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[实用新型]故障指示型氧化锌防雷绝缘子-CN201620813400.9有效
发明人：范晓东;贾立忠;胡敦;徐勇俊;蒋嵘;朱惊雷;黄红辉;马骁;洪利荣;龚杰 -专利权人：国网浙江省电力公司金华供电公司;国家电网公司;南京艾通电气有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01B17/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种故障指示型氧化锌防雷绝缘子，由上金具、下金具、间隙组、氧化锌电阻片、环氧筒组成，所述环氧筒外侧包有绝缘外套，所述环氧筒上设有至少一对对称的压力释放孔，环氧筒外侧套接有故障指示环，填充钉将故障指示环固定在压力释放孔位置，所述环氧筒上涂有鲜艳的反光层。通过这样的设置，本实用新型故障指示型氧化锌防雷绝缘子可以防止设备在雷击过程中由于内部压力过大炸裂，提高设备的安全性。
故障指示氧化锌防雷绝缘子

[实用新型]GIS终端的绝缘密封件-CN201520404195.6有效
发明人：董波;田正兵;住本勉 -专利权人：特变电工昭和（山东）电缆附件有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H02G15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种插拔式GIS终端技术领域，具体地说是一种GIS终端的绝缘密封件，包括终端的环氧套管，在环氧套管内分别设置高压电极端和接地端，还包括绝缘栓、制动金具、压缩金具和挡板，在环氧套管的端部内沿轴线由内向外依次设置制动金具、绝缘栓、压缩金具和挡板，挡板的外侧板与环氧套管的外端面齐平；所述的绝缘栓包括绝缘本体、屏蔽金具和固定金具并注塑成一体式结构；所述的压缩金具为横向设置的圆桶状，紧靠于固定金具和弹簧的外侧，底板与固定金具之间通过螺栓连接；挡板紧靠在压缩金具的外侧。本实用新型具有可避免GIS终端环氧套管产生放电，提高安全性能的特点。
gis 终端绝缘密封件

[实用新型]一种带故障指示型防雷柱式瓷绝缘子-CN202021037081.X有效
发明人：张爱祥 -专利权人：南京新惠程电气有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01B17/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及瓷绝缘子技术领域，具体为一种带故障指示型防雷柱式瓷绝缘子，包括环氧筒、绝缘外套、上金具、下金具、间隙组和氧化锌电阻片，所述的环氧筒的外表面设置有绝缘外套，所述的环氧筒的一端固定连接有上金具，所述的环氧筒远离上金具的一端固定连接有下金具，所述的环氧筒上开设有第一压力释放孔，所述的环氧筒的外表面固定连接有指示装置。本实用新型的优点在于：该一种带故障指示型防雷柱式瓷绝缘子，通过设置有铃铛和填充钉，当该装置内部压力较大的时候弹开填充钉，铃铛牵引填充钉并从消声筒内伸出，随着风发出响声，且的铃铛的涂有红色颜料，便于工作人员快速发现
一种故障指示防雷柱式瓷绝缘子

[发明专利]用于程序化板的具有可调式保持电压的静电放电保护设备-CN201310145781.9有效
发明人：林盈彰;赖大伟 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种用于程序化板的具有可调式保持电压的静电放电保护设备，实施例包含：设置硅控整流器(SCR)，该硅控整流器包含具有阴极接线的第一n型层、具有第一控制接线的第一p型层、具有第二控制接线的第二n型层、以及具有阳极接线的第二p型层；将该阳极接线耦接至电能轨；将该阴极接线耦接至地轨；设置可调式保持电压控制单元，该可调式保持电压控制单元包含具有第一栅极、第一漏极及第一源极的第一N型金氧半导体，其中，在静电放电事件期间，该第一N型金氧半导体被关闭且该硅控整流器的保持电压为低的；将该第一漏极耦接至该第一控制接线；将该第一源极耦接至该地轨；以及将该第一栅极耦接至程序电路。
用于程序化具有调式保持电压静电放电保护设备

