专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]透明导电性层叠体-CN200610083374.X无效
  • 野口知功;菅原英男;梨木智刚;吉武秀敏 - 日东电工株式会社
  • 2006-06-06 - 2006-12-20 - G02F1/1343
  • 本发明提供透明导电性层叠体,其是在厚度为2~200μm的透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜透明导电薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成的,并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物,当设第一透明电介质薄膜的折射率为n1、第二透明电介质薄膜的折射率为n2、透明导电薄膜的折射率为n3时,满足n2<n3≤n1的关系。
  • 透明导电性层叠
  • [发明专利]透明导电性叠层体及触摸面板-CN200710196991.5无效
  • 梨木智刚;菅原英男 - 日东电工株式会社
  • 2007-12-07 - 2008-06-11 - G02F1/1343
  • 本发明提供一种透明导电性叠层体,是在透明薄膜基材的一方的面上,从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜透明导电薄膜透明导电性叠层体,其透过率高,并且生产性良好,而且除了具有笔输入耐久性以外本发明是在厚2~200μm的透明薄膜基材的一方的面上,从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜透明导电薄膜,在透明薄膜基材的另一方的面上,经由透明的粘接剂层贴合有透明基体的透明导电性叠层体,第一透明电介质薄膜被利用真空蒸镀法、溅射法或离子镀法形成,并且第一透明电介质薄膜由在氧化铟100重量份中含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物构成,在将第一透明电介质薄膜的折射率设为n1,将第二透明电介质薄膜的折射率设为n2,将透明导电薄膜的折射率设为n3时,满足n2<n3≤n1的关系,透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘接剂层叠层的叠层透明基体。
  • 透明导电性叠层体触摸面板
  • [实用新型]一种异质结太阳能电池及其模组-CN201620801907.2有效
  • 杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎 - 福建金石能源有限公司
  • 2016-07-27 - 2017-04-12 - H01L31/0224
  • 本实用新型公开了一种异质结太阳能电池及其模组,包括n‑型单晶硅片,设在n‑型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层,设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层,设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层,设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层,设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的复合金属薄膜层,设在复合金属薄膜层上的金属主栅背电极。
  • 一种异质结太阳能电池及其模组
  • [发明专利]一种电容式触摸屏板装置-CN201210151656.4无效
  • 廖志宏 - 金百芳
  • 2012-05-16 - 2012-09-19 - G06F3/044
  • 本发明涉及触摸屏技术领域,特别涉及一种电容式触摸屏板装置,包括上层保护玻璃、下层保护玻璃以及透明粘胶组成,所述上层保护玻璃的底面镀有上层IT0的透明导电薄膜,所述下层保护玻璃的底面镀有下层IT0的透明导电薄膜,在通过光学透明粘胶将上层保护玻璃的上层IT0透明导电薄膜复合到下层保护玻璃的表面,不需要化学蚀刻处理,无化学物质排放,降低生产成本。
  • 一种电容触摸屏装置
  • [发明专利]一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜-CN202111112137.2在审
  • 郭铜安 - 深圳市玮柔光电科技有限公司
  • 2021-09-23 - 2021-12-24 - H01B5/14
  • 本发明公开了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,包括:导电薄膜本体和基材,所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层,所述银膜层设置在所述底膜层上,所述保护层设置在所述银膜层上。本发明提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,该抗氧化的低方阻透明导电薄膜包括导电薄膜本体和基材,该导电薄膜本体采用复合膜层结构,包括底膜层、银膜层和保护层,银膜层通过粘胶层固定在底膜层上,保护层通过粘胶层固定在银膜层上,通过上述银膜层和保护层的设计,使得该导电薄膜本体具有低方阻高透明度、不龟裂、抗手印氧化、耐候性能好等优点。
  • 一种氧化低方阻透明导电薄膜
  • [发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法-CN200910060576.6无效
  • 方国家;孙南海;肖红斌;李军 - 武汉大学
  • 2009-01-19 - 2009-07-08 - C23C14/35
  • 本发明涉及一种铟锡铝锌氧化物复合透明导电薄膜,其特征是:由铟锡合金靶与金属掺杂氧化锌导电陶瓷形成复合靶,采用磁控溅射技术共溅射形成,其中,所述铟锡合金靶的组成为In90%wt,Sn10%wt。本发明可室温条件下溅射制备铟锡铝锌氧化物透明导电薄膜,该工艺的优点是:基片不需要加热;薄膜可大面积沉积;电极导电性好;有较好的透光性;可在柔性衬底上制备;薄膜表面具有良好的平整度且电学性能稳定。该工艺适用于各种场效应晶体管、薄膜太阳能电池、薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的光电子器件、电子器件的透明电极制备。
  • 一种透明导电薄膜及其制备方法
  • [发明专利]透明导电薄膜及其制造方法-CN201480005116.2有效
  • 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 - 日东电工株式会社
  • 2014-01-15 - 2018-03-30 - B32B9/00
  • 本发明的透明导电薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜,前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7~15重量%的铟系复合氧化物的结晶质膜,膜厚为10nm~40nm的范围,电阻率值为1.3×10‑4~2.8×10‑4Ω·cm,并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜,且前述底涂层的至少1层通过干法而形成本发明的透明导电薄膜具有透明导电膜,所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
  • 透明导电薄膜及其制造方法

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