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[发明专利]拼接式磁控溅射平面靶材及其使用方法-CN202211046105.1在审
发明人：闫晓晖 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种拼接式磁控溅射平面靶材及其使用方法。其中，拼接式磁控溅射平面靶材包括各自独立且相互过盈连接的圆形靶材和若干个环形靶材，圆形靶材位于拼接式磁控溅射平面靶材的中心，环形靶材与圆形靶材同心设置且围绕圆形靶材的外周分布，外圈靶材的环宽根据磁控溅射的磁场强度对应设置通过将磁控溅射平面靶材分为多块同心设置且可以相互分离的独立靶材区域，在磁控溅射沉积过程中，可以方便的更换消耗完毕或接近消耗完毕的靶材结构，无需整体更换整个靶材，提高各区域靶材的利用率，提高经济效益。
拼接磁控溅射平面及其使用方法

[实用新型]一种多溅射轨道的平面磁控溅射靶-CN201620124930.2有效
发明人：李志荣;李志方;罗志明 -专利权人：东莞市汇成真空科技有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种多溅射轨道的平面磁控溅射靶，包括靶板、磁体组件，所述磁体组件安装在所述靶板后方，所述磁体组件中磁体的布置结构使其在所述靶板的靶面上形成两个以上的椭圆形或圆形溅射轨道。本实用新型平面磁控溅射靶通过在靶板的靶面上形成多个密集排布的溅射轨道，使平面磁控溅射靶靶材利用率高、发射的等离子体浓度高、发热相对较为分散、镀出的膜层均匀性好。
一种溅射轨道平面磁控溅射

[发明专利]旋转式多靶材磁控溅射阴极-CN202011536381.7在审
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射技术领域，提出了旋转式多靶材磁控溅射阴极，包括阳极及磁铁组件，所述阳极上开设有溅射孔，所述磁铁组件与所述阳极之间设置有靶材支架及一组靶材，所述溅射孔与所述靶材之间形成溅射区，所述靶材设置在所述靶材支架上，所述靶材与所述磁铁组件大小适配，任一所述靶材借助所述靶材支架旋转至所述溅射区，只有旋转到磁铁组件正上方的靶材会发生磁控溅射，其他靶材因所处位置处磁场极弱、溅射气流不足，无法起辉溅射，解决了现有技术中一个溅射阴极只能固定一个靶材及无法同一位置溅射不同材料的问题
旋转式多靶材磁控溅射阴极

[实用新型]旋转式多靶材磁控溅射阴极-CN202023140752.8有效
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控溅射技术领域，提出了旋转式多靶材磁控溅射阴极，包括阳极及磁铁组件，所述阳极上开设有溅射孔，所述磁铁组件与所述阳极之间设置有靶材支架及一组靶材，所述溅射孔与所述靶材之间形成溅射区，所述靶材设置在所述靶材支架上，所述靶材与所述磁铁组件大小适配，任一所述靶材借助所述靶材支架旋转至所述溅射区，只有旋转到磁铁组件正上方的靶材会发生磁控溅射，其他靶材因所处位置处磁场极弱、溅射气流不足，无法起辉溅射，解决了现有技术中一个溅射阴极只能固定一个靶材及无法同一位置溅射不同材料的问题
旋转式多靶材磁控溅射阴极

[发明专利]一种适用于高频电刀的疏水性硬质涂层及其制备方法-CN202010996873.8有效
发明人：马洋;陈超;康强 -专利权人：宁波云涂科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明的制备方法，包括：(1)以高频电刀为基体，采用多弧离子镀溅射Cr靶，在所述基体上沉积Cr层；(2)采用多弧离子镀溅射Cr靶、TiAl靶，溅射离子与溅射腔体内的N2反应，在Cr层上沉积CrTiAlN，同时采用射频磁控溅射PTFE靶，得到共溅射的CrTiAlN‑PTFE涂层，共溅射完成后得到适用于高频电刀的疏水性硬质涂层。发明的制备方法，采用多弧离子镀和磁控溅射复合设备进行涂层沉积，能够充分发挥两种两种物理气相沉积方法的优势：多弧离子镀制备涂层沉积速率快，结合力强；磁控溅射可制备非金属涂层，涂层致密均匀。
一种适用于高频疏水硬质涂层及其制备方法

[发明专利]一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺-CN202110456659.8在审
发明人：李亦龙 -专利权人：深圳市新邦薄膜科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，属于真空镀膜领域。本发明的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，采用真空磁控溅射卷绕式镀膜机，以金属铌靶(NbOx)、硅靶(Si)、铟靶(In)、钛靶(Ti)作为溅射靶材，采用特定的溅射膜层叠层顺序和膜层厚度，实现高亮银色多介质薄膜的生产，提升薄膜的金属质感和银白色亮度效果，其中增加的金属保护层还能增加本发明的一种高亮银色多介质薄膜的耐腐蚀、耐高温高湿、耐低温等功能性效果
一种银色介质薄膜真空磁控溅射制备工艺

[发明专利]磁控溅射装置-CN200910301434.4无效
发明人：裴绍凯;林后尧 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置，包括一溅射腔体、设置在该溅射腔体内的溅射靶，该溅射靶包括：基座、固定于该基座的转轴、多块金属板及多块靶材，该多块金属板分别固设于该基座相对的两表面，且每个金属板具有一背离该基座的靶材固定面，该多块靶材分别固设于一金属板的靶材固定面上；该磁控溅射装置还包括一转动驱动装置，该转轴连接于该转动驱动装置从而该转动驱动装置可驱动该溅射靶以该转轴为轴实现翻转。
磁控溅射装置

