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[发明专利]SAW滤波器的封装结构及其制作方法-CN201610975480.2在审
发明人：姜峰;薛恺 -专利权人：无锡吉迈微电子有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种SAW滤波器的封装结构，包括基体，在基体中设有连通基体正面和背面的通孔，在基体正面表面、背面表面，以及通孔侧壁覆盖有绝缘层；在基体正面的绝缘层上覆盖压电材料；在基体正面和背面对应通孔的部位分别设有正面引出电极和背面引出电极；正面引出电极和背面引出电极通过通孔内的金属导电结构连接；正面引出电极位于压电材料表面，背面引出电极位于基体背面的绝缘层表面；正面引出电极以及正面引出电极外侧的SAW滤波器边缘被粘胶覆盖；盖板压在粘胶之上；盖板与基体正面的压电材料之间具有空腔；空腔中的压电材料表面设有换能器电极；在背面钝化层上对应背面引出电极的部分位置开口制作焊球引出电极；该封装结构成本低、可靠性高。
saw 滤波器封装结构及其制作方法

[实用新型]一种太阳能电池片及电池片阵列和组件-CN201820497575.2有效
发明人：谢煜;邓瑞;孙翔 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种太阳能电池片及电池片阵列和组件，所述太阳能电池片包括电池片基体、设在电池片基体正面的正面电极以及设在电池片基体背面的背电场和背面电极，所述电池片基体包括硅基片和位于硅基片正面的减反射和钝化层，所述太阳能电池片还包括石墨烯导电层，所述石墨烯导电层设置在电池片基体的正面且覆盖正面电极。本实用新型通过先在电池片基体正面直接丝网印刷和高温烧结正面银主栅作为正面电极，然后在电池片基体正面设置石墨烯导电层，该石墨烯导电层覆盖正面银主栅，取消了正面细栅线的设置改而用石墨烯导电层代替，不仅可以在电池片正面充分收集载流子
电池片基体石墨烯导电层太阳能电池片正面电极本实用新型电池片阵列硅基片主栅载流子直接丝网印刷导电银浆料电池片正面背面电极高温烧结有效吸光正面设置背电场钝化层减反射细栅线覆盖节约

[发明专利]声表面滤波器的晶圆封装结构和制作工艺-CN201711019212.4在审
发明人：姜峰 -专利权人：无锡吉迈微电子有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本发明提供一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体，基体的正面设有绝缘层，基体正面的绝缘层上沉积有压电材料；在压电材料上制作有输入输出端口；输入输出端口被基体正面设置的粘胶包覆；盖板键合至基体正面，盖板压在粘胶之上；盖板与基体正面的压电材料之间形成空腔；基体的背面形成有斜坡，且形成通到输入输出端口的盲孔；在盲孔侧壁、斜坡上和基体背面沉积有绝缘层和种子层；在种子层上电镀有金属线路，金属线路连接基体正面的输入输出端口，并通过斜坡延伸至基体背面；在基体背面的背面钝化层上形成开口，开口处制作与金属线路连接的封装电连接单元。
表面滤波器封装结构制作工艺

[实用新型]声表面滤波器的晶圆封装结构-CN201721407194.2有效
发明人：姜峰 -专利权人：无锡吉迈微电子有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本实用新型提供一种声表面滤波器的晶圆封装结构，包括基体，基体的正面设有绝缘层，基体正面的绝缘层上沉积有压电材料；在压电材料上制作有输入输出端口；输入输出端口被基体正面设置的粘胶包覆；盖板键合至基体正面，盖板压在粘胶之上；盖板与基体正面的压电材料之间形成空腔；基体的背面形成有斜坡，且形成通到输入输出端口的盲孔；在盲孔侧壁、斜坡上和基体背面沉积有绝缘层和种子层；在种子层上电镀有金属线路，金属线路连接基体正面的输入输出端口，并通过斜坡延伸至基体背面；在基体背面的背面钝化层上形成开口，开口处制作与金属线路连接的封装电连接单元。
表面滤波器封装结构

