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[实用新型]太阳能级单晶硅片-CN201220414957.7有效
发明人：夏学军 -专利权人：云南三奇光电科技有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种太阳能级单晶硅片，其包括硅片本体，该硅片本体采用单晶硅制作而成，所述硅片本体为平行四边形结构，该硅片本体的厚度为100um～200um。本实用新型的太阳能级单晶硅片，其针对于不规则硅棒体，采用平行四边形结构设置，进行因形而取材，可以避免回炉，减少损耗。
太阳能级单晶硅

[实用新型]太阳能级单晶硅片-CN201120333107.X有效
发明人：甘大源;朱海亮;刘坤;张顺怡 -专利权人：太仓协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能级单晶硅片，其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，该方形薄片的四个角为圆弧。本实用新型提供的太阳能级单晶硅片切割后不会造成缺角、不易崩边，且在加工硅片端面时，不容易产生破坏性的崩口，提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率；相对于倒角而言，磨圆角后增大了硅片可用面积，提高了发电效率，同时也提高了边缘表面质量；将硅片的厚度由原来的200±20μm降低到160±4μm，提高了硅片的出片率。
太阳能级单晶硅

[实用新型]太阳能级单晶硅片-CN201120056165.2有效
发明人：陈雪;黄振飞;刘振淮 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-03-05 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种用于制备太阳能电池的单晶硅片，一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于4，正多边形的最长对角线为150mm～455mm，所述的正多边形的各个角处设置有倒角或圆弧，与传统的准方形硅片相比，正多边形的边数越多，硅料的利用率越高，硅单晶的圆棒的圆弧倒角尺寸越大，则硅料的利用率越高。
太阳能级单晶硅

[发明专利]N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法-CN201110227678.X有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法。以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，具体工艺步骤：方棒机械抛光，抛光电流6-10A，工件移动速度10-25mm/min，用HF酸与HNO3化学抛光，多线切割，硅片脱胶，硅片清洗，硅片烘干；在硅单晶切割、脱胶、清洗工艺中减小沾污以保持N型单晶硅片的寿命，本发明实用、效率高、成本低，能够制得N型、<100>晶向、电阻率范围为1～20Ω·cm、IRON (Fe)＜5E+13atoms/cm2、COPPER(Cu)＜20E+13atoms/cm2、少数载流子寿命＞1000μs的太阳能级单晶硅片，使其远优于普通方法制得的N型单晶硅片，能满足高效太阳能电池的要求。
少子寿命大于 1000 微秒太阳能硅片制造方法

[发明专利]一种单晶硅片的清洗方法-CN200910099495.7无效
发明人：张春明;张建伟;王焕俊 -专利权人：嘉兴五神光电材料有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的清洗方法，旨在提供一种单晶硅片的清洗方法，把硅片表面的白斑、手指以及砂浆等残留物质去除干净，消除单晶硅片表面的手指印和白斑现象，使太阳能级单晶硅片的质量和转换效率得到进一步提升该方法通过砂浆预冲、脱胶、插片、清洗、甩干、检测，尤其采用氢氟酸溶液的浸泡和不同于常规的清洗方法以及工人在不同工序操作时，佩戴相应的手套，将硅片经过氢氟酸浸泡和清洗液等的清洗能有效地消除手指印和白斑现象
一种单晶硅清洗方法

[发明专利]一种绒面单晶硅太阳能电池及其制备方法和制备系统-CN200910088732.X无效
发明人：贾士亮 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种绒面单晶硅太阳能电池的制备方法，包括：在单晶硅片的一面上制备保护膜，形成具有单面保护膜的单晶硅片；将具有单面保护膜的单晶硅片置于腐蚀液中进行制绒处理，使单晶硅片的另一面腐蚀为绒面；将一面为绒面、一面为保护膜的单晶硅片置于除膜液中进行保护膜去除处理，形成单面绒面的单晶硅片；单面绒面的单晶硅片经过扩散制结过程形成单晶硅太阳能电池。本发明还提供了一种根据所述方法制备的绒面单晶硅太阳能电池和绒面单晶硅太阳能电池的制备系统。根据本发明制备出了单面绒面结构的单晶硅太阳能电池，提高了电池的转换效率，避免了“铝泡”现象的发生；同时利用生产线上的现有设备，提高了设备的利用率。
一种单晶硅太阳能电池及其制备方法系统

[发明专利]一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片制取方法-CN201210161745.7无效
发明人：张素敏;郭樱花;刘秦;吴凯;曹博 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型太阳能级单晶硅棒性能测试样片的制取方法。包括以下步骤：⑴用切断机沿硅单晶体的头尾横截面分别切割硅单晶测试样片，⑵用抛光设备对硅片表面进行机械打磨抛光，除去硅片表面因切割产生的刀痕以及表面机械应力损伤层，⑶样片置于酸液中腐蚀，除去深度损伤层，消除硅片表面的杂质污染经本发明制取的样片可真实表达单晶硅棒的性能参数，提高单晶硅棒的利用率。
一种太阳能级单晶硅性能测试样片制取方法

[发明专利]一种单晶硅片降低电阻值的处理方法-CN201110277996.7无效
发明人：汪军;曾世铭;张景林;陈果;涂承亮 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种单晶硅片降低电阻值的处理方法，包括步骤如下选料，选择厚度为200±20μm，中心电阻率3-6Ω.cm，棱线边缘电阻率1-3Ω.cm，采用直拉式单晶炉制备的P型太阳能级单晶硅片；装料，硅片承载架底层放置2片平整的单晶硅片，然后放置10-50片待处理单晶硅片，在其上面放置2片平整的单晶硅片，然后用抓钳推进电阻炉内平放；热处理，热处理温度设置为500-600℃，加热退火时间为15-20min；空气冷却，电阻率超标的单晶硅片，在500-600℃温度场中，放置15-20min后，用抓钳取出放置在室温自然环境中空气冷却；测试比较，单晶硅片冷却至室温，表面洁净后用hennecke硅片分选机进行测试，电阻率回到0.5-3Ω·cm时可有效降低硅片的电阻率，具有工艺简单、效果好的特点，且节能、成本低。
一种单晶硅降低阻值处理方法

