的电子注入区域。第1单位层叠体与第2单位层叠体具有空间的周期性而层叠。
半导体激光装置

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202211547247.6在审
发明人：金在泽;郑蕙英 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：该半导体存储器装置包括：下结构，其中限定有单元区域和芯片保护区域，其中，单元区域和芯片保护区域沿着第一方向划分；第一下层叠结构，其在芯片保护区域中形成在下结构上，该第一下层叠结构包括多个第一下材料层，该第一下层叠结构包括沿其边缘形成的第一蚀刻停止层；第一上层叠结构，其在芯片保护区域中形成在第一下层叠结构上，该第一上层叠结构包括多个第一上材料层；以及第一狭缝，其在芯片保护区域中穿透第一上层叠结构以暴露第一蚀刻停止层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]具有三维结构的半导体存储器装置及其制造方法-CN202010281354.3在审
发明人：朴泰成;吴星来;金东赫;丁寿男 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：层叠物，其设置在第一基板上方；蚀刻屏障，其包括穿过层叠物并围绕联接区域的多个虚设沟道；以及多个沟道，其在联接区域外部的单元区域中穿过层叠物。层叠物在联接区域内部具有多个第一介电层和多个第二介电层交替地层叠的结构，并且在联接区域外部具有多个第一介电层和多个电极层交替地层叠的结构。
具有三维结构半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]二次电池-CN202310336216.4在审
发明人：臼井英正;田村健博 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M50/121 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池，其中，隔着电解质层叠有正极及负极的电极层叠体被外装部件包装，前述外装部件具有包装前述电极层叠体的外装区域、热封区域、和存在于前述外装区域及前述热封区域之间的中间区域，前述外装区域从前述电极层叠体侧，依次层叠有包含第一树脂的层、包含第二树脂的层、包含金属的层及包含第三树脂的层，前述热封区域在前述包含第二树脂的层的双面，依次层叠有前述包含金属的层及前述包含第三树脂的层，前述中间区域形成有包含前述第一树脂的树脂积存部
二次电池

[发明专利]层叠线圈部件-CN201910788546.0在审
发明人：石川勇磨;吉野真 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠线圈部件具备素体和线圈导体。素体具有非磁性体部和以夹着非磁性体部的方式配置的一对磁性体部。线圈导体配置于非磁性体部内。一对磁性体部中至少一方是将第一磁性体区域、第一非磁性体区域、第二磁性体区域及第二非磁性体区域依次层叠于非磁性体部上而成。非磁性体部、第一非磁性体区域及第二非磁性体区域分别包含。非磁性体部的层叠方向的第一长度和第一非磁性体区域的层叠方向的第二长度的和为第一磁性体区域的层叠方向的第三长度以下。第二长度和第二非磁性体区域的层叠方向的第四长度的和为第二磁性体区域的层叠方向的第五长度以下。第四长度为第二长度以上。
层叠线圈部件

[发明专利]窗用层叠基板具备窗用层叠基板的汽车以及窗用层叠基板用中间层结构体-CN201580012527.9有效
发明人：定金骏介;西滨二郎 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C03C27/12 文献下载
摘要：本发明涉及窗用层叠基板，它是多块基板通过中间层结构体层叠而成的窗用层叠基板，其中，窗用层叠基板在俯视时具有沿着窗用层叠基板的外周的周缘区域和位于周缘区域的内侧的中央区域，中间层结构体在俯视时具有第1区域和第2区域，关于第2区域，俯视时第2区域的面积相对于窗用层叠基板整体的面积的比例，在将用第2区域对静力的剪切弹性模量除以第1区域对静力的剪切弹性模量后的值作为x的情况下，1.40≦x≦2.72时在（‑74.87x＋204.47）%以上，x＞2.72时在（‑0.0067x＋0.87）%以上，且俯视时第2区域的面积占中央区域的面积的比例在0%以上83%以下。
层叠具有具备汽车以及基板用中间层结构

[发明专利]约束部件以及电池模块-CN201880053852.3有效
发明人：田岛光俊 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M50/289 文献下载
摘要：约束部件具备：主体部，在电池的层叠方向X延伸；支承部，在层叠方向X延伸并且从主体部突出，支承电池层叠体；和多个施力部，与支承部隔开规定的间隔而被配置，在层叠方向排列并且从主体部突出，朝向支承部对电池层叠体进行施力在将主体部二分为支承部侧区域和施力部侧区域时，支承部侧区域的刚性比施力部侧区域的刚性小。
约束部件以及电池模块

[发明专利]层叠型高频模块-CN201110144127.7有效
发明人：秋山贵宏 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于实现一种层叠型高频模块，该层叠型高频模块具有模拟电路部和数字电路部，还能在不使特性恶化的情况下实现小型化。层叠体(100)中层叠有多层电介质层(101-118)。电介质层(101-103)为下层区域，设置有数字电路。电介质层(104-115)为中间层区域，设置有数字电路和模拟电路，以使得对层叠体(10)进行俯视时互不重叠。电介质层(116-118)为上层区域，设置有数字电路。在上层区域的上部的层叠体(100)的顶面安装有数字IC。在下层区域和中层区域之间、在大致整个表面上设置有内层接地电极(401)，在中间层区域和上层区域之间、在大至整个表面上设置有内层接地电极(402)。在中间层区域中，在层叠方向上交替形成数字布线和内层接地电极。
层叠高频模块

[发明专利]层叠陶瓷电子部件及其制造方法-CN201080002124.3有效
发明人：平田阳介;辻英昭;大森长门;和田博之;平松隆;齐藤义人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠陶瓷电子部件，其具备具有内部电极的层叠体，即使陶瓷层及内部电极被薄层化，在用以烧结层叠体的焙烧步骤中也不易产生电极切断或玉化等状态变化，且改善DC偏压特性。层叠体(12)针对构成陶瓷层的陶瓷粒径，将其分类成比较大的大颗粒区域(13)与比较小的小颗粒区域(14)。大颗粒区域位于小颗粒区域外侧，大颗粒区域与小颗粒区域的交界面(15)包围层叠体中存在内部电极的部分(16)并位于层叠体的外表面内侧。为获得层叠体，焙烧步骤中，以设定从室温至最高温度的平均升温温度为40℃/秒以上的温度分布进行热处理。
层叠陶瓷电子部件及其制造方法

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