[发明专利]一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法-CN202010196429.8在审
发明人：陈嘉;马丽敏;包杰;陈程;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法，包括：(1)、在硅基体一面生长掩膜层作为硅基体的正面；(2)、在掩膜层上局部印刷刻蚀浆料层，并烘干；(3)、对硅基体硼扩散处理，以在不含掩膜层的区域形成重掺杂区域，含掩膜层的区域形成轻掺杂区域，从而形成正面硼选择性发射极(4)、将硅基体背面的制绒面刻蚀成平面，同时去除所述正面硼硅玻璃层；(5)、在硅基体背面生长隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，并进行退火处理，形成掺杂多晶硅层；(6)、在硅基体背面沉积背面钝化薄膜，在硅基体正面沉积正面钝化减反膜；(7)在硅基体正面印刷正面主栅和正面副栅，在硅基体背面印刷背面主栅和背面副栅，并进行烘干处理。
一种具有选择性发射极太阳能电池制备方法

[发明专利]高压高阻玻璃釉电阻器-CN201210419117.4无效
发明人：陈宝平;侯颖超;李晓丹 -专利权人：陕西宏星电器有限责任公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压高阻玻璃釉电阻器，包括导电基体，导电基体的正面设置电阻，电阻的一端设置电极一，电阻的另一端设置电极二，电极一连接有引线一，引线一的一端设置有正面分支一、正面分支二和背面分支一，导电基体卡接在正面分支一、正面分支二和背面分支一之间，正面分支一和正面分支二均抵接在电极一上，背面分支一抵接在导电基体的背面；电极二连接引线二，引线二的一端设置正面分支三、正面分支四和背面分支二，导电基体卡接在正面分支三、正面分支四和背面分支二之间，正面分支三和正面分支四均抵接在电极二上，背面分支二抵接在导电基体的背面。
高压玻璃电阻器

[发明专利]一种钝化接触太阳电池制备方法-CN202010225832.9有效
发明人：陈嘉;陈程;马丽敏;包杰;吴伟梁;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化接触太阳电池制备方法，包括：(1)、对制绒后的基体双面硼扩散，形成双面p+掺杂发射极；(2)、去除基体背面的p+掺杂发射极，并抛光；(3)、在基体的双面均沉积隧穿氧化层和多晶硅层(4)、在基体的背面注入磷元素；(5)、对基体进行高温退火，使多晶硅层完成晶化，并在基体的正面形成p+poly，在背面形成n+poly，同时在正面形成含硼氧化层，在背面形成含磷氧化层；(6)、在基体的背面沉积减反膜层；(7)、在基体的正面制备局域掩膜，以在正面形成耐酸浆料层未覆盖的第一区域和耐酸浆料层覆盖的第二区域；(8)、在基体的正面形成局域p+poly；(9)、在基体的正面形成叠层钝化减反膜；(10)在基体的双面均制备电极
一种钝化接触太阳电池制备方法

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202010554934.5有效
发明人：陈嘉;马丽敏;吴伟梁;陈程;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
一种钝化接触太阳能电池制备方法

[发明专利]用于光电应用的高速数据传输的晶体管轮廓接头-CN202111030977.4在审
发明人： O·W·李;J·D·谭;A·S·L·萍;A·克劳斯;A·奥尤都马萨克;K·德勒格米勒 -专利权人：肖特股份有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于光电应用的接头，包括具有基体背面和基体正面以及至少一个开口的接头基体，开口从基体背面延伸穿过基体的体积并沿宽度方向(X)至基体正面，以使每个开口容纳至少一个电绝缘销。销插入通过开口。至少第一底座布置在基体正面处，其中每个底座在高度方向(Z)上位于开口的中心下方，并且包括至少一个底座安装面和与底座安装面相对的底座自由面。每个底座还包括至少一个用于安装和承载底座基座的上表面。第一基座的底座安装面通过至少部分地布置在基体正面和底座安装面之间的导电材料固定地附接至基体正面。电绝缘材料布置在开口中并且特别是在基体和销之间，以确保销(6)与基体电绝缘。
用于光电应用高速数据传输晶体管轮廓接头

