专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原稿读取设备-CN200910177998.1无效
  • 菅野明子;关口信夫;浜野成道;森田健二;甲藤洋平;关哲志;森泽晃 - 佳能株式会社
  • 2009-10-23 - 2010-06-09 - H04N1/04
  • 本发明涉及一种原稿读取设备,在单色读取模式下读取原稿的图像的情况下,该原稿读取设备在以根据变倍率所确定的速度来输送原稿时读取原稿的图像,通过使用主扫描方向变倍单元来在主扫描方向上对所读取的多值图像执行数字变倍,二值化该多值图像,并且将二值图像存储在存储器上。在彩色读取模式下读取图像的情况下,该原稿读取设备在以预定的速度输送原稿时读取该原稿的图像,将所读取的多值图像存储在存储器上,并且在主扫描方向和副扫描方向上对多值数据执行数字变倍。
  • 原稿读取设备
  • [发明专利]图像形成装置-CN201710063307.X在审
  • 利弘俊策;中瀬正和 - 船井电机株式会社
  • 2017-01-26 - 2017-08-18 - H04N1/40
  • 本发明提供一种图像形成装置,基于2值图像生成多值图像。图像形成装置(10)包括图像获取部(110),获取2值图像;以及多值图像生成部(120),基于2值图像中的包含特定像素的第一尺寸的第一图像区域内的像素的像素值、及包含所述特定像素的、与第一尺寸不同的第二尺寸的第二图像区域内的像素的像素值,生成包含所述特定像素的多值图像。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]主题挖掘方法和设备、以及查询扩展方法和设备-CN201310301260.8在审
  • 黄耀海;张碧川;李荣军;王钊 - 佳能株式会社
  • 2013-07-18 - 2015-01-21 - G06F17/30
  • 该主题挖掘方法包括:从知识库中获取多个句子;将至少一个句子转换为由多模因素的一个模式、条件及多值属性的一个值构成的条件三元组形式的第一断言声明;针对第一断言声明产生多模因素和多值属性分别与第一断言声明的条件三元组中的相同而多值属性的值不同的条件三元组形式的假设;计算每个假设的置信度并提取出置信度大于预定第一阈值的假设作为第二断言声明;将第一和第二断言声明组合以获得从多值属性到多模因素的映射,并且验证该映射是否是满射;在映射是满射的情况下,输出表示多值属性是多模因素的前提的前提断言对主题
  • 主题挖掘方法设备以及查询扩展
  • [发明专利]多值相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202011627055.7在审
  • 涂洒 - 华为技术有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-05-18 - H01L45/00
  • 本申请公开了多值相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法,属于半导体存储技术领域。该多值相变存储单元包括衬底、位于衬底上的功能层;功能层包括:相变层、顶电极、底电极、第一隔热层和第二隔热层;相变层包括:并联设置或者串联设置的多层相变材料层,至少部分多层相变材料层具有不同的结晶温度和不同的阈值电压;相变层位于顶电极和底电极之间;第一隔热层和第二隔热层相对设置以配合构成隔热空间,相变层、顶电极和底电极整体位于隔热空间内,该多值相变存储单元能够获得更多数目的相态,实现高密度多值存储。
  • 相变存储单元存储器电子设备制备方法
  • [发明专利]光发送器、光发送方法和光发送/接收系统-CN201210313104.9无效
  • 西本央 - 富士通光器件株式会社
  • 2012-08-29 - 2013-04-24 - H04B10/50
  • 所述选择电路在用于发送信号的调制的多值电信号中选择最大值和最小值侧的信号分量。所述信号处理电路通过在所述信号分量上叠加低频波而得的叠加信号与未叠加所述低频波的具有多个中间振幅值的信号的组合,来产生由所述发送信号转换而来的多值电信号。所述光调制器基于所述多值电信号对载波光进行调制。所述控制电路基于调制光信号中包含的低频分量来控制基准振幅值或所述多值电信号的振幅。
  • 发送方法接收系统
  • [发明专利]易失性半导体存储装置-CN96105871.4无效
  • 伊藤宁夫 - 株式会社东芝
  • 1996-05-16 - 2002-12-11 - G11C14/00
  • 在具有分别保持第1数据和第2数据的第1触发器电路和第2触发器电路、和已连到这些触发器电路上的位线和存储单元的易失性半导体存储装置中、用第1触发器进行下位位的读出和数据装入,用第2触发器进行上位位的读出和数据装入本发明可以容易地进行多值存储单元的读出、写入、验证而不需大规模地增加电路规模,也不必应用微细加工技术、其结果可以实现低造价的易失性半导体存储装置。
  • 非易失性半导体存储装置

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