[发明专利]基于多靶材组合PVD程序的铜合金镀膜工艺-CN202310738971.5在审
发明人：杨岳红;王永江;陈猛;李子慕;杨学军;姚兴宝 -专利权人：鑫泽晟科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了基于多靶材组合PVD程序的铜合金镀膜工艺，具体为：对铜合金毛坯表面处理；底涂喷涂：在经过处理后铜合金毛坯表面采用UV涂料形成涂膜；磁控溅射镀金属底膜：通过磁控溅射使靶材溅射出金属离子附着在处理后铜合金毛坯表面；磁控溅射镀目标金属色：经载有有色金属靶材的腔体，通过磁控溅射使靶材溅射出金属离子附着在铜合金毛坯表面；面涂喷涂：在铜合金毛坯表面形成保护层。本发明实现的关键步骤是磁控溅射镀金属底膜以及磁控溅射镀目标色，其优势在于能够有效覆盖铜合金素材本色，再通过镀目标色赋予其更多样的色彩，完美解决磁控溅射镀膜产品因膜层较薄导致的异色问题，使铜合金真空镀膜后与其他合金镀膜后颜色具有一致性
基于多靶材组合 pvd 程序铜合金镀膜工艺

[实用新型]一种复合镀钛装置-CN202021863696.8有效
发明人：刘自然;刘慧丹;彭霞霖;陈元;钟日新 -专利权人：肇庆宏旺金属实业有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合镀钛装置，设于镀钛机本体内的镀钛腔内，所述镀钛机本体包括固定部和活动部，所述固定部与所述活动部铰接，形成用于镀钛的镀钛腔，所述镀钛腔的内部上设有若干组多弧离子镀靶和磁控溅射镀靶；所述多弧离子镀靶均匀设置在所述镀钛腔内，且位于所述固定部上的多弧离子镀靶组数少于所述位于所述活动部上的多弧离子镀靶，所述对磁控溅射镀靶均匀设置在镀钛腔内，且所述磁控溅射镀靶位于所述固定部上。
一种复合装置

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[实用新型]一种磁控溅射靶屏蔽装置-CN201520298266.9有效
发明人：郁哲;孟彬;孔明;吴健;张益欣;周海铭;梁小龙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射屏蔽装置，属于高真空磁控溅射镀膜领域。本实用新型所述磁控溅射靶屏蔽罩包括磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶屏蔽垫圈，磁控溅射靶屏蔽罩安装在铜冷却板的侧壁上，磁控溅射靶屏蔽垫圈放置在磁控溅射靶屏蔽罩上，开口对准沉积基片；磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽垫圈之间上下的距离均为2-3mm，磁控溅射靶屏蔽垫圈的外孔直径与磁控溅射靶屏蔽罩开孔大小一致，内直径为25~50mm。本实用新型通过放置不同内径大小的屏蔽垫圈控制靶面有效刻蚀区域，可以用小尺寸的靶材替代大尺寸靶材，最终实现在保护阴极装置的前提下减少靶材使用量，有效降低靶材费用。
一种磁控溅射屏蔽装置

[发明专利]一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法-CN201910914853.9在审
发明人：王明;纪红;卢硕;赵秀红;孙爱斌;苏乐;张玉彪 -专利权人：国合通用测试评价认证股份公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射技术领域的一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，包括：将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片，清洗干燥；将金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪角度，采用预溅射或划刻增大表面的摩擦力；将金属薄片放置在靶材上，根据合金纳米薄膜中金属元素的比例初步计算金属薄片的数量；按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜并进行成分分析测试，对比实际与理论元素成分，调节金属薄片的数量。本发明采用单个金属靶材溅射的方法避免磁控共溅射中多靶共溅射过程中互相干扰，产生靶材灭弧现象，以及单靶合金靶材溅射过程中原子间碰撞拥挤，制备的合金纳米薄膜成分均匀、稳定，并且节约成本，效率大幅提高。
合金纳米金属薄片薄膜溅射磁控溅射金属靶材靶材制备磁控溅射技术磁控共溅射成分分析单靶溅射合金靶材互相干扰金属加工金属元素清洗干燥共溅射硅基片溅射靶预溅射单靶多靶划刻灭弧沉积拥挤测试节约

[发明专利]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法-CN201310567790.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种超高性能辐射制备方法

[发明专利]磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法-CN200910105321.7无效
发明人：田小智;姜翠宁;黄启耀 -专利权人：田小智
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法，该磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法包括如下的步骤：a.测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度；b.根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽度尺寸，该新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大；c.在磁控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。此方法在不影响生产工艺、产品质量，以及在不需要任何设备改进的前提下，能够立竿见影的节省新靶材的使用量，从而提高平面靶材的利用率。
磁控溅射镀膜系统提高平面利用率方法

[实用新型]真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置-CN201220357592.9有效
发明人：钱锋;林晶;李恒;孙智慧 -专利权人：深圳市天星达真空镀膜设备有限公司;哈尔滨商业大学
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置，采用离子镀磁控溅射弧光辉光协同放电气相沉积混合薄膜，它包括磁铁、圆柱靶、靶面，磁铁设置在圆柱靶上，靶面设置在圆柱靶外围。采用一改常用的平面靶及垂直放置的方式，采用多弧圆柱靶水平放在工件篮下方，而圆柱磁控溅射靶水平放置在工件篮上方，多弧圆柱靶水平放在工件篮下方避免靶材上飞溅出来的大的颗粒沉积到工件上，两个不同的靶共放电沉积，一方面利用多弧靶的高离化率提高整个沉积过程的离化率，以增加膜层的结合力，同时在多弧离子镀大颗粒沉积的同时，也沉积磁控溅射的小颗粒沉积，这样提高膜层的致密性。
真空镀膜弧光辉光协同放电物理沉积装置

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