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[发明专利]聚焦离子束杂质鉴定-CN202010100620.8有效
发明人： J.格雷厄姆;L.克拉尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：聚焦离子束杂质鉴定。具有带电粒子束(CPB)透镜和离子束柱的双束系统可以在分析模式下运行。在所述分析模式下，来自所述离子束柱的离子束可以由CPB偏转为包含主离子束和一个或多个非主离子束的一个或多个分量束。所述双束系统可以鉴定所述非主离子束的离子种类。
聚焦离子束杂质鉴定

[发明专利]一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法-CN201310439401.2有效
发明人：张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，属于超精密加工技术领域，该方法包括:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。利用本发明提供的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，能够实现对微结构的侧壁进行高精度的抛光。
一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁方法

[发明专利]离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法-CN200610128503.2有效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。
离子注入装置以及得到不均匀能量方法

[发明专利]一种离子注入机及离子束监测调制方法-CN202310643226.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：浙江露语尔半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机及离子束监测调制方法。为了克服现有技术中离子注入机难以在离子束注入硅片过程中实现实时监测和调制的问题，本发明装置包括分析器磁体，其内部设置磁场空间，离子束经过磁场空间抵达离子束出口后射出，离子束出口处设置若干导电结构，导电结构与测量设备耦合；方法包括离子束由离子源经离子束入口注入分析器磁体内部的磁场空间，经离子束出口射出；离子束出口处的离子束经导电结构实时测量并调制后，沿期望轨迹投射至接收晶片。能够通过实时监测离子束偏转来校正从分析器磁体输出的离子束偏离期望轨迹的偏转，从而使其按照期望轨迹注入硅片。
一种离子注入离子束监测调制方法

[发明专利]离子注入装置-CN200880004331.5有效
发明人：辻康之 -专利权人：三井造船株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的离子注入装置(10)包括：离子源(22)，产生离子束；离子束整形部(20)，将产生的离子束整形为带状离子束；射束输送部(30)，在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后，使带状离子束照射到处理基板(62)上；处理部(60)，将带状离子束照射到处理基板(62)上；透镜单元(40)，对带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的，其中，所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成，将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲，从而能够精度良好地调整电流密度分布。
离子注入装置

[发明专利]核聚变装置及方法-CN202180030630.1在审
发明人：叶夫根尼·齐佩 -专利权人：叶夫根尼·齐佩
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：第一离子束及第二离子束在活性空间内依次沿着第一路径及第二路径定向。在每一个别离子束的每一路径内的点，每一离子束具有每一离子束内的离子的基本均匀能量及具有每一离子束内的离子的基本均匀速度矢量。所述第一离子束及所述第二离子束在所述活性空间中的反应区内实质相互正面碰撞，而所述第一离子束的离子的能量与所述第二离子束的离子的能量的比等于各自的离子质量的反比。所述第一离子束及所述第二离子束的散射离子的能量被回收，而且冷离子从所述活性空间排空。
聚变装置方法

[发明专利]离子束抛光方法-CN201510331466.4有效
发明人：吴丽翔;邱克强;曾思为;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束抛光方法。该离子束抛光方法应用的离子束抛光设备包括工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑(2)；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑(2)在工件表面移动，实现对工件的抛光。本发明中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。
离子束抛光设备应用方法

[发明专利]复合带电粒子束装置和控制方法-CN202010064843.3有效
发明人：杉山安彦;广濑菜绪子;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明提供复合带电粒子束装置和控制方法，能够根据会聚离子束的期望的加速电压来设定会聚离子束的射束助推器的电压的值。复合带电粒子束装置具有：离子供给部，其供给离子束；加速电压施加部，其通过向离子供给部所供给的离子束施加加速电压，而使离子束加速；第1会聚部，其使离子束会聚；射束助推电压施加部，其向离子束施加射束助推电压；第2会聚部，其使离子束会聚而向试样照射；电子束照射部，其向试样照射电子束；以及控制部，其根据如下设定值设定射束助推电压施加部向离子束施加的射束助推电压的值，该设定值是根据加速电压施加部向离子束施加的加速电压的值和会聚后的离子束的焦距而预先确定的
复合带电粒子束装置控制方法

[发明专利]离子束照射方法和离子束照射装置-CN201110306186.X无效
发明人：宇根英康;田中浩平;滨本成显;藤田秀树 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供离子束照射方法和离子束照射装置，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分进行离子照射的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止或在处理中途异常结束的情况下，也可以对基板的整个面注入所希望的剂量在进行一个往返的离子束照射处理后，控制基板转动机构，使基板转动180度后，再将基板放入离子束照射装置，对没有完成离子束照射处理的范围进行离子束照射，从而对基板的整个面进行离子束照射。
离子束照射方法装置