[实用新型]一种电力电子开关装置电缆输出接头-CN202122347799.X有效
发明人：罗明阳;赵剑锋;郑伟伟;翁玲瑜 -专利权人：九江赛晶科技股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：一种电力电子开关装置电缆输出接头，包括导电金具、环氧体，所述导电金具上套装有均压环，均压环上套装有法兰盘，所述导电金具、均压环、法兰盘整体灌封在环氧体内，所述导电金具的两端端面上均加工有内螺纹接口。本实用新型采用环氧体将导电金具、均压环以及法兰盘进行灌封处理，即可满足绝缘安全又可增加结构安装强度。
一种电力电子开关装置电缆输出接头

[发明专利]氧还原催化剂及其制备方法、燃料电池-CN202211278670.0在审
发明人：李寒煜;郑欣;邱方程;王琦玥昕;刘荣海;郭新良;何运华 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧还原催化剂及其制备方法、燃料电池，氧还原催化剂，包括载体和负载在所述载体上的合金颗粒，所述合金颗粒包括金铜合金核和位于所述金铜合金核外表面的金铂合金壳，所述金铜合金核的晶格结构为金原子密排层和铜原子密排层依次交叉层叠，所述金铜合金核外表面的铜原子被铂原子取代形成所述金铂合金壳。本发明的氧还原催化剂具有低铂含量、高铂利用率且高效稳定的优点。
还原催化剂及其制备方法燃料电池

[发明专利]3-氧戊二酰胺类萃取剂在萃取金上的应用-CN201610427259.3有效
发明人：黄瑛;陈胜;李楠 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C22B3/28 文献下载
摘要：本发明涉及3‑氧戊二酰胺类萃取剂在贵金属金的萃取中的应用，所述的3‑氧戊二酰胺类萃取剂为酰胺荚醚类萃取剂。本发明中的3‑氧戊二酰胺是一类化学性质稳定、不易降解、耐酸性强的萃取剂。该类萃取剂可以从含有金的溶液中萃取金，具有萃取剂用量小，萃取速度快等优点，该类酰胺荚醚萃取剂3‑氧戊二酰胺作为萃取分离金的萃取剂具有实际应用的前景。该类萃取剂对贵金属金的萃取效率最高可达99.82％。
氧戊二酰胺类萃取应用

[实用新型]直流逆向保护电路-CN201320124042.7有效
发明人：张倬伟 -专利权人：亚荣源科技(深圳)有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：直流逆向保护电路包括N型功率金氧半场效晶体管、第一电阻与第二电阻。N型功率金氧半场效晶体管具有栅极、漏极与源极，而漏极连接输入负极端，且源极连接输出负极端。
直流逆向保护电路

[实用新型]一种时序可控的宽电压线性稳压电源-CN202222977130.3有效
发明人：刘伟平;李梦飞 -专利权人：成都极空科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：所述电源包括有时序控制电路和宽电压线性稳压电路，其中，所述时序控制电路包括有P沟道型金氧半场效晶体管、N沟道型金氧半场效晶体管、第一电阻和第二电阻，并通过前述组成部分的电连接关系，可实现前端时序控制电路对后端线性稳压电源进行时序控制的目的
一种时序可控电压线性稳压电源

[发明专利]防风偏雷击闪络限制器-CN202111108601.0在审
发明人：万帅;周啸宇;夏传帮;闻君;田正波;张博;武晶;曹伟;刘新;吴煊之;杜雪松;王智凯;刘子浩 -专利权人：襄阳国网合成绝缘子有限责任公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力有限公司;国网浙江省电力有限公司温州供电公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02G7/14 文献下载
摘要：主绝缘部件的低压端通过挂板和过渡板与限压引流部件的一端连接在一起，主绝缘部件的高压端通过另一挂板与另一限压引流部件一端连接，两个所述限压引流部件的另一端连接有向主绝缘部件中垂线方向延伸的放电电极一，两个放电电极一之间形成放电间隙；主绝缘部件包括环氧玻璃纤维引拔棒，环氧玻璃纤维引拔棒的两端分别压接有低压金具和高压金具，环氧玻璃纤维引拔棒的外表面覆盖有硅橡胶伞套，低压金具为T型结构或方柱结构或法兰盘结构，T型结构或方柱结构或法兰结构法兰盘与杆塔的相对位置处设对应的安装螺孔
防风雷击限制器

