专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种手机NFC感应控制的加密U盘电路-CN202110931655.0在审
  • 龙凤英 - 龙凤英
  • 2021-08-13 - 2021-11-12 - G06F21/72
  • 本发明公开了一种手机NFC感应控制的加密U盘电路,包括USB接口与电源电路存储读写控制电路存储、NFC近场感应电路存储访问控制电路,通过这些电路组成,本U盘电路接入电脑USB接口时电脑暂时还不能访问U盘,需要带有NFC近场感应功能的手机靠近本U盘电路,在手机相应的界面输入对应的密码才可以访问U盘,通过这种需要权限才能使用U盘,使U盘具备一定的存储信息防泄露功能,有效的保护了U盘中存储的文件,使之具有一定的应用价值
  • 一种手机nfc感应控制加密电路
  • [实用新型]一种外挂ROM加密保护电路-CN202222584731.8有效
  • 张兆东;陈波;吴兵;陈磊;程云章;林艳萍;金伟;陈静雯 - 磅客策(上海)智能医疗科技有限公司
  • 2022-09-28 - 2023-01-10 - G05B19/042
  • 本实用新型涉及一种外挂ROM加密保护电路,属于外挂只读存储领域,一种外挂ROM加密保护电路包括:微控制单元、只读存储、以及连接于所述微控制单元和所述只读存储之间的总线加密电路;所述总线加密电路由FPGA芯片构成,本实用新型首先用FPGA接管地址总线和数据总线,FPGA芯片的工作模式受模式总线控制,此工作方式可以实现整个系统的动态加密,不同的工作模式可以启用各种预定的地址总线和数据总线的乱序模型,只要按只读存储(ROM)写入时地址总线和数据总线所采用的总线乱序序列,则微控制单元(MCU)就可以正确获取只读存储(ROM)内的数据,模式总线工作方式采取单总线模式,信号采用复位脉冲,序列脉冲的不同组合来达到总线乱序序列选择的目的
  • 一种外挂rom加密保护电路
  • [发明专利]集成电路装置及电子设备-CN200610091109.6有效
  • 小平觉;井富登;河口秀次;熊谷敬;石山久展;前川和广 - 精工爱普生株式会社
  • 2006-06-30 - 2007-01-10 - H01L27/00
  • 本发明提供可灵活进行电路配置,并能实现效率良好的布局的集成电路装置及包含该集成电路装置的电子设备。其中,集成电路装置包括显示存储,在形成有多条位线BL、/BL的金属布线层ALC上形成向多个存储单元MC供给第一电源电压VSS的多条第一电源供给布线VSSL1、VSSL2,在形成有多条字线WL的金属布线层ALB上形成向多个存储单元MC供给电压高于第一电源电压VSS的第二电源电压VDD的第二电源供给布线VDDL,在多条位线BL、/BL的上层形成多条位线保护用布线SHD1,多条位线的各条和多条位线保护用布线的各条包括在俯视图上相互重叠的区域,在多条位线保护用布线的上层形成向显示存储之外的电路供给电压高于所述第二电源电压的第三电源电压的第三电源供给布线GL。
  • 集成电路装置电子设备
  • [发明专利]GPS车载终端-CN201710950555.6在审
  • 李傲 - 李傲
  • 2017-10-13 - 2018-03-13 - G01S19/13
  • 本发明公开了一种GPS车载终端,包括控制存储、防护电路、输入模块、定位模块、电源和无线信号接收模块,所述的存储、防护电路、输入模块、定位模块、电源和无线信号接收模块均连接在控制上,其在控制上连接防护电路,增强对终端的保护作用。
  • gps车载终端
  • [发明专利]电路和方法-CN202211222616.4在审
  • O·H·乌伦霍尔特 - ARM有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-04-07 - G06F12/1081
  • 一种电路包括:存储访问电路,用于通过将虚拟存储地址空间中的虚拟存储地址映射到物理存储地址空间中的物理存储地址来控制存储访问,存储访问电路被配置为提供稀疏映射,在稀疏映射中,虚拟存储地址空间的映射子集被映射到物理存储,同时虚拟存储地址空间的未映射子集未映射,存储访问电路被配置为丢弃对虚拟存储地址空间的未映射子集中的虚拟存储地址的写操作;处理电路,用于执行定义处理操作的程序代码以生成处理后的数据,并且将处理后的数据存储在适用于处理操作的虚拟存储地址空间的存储区域中;检测电路,用于检测存储区域是否完全在虚拟存储地址空间的未映射子集内;以及控制电路,用于响应于由检测电路检测到适用于处理操作的存储区域完全在虚拟存储地址空间的未映射子集内而禁止处理操作的完成
  • 电路方法
