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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]企业竞争壁垒评估方法及系统-CN201811161745.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：曹西军
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开一种企业竞争壁垒评估方法，包括：企业数据获取步骤，获取与企业竞争壁垒相关的数据；企业竞争壁垒评估步骤，基于预先获得的评估模型和因子对待评估企业的竞争壁垒从多个维度进行评估，得到所述待评估企业的竞争壁垒评估值；以及壁垒评估结果输出步骤，输出所述待评估企业的竞争壁垒评估值。本发明还提供一种企业竞争壁垒评估系统。利用本发明的企业竞争壁垒评估方法以及系统，可以对企业的竞争壁垒进行量化的评估，可以用于企业自身的自检和管理决策，也可以用于投资机构的投资决策。
企业竞争壁垒评估方法系统

[发明专利]蜂窝状裂缝模拟装置和模拟支撑剂运移的装置-CN202111554984.4在审
发明人：田建超;李凝;王建宁;张艺;贾元钊;张陶宁;刘其伦;贾江芬;曹景芝 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种蜂窝状裂缝模拟装置以及模拟支撑剂运移的装置，包括多个多壁垒组件和固定组件，各个所述壁垒组件安装在所述固定组件，各个壁垒组件包括多个互相连接的壁垒部件，各个壁垒部件之间具有一定的夹角以围合形成一个正多边形结构，任意壁垒组件中的一个壁垒部件为另一个多壁垒组件中的一个壁垒部件以形成蜂窝状的结构，各个壁垒部件设置有贯穿自身的通道孔以使支撑剂通行，支撑剂受自身重力、浮力、液体携带力、粘滞阻力等作用下在裂缝中运移，支撑剂通过通道孔从一个壁垒部件到另一个壁垒部件
蜂窝状裂缝模拟装置支撑剂运移

[发明专利]电容器及其制造方法-CN98125137.4有效
发明人：前岛幸彦 -专利权人：日本电气株式会社;辛姆特瑞克斯公司
申请日： 1998-11-26 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在集成电路电容器的制造中，在基片上形成基底氢壁垒层，为非导电的或导电的。然后形成下部电极层和铁电/电介质层并选择地刻蚀。在电介质层上形成一非导电氢壁垒层并选择刻蚀。顺序淀积上部电极和导电氢壁垒层并选择刻蚀。非导电氢壁垒层覆盖除上部电极的一部分外的电容器，导电氢壁垒层覆盖无非导电氢壁垒层的部分。因此基底壁垒层、非导电氢壁垒层和导电氢壁垒层一起整体覆盖电容器。
电容器及其制造方法

[发明专利]使用动态宽度计算的壁垒同步-CN201480043435.2有效
发明人：贝内迪克特·鲁宾·加斯特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：处理单元的定序器在运行时间确定群组线程的壁垒操作的壁垒宽度，其中所述壁垒宽度小于所述线程群组中的线程的总数，且其中所述线程群组中的线程在一或多个计算单元上执行数据并行代码。响应于所述线程群组的子群组中的每一线程已执行所述壁垒操作，所述子群组包含与所述壁垒宽度相同数目的线程，所述定序器可使得所述线程群组的所述子群组能够在所述壁垒操作之后在一或多个处理器上执行，而无需等待所述线程群组中的其它线程执行所述壁垒操作
使用动态宽度计算壁垒同步

[发明专利]转子以及磁阻马达-CN201780056445.3有效
发明人：竹内活德;松下真琴;高桥则雄;三须大辅;长谷部寿郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝基础设施系统株式会社
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H02K19/10 文献下载
摘要：在转子铁芯中形成有多个磁通壁垒。在磁通壁垒中，在多个桥部与多个桥部之间形成有一个或者多个壁垒区域。在将第1磁通壁垒的桥部的宽度设为wa，将第2磁通壁垒的桥部的宽度设为wb，将与第1磁通壁垒的中心线相接的最小的圆的半径除以转子铁芯的外半径而得到的值设为a，将与第2磁通壁垒的中心线相接的最小的圆的半径除以转子铁芯的外半径而得到的值设为b(a)，f(x)＝(1－x^2)^(3/2)，g(x)＝(1－x^3)的情况下，满足f(b)/f(a)≤w
转子以及磁阻马达

[发明专利]微流控装置及其驱动方法-CN201910244788.3有效
发明人：周一安;席克瑞;林柏全;秦锋;李小和;刘金娥 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流控装置及其驱动方法，包括：衬底基板和位于衬底基板一侧的电极层；电极层包括第一电极、第二电极和第三电极；多个通道，通道至少包括一个第一电极、两个第二电极、一个第三电极和一个壁垒；壁垒为T字型结构，且壁垒包括沿第一方向延伸的第一分部和沿第二方向延伸的第二分部；壁垒包括位于第一电极和第二电极之间的第一壁垒，第一壁垒的第一分部位于第一电极和第二电极之间，第一壁垒的第二分部位于两个第二电极之间；第三电极沿第一方向延伸，第三电极在衬底基板所在平面的垂直投影位于第一壁垒的第一分部在衬底基板所在平面的垂直投影内。
微流控装置及其驱动方法

[发明专利]具有受保护的有源模片区域的半导体设备及方法-CN200580013128.0有效
发明人：乔治·R.·雷尔;欧文·R.·费伊;罗伯特·J.·温泽尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-03-16 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体设备(10)包括半导体模片(16)，具有多个接触垫位置的、多个接触垫(20－26)、密封剂壁垒(18)、以及密封剂(30)。密封剂壁垒(18)位于半导体模片的外围。密封剂壁垒具有与多个接触垫中最高的一样高或更高的高度。密封剂壁垒与半导体模片的同一表面物理接触，如接触垫位置一样。密封剂(30)围绕半导体模片和密封剂壁垒的一侧。当设备被密封、同时由一个临时基支持层支持时，通过密封剂壁垒防止密封剂与多个接触垫中的任何一个的物理接触。
具有保护有源区域半导体设备方法

