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[发明专利]基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法-CN201610160484.5有效
发明人：沈轶;徐博文;王小平;陈林;陈凯 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。
基于忆阻器存储单元读写电路及其操作方法

[发明专利]多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺-CN202010734299.9在审
发明人：程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举;毛旭瑞 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺，包括衬底，相对设置于衬底上的第一电极以及第二电极，所述多值忆阻器还包括设置于衬底上的功能层，所述功能层位于第一电极以及第二电极之间，且第一电极以及第二电极和功能层接触连接本发明设计具有前窄后宽的忆阻器电极对有助于降低忆阻器导电丝形成的随机性，提高了忆阻器的一致性；导电细丝的个数和外加电压有关，增加了忆阻器的电阻状态数；基于导电丝的忆阻器具有很好的非易失性。
多值忆阻器阵列及其制备工艺

[发明专利]一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法-CN202111201084.1在审
发明人：岳建岭;陈晓平;胡海龙;黄小忠 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器，包括底电极、涂覆于所述底电极表面的存储介质层、沉积于所述存储介质层表面的顶电极；其中，所述底电极通过在衬底上沉积导电膜层制备得到；所述存储介质层为勃姆石薄膜层；本发明的高稳定性多值勃姆石基忆阻器，有多值存储特性，稳定性高，其中的存储介质层具有优异的生物相容性，在可植入生物忆阻器领域具有重要应用。本发明还提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器的制备方法。
一种稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法

[发明专利]面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法-CN201210199259.4有效
发明人：朱玄;杨学军;吴俊杰;唐玉华;易勋;周静;方旭东;黄达 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法，目的是解决忆阻器多值编程的精度问题并提高编程的效率。该编程电路由纳米交叉杆和N个反馈控制单元组成，纳米交叉杆中包含M条横向纳米线、N条纵向纳米线及M×N个忆阻器，每个反馈控制单元与纳米交叉杆的一条纵向纳米线相连。编程方法是首先对被编程的一行忆阻器进行擦除操作，将这一行忆阻器的电阻值全部初始化到高阻值，再对被编程的一行忆阻器进行编程操作，每个反馈控制单元通过参考电压输入端口接收参考电压信号，将被编程的一行忆阻器的电阻值编程到各自的目标阻值本发明多值忆阻器的电阻值可根据需要在其变化范围内进行编程修改，编程精度较高，编程效率较高。
面向纳米交叉结构多值忆阻器自适应编程电路方法

[发明专利]一种忆阻器阵列上符号数映射方法-CN202111456209.5有效
发明人：顾子熙;时拓;张程高;高丽丽;王志斌;李一琪 -专利权人：之江实验室
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器阵列上符号数映射方法，该映射方法将有符号数以补码的表达形式直接映射在忆阻器阵列上，并依据不同映射数的位宽以及忆阻器精度获得映射方案。首先，需要确认当前忆阻器类型器件为二值还是多值，如果是多值器件需再确认单元精度；然后，确定所映射符号数的位宽，并将符号数转为补码形式下的二进制数；最后，得出该符号数映射方案。本发明适用于神经网络计算，该方法映射符号数所占用忆阻器资源消耗小，通用性强，数值覆盖范围和实际表达范围一样。
一种忆阻器阵列符号映射方法

[实用新型]多值忆阻器及其阵列-CN202021505276.2有效
发明人：程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举;毛旭瑞 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多值忆阻器及其阵列，包括衬底，相对设置于衬底上的第一电极以及第二电极，所述多值忆阻器还包括设置于衬底上的功能层，所述功能层位于第一电极以及第二电极之间，且第一电极以及第二电极和功能层接触连接本实用新型设计具有前窄后宽的忆阻器电极对有助于降低忆阻器导电丝形成的随机性，提高了忆阻器的一致性；导电细丝的个数和外加电压有关，增加了忆阻器的电阻状态数；基于导电丝的忆阻器具有很好的非易失性。
多值忆阻器及其阵列

[发明专利]一种基于忆阻器的多值逻辑器件及操作方法-CN201610079085.6有效
发明人：李祎;王卓睿;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性多值逻辑器件及其操作方法。本发明基于忆阻器的多电阻状态转变特性实现了多值逻辑，如三值逻辑的完备集，提出了三值逻辑的取反、右旋以及多值T门逻辑的操作方法。本发明公开的忆阻多值逻辑器件能够作为基本单元应用于新型固态存储器、逻辑运算器、可编程门阵列和片上系统等领域，为推动新型计算机架构提供一条新的道路。
一种基于忆阻器多值逻辑器件操作方法