[发明专利]具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机-CN200680004113.2有效
发明人：罗素·J·罗;郭登·C·安裘 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-02-03 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。
具有离子束跳动回复快速偏转圆扫描离子布植机

[发明专利]一种回旋离子束加工装置-CN202010542689.6在审
发明人：任明俊 -专利权人：上海琳鼎光学科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种回旋离子束加工装置，属于离子加工设备技术领域。它包括工作台、离子源、离子束引出装置、离子束速度选择器、离子束聚焦组件、末端离子束束流检测器、三维移动平台。通过均匀磁场使得离子束做回旋运动，三维移动平台控制离子束逐渐接近工件表面，对工件材料表面进行加工，由于离子束做回旋运动，加工完成后完全射出磁场，不会继续对工件表面造成损伤，因此，去除量一致性较好，工件表面更加平整；末端离子束束流检测器能够判断离子束与工件表面的接触情况以及当前接触点的材料去除是否已经完成。
一种回旋离子束加工装置

[实用新型]一种回旋离子束加工装置-CN202021105156.3有效
发明人：任明俊 -专利权人：霖鼎光学（上海）有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种回旋离子束加工装置，属于离子加工设备技术领域。它包括工作台、离子源、离子束引出装置、离子束速度选择器、离子束聚焦组件、末端离子束束流检测器、三维移动平台。通过均匀磁场使得离子束做回旋运动，三维移动平台控制离子束逐渐接近工件表面，对工件材料表面进行加工，由于离子束做回旋运动，加工完成后完全射出磁场，不会继续对工件表面造成损伤，因此，去除量一致性较好，工件表面更加平整；末端离子束束流检测器能够判断离子束与工件表面的接触情况以及当前接触点的材料去除是否已经完成。
一种回旋离子束加工装置

[发明专利]一种加速器分析磁铁后疑似离子束的甄别方法及其装置-CN201510303403.8有效
发明人：任晓堂 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种加速器分析磁铁后疑似离子束的甄别方法及其装置。本发明在分析磁铁后加装一对与疑似离子束行进方向平行的对称的静电偏转板；疑似离子束通过静电偏转板到达离子束位置探测器，通过在离子束位置探测器上偏离中心的距离，判断是否为实验所需离子束，并获得所占的份额为多少本发明对产生疑似离子束的加速器类型没有限制；对静电加速器产生的疑似离子束，相关甄别计算更为方便；对疑似离子束的种类和数目没有限制；对疑似离子束的束流稳定性没有要求；对疑似离子束的束流强度没有严格要求，只要该疑似离子束能被所使用的离子束位置探测器测量到即可
一种加速器分析磁铁疑似离子束甄别方法及其装置

[发明专利]用于扫描束注入机的束轮廓确定速度提升-CN201580071116.7有效
发明人：安迪·雷;爱德华·C·爱斯纳 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统和方法，其中离子束被调节到第一工艺处方。沿扫描平面以第一频率扫描该离子束，限定第一扫描离子束。将束轮廓确定装置平移通过所述第一扫描离子束，并在所述第一扫描离子束的宽度的范围测量所述第一扫描离子束的一个或多个属性，由此限定与所述第一扫描离子束相关联的第一束轮廓。然后，沿扫描平面以第二频率扫描所述离子束，由此限定第二扫描离子束，其中，第二频率小于第一频率。至少部分地基于所述第一束轮廓确定与所述第二扫描离子束相关联的第二束轮廓。随后，经由所述第二扫描离子束将离子注入到工件中。
用于扫描注入轮廓确定速度提升

[发明专利]一种离子束传输光路-CN201811201399.4有效
发明人：彭立波;张赛;易文杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束传输光路，包括用于产生包含目标元素离子的离子源、用于引出包含目标元素离子的离子束的引出电极、用于对离子束进行筛选的分析器、设有光栏缝的分析光栏、用于离子束聚焦的聚焦透镜、用于提升离子束能量的加速管、用于对离子束进行对称扫描以将离子束扩张为扇形扫描离子束的对称静电扫描电极、以及用于对扇形扫描离子束的角度进行矫正以形成平行离子束的均匀磁场平行透镜，所述离子源、引出电极、分析器、分析光栏、聚焦透镜、加速管
一种离子束传输