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[发明专利]生产平板太阳能吸热镀膜板的方法及立式镀膜装置-CN201010137288.9有效
发明人：甘国工 -专利权人：甘国工
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了生产平板太阳能吸热镀膜板的方法，采用大面积金属片作为基片，载片架两面均可挂金属基片，在真空室外的减速机拖动传送机构带动载片架直线行进，载片架连续匀速依次进入连续镀膜室内的磁控溅射靶与相应的溅射腔室内，溅射腔室内两面均布置有磁控溅射靶，可同时对载片架两面的金属基片依次沉积太阳能吸热功能膜中的红外光反射层/吸热功能层/减反射层等膜层。本发明还提供了生产平板太阳能吸热镀膜板的立式镀膜装置，包括载片架、前真空锁定室、前保持室、前缓冲区、连续镀膜室、后缓冲区、后保持室和后锁定室，生产效率比卧式镀膜装置提高一倍。
生产平板太阳能吸热镀膜方法立式装置

[实用新型]传送载板及真空镀膜设备-CN202020708693.0有效
发明人：周剑;曹新民;陈晨;孙健;施政辉;徐文涛;李王俊;王青松 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种传送载板及真空镀膜设备。传送载板用于传送待镀膜的基片，传送载板包括：支撑框架；以及若干个基片承载单元，固定于支撑框架的一侧，每个基片承载单元包括用于承载基片的基片托；基片托与支撑框架之间具有供基片穿过的空隙。使用上述传送载板进行真空镀膜时，由于镀膜过程中传送载板位于工艺反应腔外，因此能够避免污染传送载板。同时，本实用新型的传送载板能够同时传送若干个基片，有利于提高基片镀膜产出效率。此外，还涉及一种包括上述传送载板的真空镀膜设备。
传送真空镀膜设备

[发明专利]基片处理系统中的输送方法-CN202010766400.9在审
发明人：茂山和基;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中，基于所获得的位置信息，调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中，将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中，将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。
处理系统中的输送方法

[发明专利]传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法-CN202010368432.3在审
发明人：周剑;曹新民;陈晨;孙健;施政辉;徐文涛;李王俊;王青松 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法。传送载板用于传送待镀膜的基片，传送载板包括：支撑框架；以及若干个基片承载单元，固定于支撑框架的一侧，每个基片承载单元包括用于承载基片的基片托；基片托与支撑框架之间具有供基片穿过的空隙。使用上述传送载板进行真空镀膜时，由于镀膜过程中传送载板位于工艺反应腔外，因此能够避免污染传送载板。同时，本发明的传送载板能够同时传送若干个基片，有利于提高基片镀膜产出效率。此外，还涉及一种包括上述传送载板的真空镀膜设备，以及一种真空镀膜方法。
传送真空镀膜设备方法

[发明专利]载置台和基片处理装置-CN202011277967.6在审
发明人：舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供对边缘环稳定地施加电压的载置台和基片处理装置。载置台包括：载置基片的基片载置面；在上述基片载置面的周围载置边缘环的边缘环载置面；和形成于上述边缘环载置面的导电性的电极，其能够将电压供给到上述边缘环。
载置台处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202110250009.8在审
发明人：田中诚治;依田悠;增泽健二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的基片处理装置和基片处理方法。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置区域的周边区域上。
处理装置方法

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN201911181295.6有效
发明人：南雅人;佐佐木芳彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]成膜载具以及太阳能电池的制作方法-CN201810993338.X有效
发明人：陈桂栋;张淳;盛健;蔡文浩;董建文;麻增智;杨亚娣;吕加先;顾文操;钱小立;马志杰;尚严鑫 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于承载待处理基片，成膜载具包括至少一个承载层，承载层包括载台以及限位框，载台用于与基片的一面贴合，限位框由载台贴合基片的一侧凸起，同一承载层的载台与限位框围设成至少一个基片容置空间，基片容置空间用于容置基片膜载具通过设置载台以及限位框而形成了基片容置空间。太阳能电池制作过程中，将基片的第一面与载台贴合。进而可在基片的与第一面相背的第二面上沉积形成硅薄膜层时，有效防止硅薄膜层绕镀到基片的第一面；或者，可在基片的与第一面相背的第二面上进行扩散掺杂时，有效防止基片的第一面也被扩散掺杂。因此，本申请提供的成膜载具以及太阳能电池的制作方法可以有效提高太阳能电池的性能。
成膜载具以及太阳能电池制作方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910161278.X在审
发明人：高山航;近江宗行;伊深怜;五十岚大;铃木贵幸;村上贵宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
等离子体处理载置载置台等离子体反应生成物处理气体载置面周缘部等离子体处理装置致冷剂流路致冷剂加热流通

