专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]结构及制造工艺-CN201110134729.4有效
  • 施政宏;郭士祯;陈文童 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-05-16 - 2012-11-21 - H01L23/00
  • 本发明是有关于一种结构及制造工艺,该结构,其设置于一载板上,其包含有第一高分子块体、第二高分子块体、第一沟槽、下金属层及接合金属层,其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为独立的块体,该第一高分子块体具有第一接合槽,该第二高分子块体具有第二接合槽,该下金属层覆盖该第一高分子块体及该第二高分子块体,该下金属层形成有第二沟槽、第三接合槽及第四接合槽,该接合金属层覆盖该下金属层,且该接合金属层形成有第三沟槽
  • 结构制造工艺
  • [发明专利]制造工艺及其结构-CN201110194648.3有效
  • 谢庆堂;郭志明 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-07-08 - 2013-01-09 - H01L21/60
  • 本发明有关一种制造工艺及其结构。其中制造工艺包括:提供一基板;形成一含铜金属层于该基板,含铜金属层具有第一区及第二区;形成一光阻层于含铜金属层;图案化光阻层;形成铜且各铜具有一第一顶面;形成一导接层于第一顶面,该导接层具有一第二顶面;移除光阻层;移除第二区,并使第一区形成一下金属层,各下金属层具有一第一外周壁,各铜具有一第二外周壁,导接层具有一第三外周壁;形成一防游离层,防游离层具有一覆盖基板的第一覆盖段、一覆盖第一外周壁
  • 制造工艺及其结构
  • [发明专利]斜锥状结构-CN201110009625.0有效
  • 巫志弘;何荣华;郭志明;施政宏;邱奕钏 - 颀邦科技股份有限公司
  • 2011-01-11 - 2012-07-18 - H01L23/00
  • 本发明是有关于一种斜锥状结构,其设置于一载体上,该载体具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开口,且上述开口显露出上述焊垫,该斜锥状结构包含有一导电及一斜锥状绝缘层,该导电设置于该载体的该焊垫,该斜锥状绝缘层包覆于该导电的侧面,该斜锥状绝缘层具有一邻近该载体的底部及一在该底部上方的顶部,该斜锥状绝缘层的外径由该底部向该顶部逐渐缩小,当该载体压合于一基板及一设置于该基板上的异方性导电胶时,该斜锥状结构可快速嵌入该异方性导电胶中以增加该异方性导电胶流动效率并可避免造成相邻的短路以提高封装工艺良率
  • 斜锥状凸块结构
  • [发明专利]修正轮廓的方法-CN02140508.5有效
  • 赖俊仁 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2002-07-05 - 2004-01-07 - H01L21/768
  • 一种修正轮廓的方法,此方法首先提供一基底,且基底上已形成有一。接着,进行一两步骤沉积制作工艺,以在的侧壁形成一高分子材料层。其中,本发明于侧壁形成高分子材料层的方法,可控制其由侧壁的顶部向侧壁的底部生长,也可控制其由侧壁的底部往侧壁的顶部生长。
  • 修正轮廓方法
  • [发明专利]形成焊接的方法-CN200610108554.9有效
  • 黄敏龙;吴宗桦 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-07-21 - 2008-01-23 - H01L21/60
  • 本发明提供一种形成焊接的方法。首先,提供一个基底,且该基底表面形成有一个下金属层。接着在该下金属层表面形成一个图案化光阻层,且该图案化光阻层包含有至少一个开口,用以暴露部分该下金属层。之后在该开口内的部分该下金属层表面形成一个底镀层,并在该开口中填入焊料。然后进行光阻剥离步骤,以移除该图案化光阻层,并进行蚀刻制程步骤,利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该底镀层与部分该下金属层,接着进行回焊制程以形成该焊接
  • 形成焊接方法
  • [发明专利]焊料的制造方法-CN200610147806.9有效
  • 王继明;李润领;孟津;梅娜 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-12-22 - 2008-06-25 - H01L21/60
  • 一种焊料的制造方法,包括:提供一具有引线焊的半导体基底;在所述引线焊上至少形成一金属层;在所述金属层上形成光刻胶层,并图形化形成开口,所述开口位于所述引线焊上方相应位置,且所述开口底部露出所述金属层;用电镀法在所述开口中形成焊料,所述电镀法中电流的平均电流密度为3至4ASD;去除所述光刻胶层和未被所述焊料覆盖的金属层;对所述焊料回流。本发明的制造方法能够使形成的焊料个组分的分布均匀,强度较大,更有利于向电路板和其它基底粘合。
  • 焊料制造方法
  • [发明专利]形成金属的方法-CN200610126107.6有效
  • 王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-08-22 - 2008-02-27 - H01L21/60
  • 本发明关于提供一种形成金属的方法,包括以下步骤:提供一个具有数个导电焊垫的基板;在基板上形成防焊层,且该防焊层具有第一开口以露出导电焊垫;在防焊层上形成光阻层,且该光阻层具有第二开口以露出导电焊垫;该第一开口的侧壁以及导电焊垫;在导电层上电镀金属层,且该金属层填满第一开口与第二开口;进行平坦化,以去除光阻层上的导电层以及金属层,只留下位于第一开口与第二开口中的导电层以及金属层;移除光阻层并进行回焊,以形成金属
  • 形成金属方法
  • [发明专利]的形成方法-CN200910198578.1无效
  • 王津洲 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-11-10 - 2011-05-11 - H01L21/48
  • 一种的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层,所述金属垫层镶嵌于钝化层中,且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层;在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层;在金属屏蔽层上形成光刻胶层,所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口;在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成金属金层;去除光刻胶层后,刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层;在金属屏蔽层和金属金层两侧形成侧墙;进行退火工艺,形成金本发明间不会发生桥接现象,避免了短路现象的发生,提高了半导体器件的电性能。
  • 形成方法

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