[发明专利]一种多阻态忆阻器-CN201210348359.9有效
发明人：刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。
一种多阻态忆阻器

[发明专利]基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法-CN202110325802.X在审
发明人：王晓媛;董传涛;金晨曦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法。本发明采用3×2结构的三值忆阻器交叉阵列，其中两个作为输入忆阻器，一个作为输出忆阻器。三值与非门的逻辑状态用忆阻器的阻值表示，本发明设计的基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑与非门电路，结构清晰简单、易于实现。该与非门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
基于三值忆阻器交叉阵列数字与非门实现方法

[发明专利]基于三值忆阻器交叉阵列的数字或非门实现方法-CN202110330807.1在审
发明人：王晓媛;董传涛;金晨曦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字或非门实现方法。本发明采用3×2结构的三值忆阻器交叉阵列，其中两个作为输入忆阻器，一个作为输出忆阻器。三值或非门的逻辑状态用忆阻器的阻值表示，本发明设计的基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑或非门电路，结构清晰简单、易于实现。该或非门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
基于三值忆阻器交叉阵列数字非门实现方法

[发明专利]一种基于HfO2‑x的二值和多值忆阻器、制备方法及其应用-CN201710421114.7在审
发明人：孙华军;何维凡;王标;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于HfO2‑x的二值和多值忆阻器、制备方法及其应用，忆阻器包括上电极、功能层和下电极，通过控制氩气和氧气的比例，制得具有不同原生氧空位的HfO2‑x材料；在直流扫描模式下，低原子比的HfO2‑x忆阻器表现出了无须预处理，低操作电压和渐变电阻过渡的特点，而高原子比的HfO2‑x忆阻器窗口更大，电阻过渡更加尖锐；不同电阻过渡形态的忆阻器采用连续高速脉冲和连续多窗口脉冲测试方法验证了二值和多值模式；该类忆阻器展现的电阻过渡差异对不同模式应用场合的原子配比具有指导意义；本发明可分别地应用于逻辑计算和神经形态存储；在同一个材料工艺下微调沉积气氛的比例，可将计算和存储模块集成于同一芯片，进一步加速计算存储融合芯片的发展
一种基于 hfo2 多值忆阻器制备方法及其应用

[发明专利]基于三值忆阻器交叉阵列的数字同或与异或门实现方法-CN202110325167.5有效
发明人：王晓媛;董传涛;金晨曦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字同或与异或门实现方法。本发明采用4×3结构的三值忆阻器交叉阵列，其中两个作为输入忆阻器，一个作为输出忆阻器。本发明基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑同或和异或门电路，结构清晰简单、易于实现。该同或门和异或门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
基于三值忆阻器交叉阵列数字实现方法

[实用新型]非易失多值忆阻器-CN202020972146.3有效
发明人：陈子龙;程传同;李刘杰;黄北举;毛旭瑞 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种非易失多值忆阻器，包括：衬底、以及依次形成于衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，金属底电极临近功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。本发明的优点包括：所提供的忆阻器能够实现高一致性非易失多值的特性。
非易失多值忆阻器

[发明专利]一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路-CN202210057224.0在审
发明人：唐明华;杨书一;刘睿;石泾波;张锋 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，包括解码电路和忆阻器写入控制电路，解码电路的输入端接入脉冲幅度调制PAM电压信号，根据输入脉冲幅度调制PAM电压信号的阶数输出对应路数的NRZ信号，每一路NRZ信号对应连接一个忆阻器写入控制电路，忆阻器写入控制电路根据对应NRZ信号的高电平或低电平状态对忆阻器施加正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻或低阻态。本发明将多幅度脉冲信号解码后分别存储于忆阻器中，避免忆阻器由于多值存储产生的误差，大大提高了忆阻器的存储精度；通过MOS逻辑电路实现对忆阻器状态的写入，简化了电路结构，降低了系统能耗，适合于实现对PAM4
一种基于忆阻器幅度脉冲信号存储电路

[发明专利]基于多值忆阻器的STDP脉冲设计方法和多样化STDP的实现方法-CN201810449979.9有效
发明人：李祎;卢珂;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了基于多值忆阻器的STDP脉冲设计方法和多样化STDP的实现方法。该多样化STDP突触可塑性的实现方法通过选取不同阻态作为初始阻态，并将上述设计脉冲叠加作用于忆阻器，实现了生物指数衰减型STDP突触可塑性和有别于生物指数衰减型STDP的突触可塑性，从而实现STDP突触可塑性的多样化该方法有望被应用到任一种类的多值忆阻器上，进而拓展忆阻器在人工突触及神经形态计算上的应用。
基于多值忆阻器 stdp 脉冲设计方法多样化实现

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