专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种位传感器及位检测方法-CN201510296188.3在审
  • 陈寅之;周少国 - 广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
  • 2015-06-02 - 2015-09-02 - G01F23/26
  • 本发明涉及检测技术领域,公开了一种位传感器及位检测方法,该位传感器包括位检测电容器、液体基准电容器、环境基准电容器和处理模块,位检测电容器的电极板下端位于位下限处,位检测电容器的电极板上端位于位上限处;液体基准电容器位于位下限下方;环境基准电容器位于位上限上方;处理模块分别获取位检测电容器、液体基准电容器、环境基准电容器的电容值C位检测电容器、C液体基准电容器、C环境基准电容器,并依据C位检测电容器、C液体基准电容器、C环境基准电容器来获得当前的位高度。该位传感器避免了非接触式液位计与被测面之间不能存在遮挡的缺陷,既能准确地检测位高度又能确保容器的密封性。
  • 一种传感器检测方法
  • [实用新型]一种位传感器-CN201520372609.1有效
  • 陈寅之;周少国 - 广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
  • 2015-06-02 - 2015-11-18 - G01F23/26
  • 本实用新型涉及检测技术领域,公开了一种位传感器,该位传感器包括位检测电容器、液体基准电容器、环境基准电容器和处理模块,位检测电容器的电极板下端位于位下限处,位检测电容器的电极板上端位于位上限处;液体基准电容器位于位下限下方;环境基准电容器位于位上限上方;处理模块分别获取位检测电容器、液体基准电容器、环境基准电容器的电容值C位检测电容器、C液体基准电容器、C环境基准电容器,并依据C位检测电容器、C液体基准电容器、C环境基准电容器来获得当前的位高度。该位传感器避免了非接触式液位计与被测面之间不能存在遮挡的缺陷,既能准确地检测位高度又能确保容器的密封性。
  • 一种传感器
  • [发明专利]一种静力水准装置的标定系统及标定方法-CN202210286998.0在审
  • 徐辉;宋爽;姚鸿梁 - 浙江同禾传感技术有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-06-10 - G01C25/00
  • 本发明涉及一种静力水准装置的标定系统及标定方法,包括恒基准装置、托盘、电动升降台、安装支架、千分表、待标定的静力水准装置及连通管;恒基准装置包括基准腔、补水腔、自动补水泵及液体管,基准腔设置于补水腔内,液体管上串接有自动补水泵且其两端分别连通至基准腔及补水腔;托盘的下端连接有电动升降台,恒基准装置放置于托盘上;千分表安装于安装支架上;静力水准装置通过连通管与基准腔相连通;电动升降台驱动恒基准装置在垂直方向上位移,自动补水泵驱动补水腔内的液体注入基准腔内并保证基准腔内处于满水状态,恒基准装置在完成垂直位移后,静力水准装置的面始终保持在基准腔满水状态的恒位上。
  • 一种静力水准装置标定系统方法
  • [发明专利]一种营养的配制方法和装置-CN201711262756.3在审
  • 爱德温·范德·克纳普 - 深圳春沐源控股有限公司
  • 2017-12-04 - 2018-05-04 - A01G31/00
  • 本发明实施例涉及无土栽培领域,公开了一种营养的配制方法和装置。本发明中,营养的配制方法包括获取营养基准配方以及基准配方对应的基准可溶盐浓度EC值,其中,基准配方包含植物在特定生长阶段所需的N种营养要素的基准含量;根据植物的种植环境以及基准EC值,确定配制后营养需要达到的目标EC值;根据目标EC值以及基准EC值,调整基准配方中至少一种营养要素的含量,得到调整后的营养配方,调整后的营养配方的EC值与目标EC值的差值的绝对值不大于预设的误差阈值;根据调整后的营养配方配制营养该方法可以根据营养的EC值的改变,对营养基准配方进行调整,使其更符合植物的生长需求。
  • 一种营养液配制方法装置
  • [实用新型]位管理装置-CN201520962940.9有效
  • 顾蔚彪;董少壮 - 宁波蓝释电子科技有限公司
  • 2015-11-27 - 2016-04-20 - G05D9/12
  • 本实用新型公开了一种位管理装置,包括使用中位于面以下的基准导体;使用中位于基准导体上部空间的第一导体以及与基准导体和第一导体均电连接,用于测量基准导体和第一导体之间的电阻值的电阻测量单元。本实用新型提供了一种位管理装置,将基准导体置于导电的待管理面以下,第一导体在该位上部一定距离的位置,电阻测量单元用于检测基准导体与第一导体之间的电阻值,当位达到第一导体时,接通基准导体与第一导体之间的电路,电阻测量单元所检测到的基准导体与第一导体之间的阻值将形成一个突变。该突变信号可以为位管理装置提供控制信号。
  • 管理装置
  • [发明专利]质调整装置、质调整方法以及线电极放电加工装置-CN200980162996.3有效
  • 大畑珠代;佐藤达志;栗木宏德;瓦井久胜;谷村纯二;汤泽隆 - 三菱电机株式会社;菱电工机工程株式会社
  • 2009-12-18 - 2012-09-05 - B23H7/36
  • 本发明所涉及的质调整装置具有:纯水化单元(9),其使加工脱离子化;防腐蚀单元(8),其将加工中的离子交换为防腐蚀离子;导电率测定单元(10),其对加工的导电率的实际测量值进行测定;存储单元(11),其预先存储上述加工中的可加工的导电率的上限值即第一基准值、下限值即第二基准值、处于第一基准值和第二基准值之间的第三基准值;以及控制单元(12、13),其基于存储在该存储单元(11)中的基准值和由上述导电率测定单元(10)测定的加工的导电率实际测量值进行控制,在加工的导电率超过第一基准值的情况下,仅向纯水化单元(9)通水,如果加工的导电率低于第二基准值,则停止向纯水化单元(9)通水,并且仅向上述防腐蚀单元(8)通水,如果加工的导电率超过第三基准值,则停止向防腐蚀单元(8)通水。
  • 调整装置方法以及电极放电加工
  • [发明专利]流量补偿方法-CN201510420834.2有效
  • 金一诺;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2015-07-17 - 2020-03-27 - B24B57/02
  • 本发明揭示了一种流量补偿方法,包括:选择一个腔体作为基准腔体,向基准腔体中输入液体,基准腔体的喷头喷射液体形成柱,记录柱高度为基准高度,记录基准腔体的液体流量为基准流量。选择另一腔体作为对照腔体,向对照腔体中输入液体,对照腔体的喷头喷射液体形成柱,调节对照腔体的流体流量以使得对照腔体的柱达到基准高度,记录对照腔体的液体流量为对照流量,计算对照流量与基准流量的差值为该对照腔体的补偿值在工艺流程中,向基准腔体提供的液体为基准流量,向其他腔体提供的液体流量为:基准流量+该腔体的补偿值。
  • 流量补偿方法

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