  • [发明专利]用于冗余的高效电力方案-CN202010473217.X在审
  • R·E·法肯索尔;D·R·米尔斯 - 美光科技公司
  • 2020-05-29 - 2020-12-22 - G11C5/14
  • 一种存储装置可包含电路系统,其存储与一或多个有缺陷或不可靠的存储组件相关的存储地址信息,并且将存储地址信息与作为存储存取操作的目标的存储地址进行比较。所述存储装置可基于所述电路系统内的一或多个电路是否存储存储地址信息来选择性地将目标存储地址分配到那些电路。额外地或可替代地,所述存储装置可基于所述电路系统内的一或多个电路是否存储存储地址信息来选择性地为那些电路供电。
  • 用于冗余高效电力方案
  • [发明专利]融合存储装置及其制造方法-CN201911299184.5在审
  • 朴玄睦;金大贤;金镇民;金会承;朴贤植;李相吉 - 三星电子株式会社
  • 2019-12-17 - 2020-06-30 - H01L27/24
  • 公开了融合存储装置及其制造方法。融合存储装置包括:第一存储装置,其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第一衬底和位于第一衬底的有源表面上的第一存储单元电路;非存储装置,其包括具有彼此相对的有源表面和无源表面的第二衬底和位于第二衬底的有源表面上的非存储电路,所述非存储装置设置在第一存储装置上;和第二存储装置,其位于第二衬底的无源表面上,并且包括与第一存储单元电路不同的第二存储单元电路。非存储装置设置在第一存储单元电路和第二存储单元电路之间,并且对第一存储单元电路和第二存储单元电路中的每一个的电操作进行控制。
  • 融合存储器装置及其制造方法
  • [实用新型]多功能单片学习机-CN02284226.8无效
  • -
  • 2002-11-14 - 2003-10-22 - G06F15/18
  • 一种多功能单片学习机,它包括电源电路、电源中断电路、数码显示电路、扬声电路、程序自动切换电路、单片机、外部存储电路存储保护电路、红外遥控电路、键盘输入电路、RS232通信电路、RS485通信电路,单片机分别连接电源电路、数码显示电路、扬声电路、外部存储电路存储保护电路,其特征是单片机上还连接有程序自动切换电路、键盘输入电路、红外遥控电路、RS232和RS485通信电路。本实用新型提供了三种编程接口,即红外遥控接口、系统键盘接口、微机接口,使用者可通过其中的任一接口方式进行编程实验,通过程序切换电路、自动控制切换系统程序和用户程序,学习机成本低廉,功能齐全,工作稳定可靠
  • 多功能单片学习机
  • [发明专利]具有可编程原子操作的存储控制-CN201980010140.8在审
  • T·M·布鲁尔 - 美光科技公司
  • 2019-01-28 - 2020-09-11 - G06F13/16
  • 本发明公开一种存储控制电路(100),其可耦合到第一存储电路(125),例如DRAM,并且包含:第一存储控制电路(155),其从所述第一存储电路读取或对所述第一存储电路写入;第二存储电路(175),例如SRAM;第二存储控制电路(160),其被调适成当所请求的数据存储于所述第二存储电路中时,响应于读取的读取请求而从所述第二存储电路读取,否则将所述读取请求传送到所述第一存储控制电路;预定原子操作电路系统(185);和可编程原子操作电路系统(135),其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储电路的高速缓存行设置危险位。
  • 具有可编程原子操作存储器控制器
  • [发明专利]存储控制-CN201980010364.9在审
  • T·M·布鲁尔 - 美光科技公司
  • 2019-01-28 - 2020-09-11 - G06F13/16
  • 本发明公开一种存储控制电路(100),其可耦合到第一存储电路(125),例如DRAM,并且包含:第一存储控制电路(155),其从所述第一存储电路读取或对所述第一存储电路写入;第二存储电路(175),例如SRAM;第二存储控制电路(160),其被调适成当所述所请求的数据存储于所述第二存储电路中时,响应于读取的读取请求而从所述第二存储电路读取,否则将所述读取请求传送到所述第一存储控制电路;预定原子操作电路系统(185);和可编程原子操作电路系统(135),其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储电路的高速缓存行设置危险位。
  • 存储器控制器

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