[发明专利]一种铝合金的耐腐蚀处理方法-CN201310516566.5无效
发明人：任静儿 -专利权人：任静儿
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金的耐腐蚀处理方法，在铝或铝合金的表面形成厚5-20nm的致密的氧化层，使用酸性溶液对上述氧化层进行氧化处理；然后在氮气氛下进行壁垒型阳极氧化处理。在形成壁垒型阳极氧化膜之前，通过形成致密的氧化层，可以使壁垒型阳极氧化膜致密，可使其成为耐腐蚀性以及气体放出特性优良的壁垒型阳极氧化膜。
一种铝合金腐蚀处理方法

[发明专利]异质结晶体管及其制造方法-CN201410086077.5在审
发明人：郭俊植;韩釉大;李宽铉;竹谷元伸;郑暎都 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结晶体管及其制造方法，其中，所述异质结晶体管借助于栅槽结构而具备常关特性，并包括：基板；沟道层，形成于基板上，并由具有第一能带间隙的第一氮化物系半导体构成；第一壁垒层，形成于沟道层上，并由具有不同于第一能带间隙的第二能带间隙的第二氮化物系半导体构成；栅极，形成于第一壁垒层的栅极控制区域；第二壁垒层，在第一壁垒层的栅极非控制区域中独立于第一壁垒层而形成。
结晶体及其制造方法

[发明专利]显示基板及制造方法、显示装置-CN201910773203.7有效
发明人：靳倩;尹东升;刘晓云;王小芬;隋凯;董超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的显示基板中，显示区划分有中部显示区和包围中部显示区的边缘显示区，位于边缘显示区内的子像素槽具有朝向其所对侧面的第一壁垒面和与该第一壁垒面相对的第二壁垒面，第一壁垒面与其所在子像素槽的底面在相接触的部分处所形成的二面角为第一二面角，与该第一壁垒面相对的第二壁垒面与其所在子像素槽的底面在相接触的部分处所形成的二面角为第二二面角，第一二面角小于第二二面角。
显示制造方法显示装置

[实用新型]一种用于高清工业内窥镜的PCB板装置-CN202221369746.6有效
发明人：陈鑫 -专利权人：深圳市乐欣电子科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型属于工业内窥镜PCB板技术领域，公开了一种用于高清工业内窥镜的PCB板装置，包括PCB板主体，所述PCB板主体的一侧固定设有防腐板，所述防腐板上并位于所述PCB板主体的外侧设有壁垒，所述壁垒的外侧设有保护槽，所述保护槽开设在所述防腐板上，所述PCB板主体的上方设有防护盖，所述防护盖与所述壁垒固定连接，本实用新型通过防腐板、壁垒、保护槽以及防护盖的设置，提高了高清工业内窥镜PCB板的防腐性能。
一种用于工业内窥镜 pcb 装置

[发明专利]一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件-CN201811529867.0有效
发明人：孙军强;张意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒。
一种量子阱电致折射率调制器集成光电子器件

[发明专利]半导体存储元件的制法-CN00808661.3有效
发明人： M·安格哈德特;V·维恩里奇;F·克雷普;M·希尔 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2000-06-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及具有硅衬底的半导体元件，尤其是DRAM或FeRAM的一种制法，在硅衬底上安排了具有下电极，上电极和处于其间尤其是由铁电材料构成的介电层的至少一只存储电容器，其中，下电极通过尤其是由扩散壁垒或扩散壁垒与粘着层组合成夹层形成的壁垒层与硅衬底绝缘该壁垒层在存储电容器淀积前，借助尤其是由SiO₂，SiN，SiON形成的硬掩模结构化。在结构化后残留的硬掩模层被去除暴露出结构化的壁垒层。，借助CVD(化学汽相沉积)将其埋入SiO₂内，以及其特征为，应用SiO₂-CMP(化学机械抛光)将残留的掩模层与SiO₂埋入层一起从壁垒层的表面去除
半导体存储元件制法

[发明专利]铝或铝合金的耐腐蚀处理方法-CN200680000872.1有效
发明人：稻吉荣;石泽克修;野村健;齐藤真一;山口真奈美 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本发明以提供通过使赋予铝或铝合金耐腐蚀性的壁垒型阳极氧化处理膜成为致密的膜，使其成为气体放出特性优良的壁垒型阳极氧化处理膜的铝或铝合金的耐腐蚀处理方法为目的。其特征为，在铝或铝合金的表面形成厚5－20nm的致密的氧化层，然后，进行壁垒型阳极氧化处理。
铝合金腐蚀处理方法

[发明专利]充气式雪仗壁垒-CN202210137947.1在审
发明人：黄向荣;裴聪聪 -专利权人：江苏纽拓体育装备有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： A63H33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种充气式雪仗壁垒，包括中间垒墙以及两个侧边垒墙；所述中间垒墙以及两个侧边垒墙内均形成充气腔室；两个侧边垒墙的两个侧边之间相连接，以使中间垒墙夹持于两个侧边垒墙之间。本发明的充气式雪仗壁垒，采用了三个充气垒墙叠加在一起，增加整体的支撑面积，提升雪仗壁垒在雪地的稳定性。
充气式壁垒

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