[发明专利]一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810688397.6在审
发明人：余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Al₂O₃薄膜的太阳能级单晶硅片通过本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
准单晶硅铸锭阻挡层坩埚硅片氧化铝薄膜少子寿命太阳能级单晶硅片氮化硅涂层底座内表面表面沉积转换效率准单晶薄膜切割电池铸造

[实用新型]一种设有凸点的太阳能电池片-CN201320374731.3有效
发明人：卢君;马嫣明;李向清 -专利权人：江苏爱多光伏科技有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种设有凸点的太阳能电池片，所述设有凸点的太阳能电池片包括单晶硅片和设置在单晶硅片上端的玻璃保护层，所述单晶硅片上表面设有凸点，所述单晶硅片下表面设有电极；所述单晶硅片下端设有缓冲层。通过在太阳能电池片的上表面设置凸点可以使得太阳能电池片更好的与玻璃保护层紧密的结合。这样的结构更适合铺设在底面进行发电。大大的拓展了光伏技术的使用领域，满足了市场需求。
一种设有太阳能电池

[发明专利]单晶硅片太阳能电池制造方法及其刻蚀方法-CN201110267103.0有效
发明人：钱家锜;林育玫;高伟哲;江漪凌 -专利权人：华康半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法及适用于单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，该刻蚀方法包含：利用一包含银离子的碱性刻蚀液，刻蚀一单晶或类单晶硅片的至少一表面，以使单晶或类单晶硅片的至少一表面制绒化通过在碱性刻蚀液中的银离子能催化碱刻蚀反应速率的特性，来缩短单晶或类单晶硅片制绒化工艺时间。
单晶硅太阳能电池制造方法及其刻蚀

[发明专利]一种应用于硅太阳能电池的镀膜工艺-CN200910099021.2无效
发明人：胡本和 -专利权人：胡本和
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于硅太阳能电池的镀膜工艺，属于晶体硅太阳能电池制造领域，现有工艺产生的氨和氢离子对单晶硅片和表面的膜存在一定的刻蚀作用，此时会对单晶硅片表面产生一定的损伤，本发明先在单晶硅片表面热生长一层可以提高太阳能电池单晶硅片表面的钝化效果，降低太阳能电池单晶硅片表面的载流子复合速率，增加少子寿命，提高太阳能电池的性能。方法简单，易于实现，无污染。可以在常规的晶体硅太阳能电池生产过程中应用。
一种应用于太阳能电池镀膜工艺

[发明专利]一种太阳能级单晶硅片表面处理设备-CN202211739027.3有效
发明人：严循成;何迎辉 -专利权人：江苏福旭科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供了应用于单晶硅片表面处理领域的一种太阳能级单晶硅片表面处理设备，在进行相应的磨削处理时，打磨圆柱底部的砂轮底盘对单晶硅片背面的多余材料予以磨削处理，同时内杆下移并带动翼板伸入多余材料的内部，利用尖锥设计和翼板的偏转对多余材料进行先钻孔后裂解的处理，使得多余材料在裂解后能借助托承圆盘的转动离心作用，使得裂解的多余材料能够顺利甩离单晶硅片的表面，减少后续磨削操作，实现硅片背面减薄目的的同时提高操作效率，同时在磁吸滑块与托承圆盘的配合下，使得磁吸滑块在离心运动时能够利用摩擦块进一步加强裂解后多余材料分离的效果，方便离心甩离单晶硅片的表面。
一种太阳能级单晶硅表面处理设备

[发明专利]一种新型柔性太阳能电池板-CN201510403219.0在审
发明人：刘一锋 -专利权人：刘一锋
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种新型柔性太阳能电池板，提高了柔性太阳能电池板的发电效率，降低了生产成本。其中，透明的氧化锌导电薄膜代替了原有的栅线电机作为太阳能电池板的上部电极，降低了太阳能电池板由于栅线阴影遮挡造成的光学损失，减小了太阳能电池板栅线造成的接触电阻；其中，单晶硅片采用化学腐蚀工艺，将单晶硅片表面制绒，降低了单晶硅片的反射率，提高单晶硅片对太阳光的吸收率；其中，太阳能电池板下表面经过了钝化处理，降低了柔性太阳能电池板的电学损失；其中，单晶硅厚度为100微米，采用EVA塑料封装，使太阳能电池板具有了柔性
一种新型柔性太阳能电池板

[实用新型]一种新型柔性太阳能电池板-CN201520504781.8有效
发明人：刘一锋 -专利权人：刘一锋
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种新型柔性太阳能电池板，提高了柔性太阳能电池板的发电效率，降低了生产成本。其中，透明的氧化锌导电薄膜代替了原有的栅线电机作为太阳能电池板的上部电极，降低了太阳能电池板由于栅线阴影遮挡造成的光学损失，减小了太阳能电池板栅线造成的接触电阻；其中，单晶硅片采用化学腐蚀工艺，将单晶硅片表面制绒，降低了单晶硅片的反射率，提高单晶硅片对太阳光的吸收率；其中，太阳能电池板下表面经过了钝化处理，降低了柔性太阳能电池板的电学损失；其中，单晶硅厚度为100微米，采用EVA塑料封装，使太阳能电池板具有了柔性
一种新型柔性太阳能电池板

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