[发明专利]基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法-CN202210120470.6在审
发明人：波多野达夫;渡边直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种温度控制性良好且不易产生由热冲击引起的损伤的基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法。在进行基片处理的处理容器内对基片进行加热的基片加热装置包括：基片加热部，其具有载置基片的载置面，利用加热器对载置于载置面的基片进行加热；护套部，其被设置成隔着冷却空间覆盖基片加热部的底部；和对冷却空间供给冷却气体的冷却气体供给部
加热装置方法制造

[发明专利]基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质-CN202210365601.7在审
发明人：仓富一纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质。该位置调节方法包括：步骤A，使支承着基片的基片保持部水平地移动至基片载置部的上方；步骤B，使支承着基片的基片保持部下降至当前设定中的基准高度位置；步骤C，使基片保持部移动至检测部，利用检测部检测该基片保持部上的基片；和步骤D，基于步骤C的检测结果，判断基片是否被载置到基片载置部的步骤，反复依次执行步骤A～步骤D，并且每次执行时将基准高度位置向下方修正规定距离，直到在步骤D中判断为基片被载置到基片载置部。依照本发明，不会受到用于保持基片等的吸引力降低的影响，能够适当地进行基片输送装置所具有的基片保持部的基准高度位置的设定。
保持位置调节方法处理系统存储介质

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN202310174413.0在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为上述基片的载置面，使静电吸附力产生的吸附电极埋设在该电介质层中。用于向基片供给气体的气体供给孔贯通基座、吸附电极和电介质层并在载置面开口，形成于上述吸附电极的贯通孔以经由隔离部隔离地包围上述气体供给孔的方式设置，由导体构成的屏蔽层与上述吸附电极电隔离地配置，以俯视时覆盖上述隔离部的至少一部分且包围上述气体供给孔的方式形成
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210840330.6在审
发明人：增泽健二;远藤一宪;田中诚治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；载置台，其设置于所述处理容器的内部，具有能够载置基片的基片载置面；和矩形框状的整流壁，其设置成在所述基片载置于所述基片载置面时能够包围所述基片的外周，在所述整流壁的四角分别设置有从所述整流壁的内侧贯通所述整流壁的气体流路根据本发明，能够抑制对基片进行的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的堆积。
处理装置方法

[发明专利]基片交接方法和基片交接装置-CN202111396899.X在审
发明人：带金正 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供基片交接方法和基片交接装置。基片交接方法使用基片交接装置，该装置包括：升降体，其能够将多个载置部在上下方向上排列并构成为一体，载置部载置收纳有基片的输送容器；和升降机构，其能够使升降体升降，从而使各载置部各自升降至在载置部与外部输送机构之间进行输送容器的交接的高度位置、和经由设置在用于对基片进行处理的基片处理部的输送口在输送容器与基片处理部之间进行基片的送入送出的高度位置，当外部输送机构要在交接高度位置在外部输送机构与另一个载置部之间进行输送容器的交接时，因正在对一个载置部上载置的输送容器实施基片送入送出工序，而无法使另一个载置部位于交接高度位置的情况下，暂时停止基片送入送出工序。
交接方法装置

[实用新型]载片装置-CN202220401737.4有效
发明人：杨建国;康建;卜浩礼;杨东;杨天鹏;陈向东;郗萌;邹浩洪;周荣 -专利权人：江西圆融光电科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型实施例属于半导体结构制造技术领域，具体涉及一种载片装置。本实用新型实施例用以解决相关技术中基片容易从载板和压板之间掉落的问题。该载片装置包括载板和盖板，盖板与载板可拆卸连接，载板背离盖板的一侧具有安装平面，载板设置有贯穿其的安装孔，安装孔内用于放置基片，位于安装平面上且沿安装孔的周缘向其中心线延伸地设置有多个承接部；盖板朝向载板的一侧设置有弹性件，弹性件用于向载板抵顶基片，以使基片抵靠在承接部上，从而将基片固定在载板和盖板之间，避免基片发生掉落。
装置