[发明专利]具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法-CN200510129580.5有效
发明人：鲁珀特·克劳特鲍尔;格哈德·许特尔;安德烈·伦茨;埃尔温－彼得·迈尔;赖纳·温克勒 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片，其包括由n型或p型掺杂剂原子掺杂的具有一个正面和一个背面的单晶硅基体晶片，以及在该基体晶片的正面上外延沉积的层，以及电阻率低于该基体晶片的n⁺⁺型或p⁺⁺型掺杂的层，该层在所述外延层的下方从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内，并具有一定的厚度。本发明还涉及该半导体晶片的制造方法，其特征在于，使n型或p型的掺杂剂原子通过该基体晶片的正面引入该基体晶片内，在从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内的层中的掺杂剂浓度从n⁺或p⁺级提高至n⁺⁺或p⁺⁺级，并在该基体晶片的正面上沉积一层外延层。
具有外延沉积半导体晶片以及制造方法

[实用新型]高压高阻玻璃釉电阻器-CN201220558086.6有效
发明人：陈宝平;侯颖超;李晓丹 -专利权人：陕西宏星电器有限责任公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压高阻玻璃釉电阻器，包括导电基体，导电基体的正面设置电阻，电阻的一端设置电极一，电阻的另一端设置电极二，电极一连接有引线一，引线一的一端设置有正面分支一、正面分支二和背面分支一，导电基体卡接在正面分支一、正面分支二和背面分支一之间，正面分支一和正面分支二均抵接在电极一上，背面分支一抵接在导电基体的背面；电极二连接引线二，引线二的一端设置正面分支三、正面分支四和背面分支二，导电基体卡接在正面分支三、正面分支四和背面分支二之间，正面分支三和正面分支四均抵接在电极二上，背面分支二抵接在导电基体的背面。
高压玻璃电阻器

[实用新型]一种多功能车载智能遮阳板-CN201920493314.8有效
发明人：章元虎 -专利权人：兰溪智酷尔智能科技有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B60J3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多功能车载智能遮阳板，包括基体和连接在基体下部的智能滤光屏，所述基体的左侧设有卡托，基体的右侧设有滤光调节器，基体正面设有显示屏，基体正面的左侧设有麦克风，基体正面的右侧设有喇叭，基体背面的中部设有太阳能电池组件，基体背面的两侧设有光传感器，基体内部设有WIFI信号发射器和控制器主板。
一种多功能车载智能遮阳板

[发明专利]发光装置以及照明器具-CN201310175659.6有效
发明人：别田惣彦;小川光三;松田周平;西村洁;柴野信雄 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：发光装置（10）具备绝缘基体（11）、正面金属构件（12）、光源（13）以及背面金属构件（14）。绝缘基体为陶瓷制。正面金属构件（12）分割且配置于绝缘基体（11）的表面（安装面（11A））。光源（13）安装于正面金属构件（12）上。背面金属构件（14）设于绝缘基体（11）的背面（11B）。正面金属构件(12)包括:第1正面金属构件及第2正面金属构件。光源(13)安装于第1正面金属构件。第2正面金属构件与第1正面金属构件呈电绝缘的方式间隔设置，且至少有一部分是设在绝缘基体(11)的外周部。
发光装置以及照明器具

[发明专利]一种晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910920590.2在审
发明人：张树德;魏青竹;况亚伟;钱洪强;丁可;揭建胜;张晓宏;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院;苏州大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。
浮动结硅太阳电池钝化结构钝化效果少子寿命硼扩散种晶制备电池保证

[实用新型]一种高效双面电池组件-CN202222235995.2有效
发明人：王帆;郑炯;麻超;杨燕;张向前;邢少辉 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种高效双面电池组件，包括双面电池及边框，双面电池包括正面玻璃基体、正面减反射膜、电池本体、背面减反射膜以及背面玻璃基体，还包括缓冲层膜，缓冲层膜设置在正面玻璃基体与正面减反射膜之间和/或背面玻璃基体与背面减反射膜之间，缓冲层膜的折射率介于正面玻璃基体与正面减反射膜之间；边框上设置有安装槽，双面电池设置在安装槽内。本实用新型提供的一种高效双面电池组件，进一步提升正面玻璃基体与背面玻璃基体的透光率，实现与电池本体的最佳光学匹配，增设缓冲层膜，优化各层之间折射率，有效隔离外界对装置的影响，进一步提高双面电池组件的耐候性
一种高效双面电池组件

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