[实用新型]防风偏雷击闪络限制器-CN202122290450.7有效
发明人：万帅;周啸宇;夏传帮;闻君;田正波;张博;武晶;曹伟;刘新;吴煊之;杜雪松;王智凯;刘子浩 -专利权人：襄阳国网合成绝缘子有限责任公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力有限公司;国网浙江省电力有限公司温州供电公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H02G7/14 文献下载
摘要：主绝缘部件的低压端通过挂板和过渡板与限压引流部件的一端连接在一起，主绝缘部件的高压端通过另一挂板与另一限压引流部件一端连接，两个所述限压引流部件的另一端连接有向主绝缘部件中垂线方向延伸的放电电极一，两个放电电极一之间形成放电间隙；主绝缘部件包括环氧玻璃纤维引拔棒，环氧玻璃纤维引拔棒的两端分别压接有低压金具和高压金具，环氧玻璃纤维引拔棒的外表面覆盖有硅橡胶伞套，低压金具为T型结构或方柱结构或法兰盘结构，T型结构或方柱结构或法兰结构法兰盘与杆塔的相对位置处设对应的安装螺孔
防风雷击限制器

[发明专利]在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法-CN02141876.4无效
发明人：吴集锡 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-08-27 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法，其将金氧半晶体管的工艺加以修改，以同步制作双载子晶体管与互补式金氧半晶体管，如此将可大幅减少工艺步骤，并降低工艺成本。再者，由于本发明在硅绝缘体基底上形成双载子互补式金氧半导体元件，故可降低元件的寄生电容，避免元件发生闭锁现象，并可增进元件的集成度与操作速度。
绝缘体基底制造双载子互补式金氧半导体方法

[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法-CN201910392147.2在审
发明人：徐英添;王肖依;吴虹达;王灌鑫;马光辉;石琳琳;张贺;金亮 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该紫外光电探测器，包括硅衬底、金层、铜镓氧材料或掺杂金属元素的铜镓氧材料层，金层位于硅衬底上，铜镓氧材料或掺杂金属元素的铜镓氧材料层位于金层上。制备方法包括：在Si衬底上利用紫外光刻法制备差分电极图案；在差分电极图案上磁控溅射金层；在金层上添加铜镓氧材料或掺杂金属元素的铜镓氧材料。利用光刻法将电极做在衬底上，实现测试简易化。铜镓氧材料或掺杂金属元素的铜镓氧材料采用水热法制备，可以通过控制温度和反应时间来控制合成纳米片的尺寸。
紫外光电探测器金层掺杂金属元素制备材料层分电极硅衬底衬底图案抗干扰能力磁控溅射控制合成水热法制探测性能紫外光刻电极光刻法纳米片简易测试响应

[发明专利]一种耗时缩短的超级结金氧半场效晶体管制备方法-CN201510690245.6在审
发明人：姜伟 -专利权人：苏州保尔迪瓦电子科技有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种耗时缩短的超级结金氧半场效晶体管制备方法，其在衬底层上制备N型掺杂的外延层，在外延层上植入P型掺杂，重复步骤制得P型立柱与N型外延层交错的超级结结构；或者在外延层上植入P型掺杂与N型掺杂，制得P型立柱与N型立柱交错的超级结结构。
一种耗时缩短超级结金氧半场晶体管制备方法

[发明专利]单向导通装置-CN02149960.8有效
发明人：陈昇峰 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H03D1/10 文献下载
摘要：一种单向导通装置，包括金氧半场效晶体管及驱动装置，金氧半场效晶体管的源极与汲极是分别作为单向导通装置的P极与N极，驱动装置例如是比较器或放大电路等，用以检测金氧半场效晶体管源极与汲极间的电位差。当P极电位高于N极电位时，驱动装置150便输出一驱动电位至金氧半场效晶体管的闸极使其导通，若P极电位低于N极电位，驱动装置便无法输出开启金氧半场效晶体管所需的驱动电位，此时单向导通装置关闭，故单向导通装置具有单向导通的特性
向导装置