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[发明专利]1-3型复合型硅背衬层及制备方法及高频超声换能器-CN202310675394.X在审
发明人：李照希;侯琛雪;娄利飞 -专利权人：广东捷成科创电子股份有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种1‑3型复合型硅背衬层及制备方法及高频超声换能器，1‑3型复合型硅背衬层由一维连通的硅基相平行排列于三维连通的环氧相形成，其中硅基相为高纯度硅片，环氧相为环氧树脂，硅基相与环氧相的体积比确定1‑3型复合型硅背衬层的声阻抗，本发明基于ISO‑STRAIN理论与Desilets理论，传统单层吸声背衬层的基础上，引入1‑3复合结构，通过调节硅/环氧树脂中硅组分的体积比，实现改变背衬层的声阻抗的目的，将上述背衬层用在高频超声换能器中，可以达到改善超声换能器的能量传输效率的目的。
复合型硅背衬层制备方法高频超声换能器

[发明专利]一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池-CN201710875369.0有效
发明人：万勇;高竞;徐胜;姜澄溢;刘浩楠 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池，前接触层下侧面上设有前电极；前电极和背电极之间是三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构，三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构的上层为n型硅半导体层，下层为p型硅半导体层，前电极嵌入在n型硅半导体层的线缺陷波导底部，p型硅半导体能与背电极构成平面；背电极的底部设有背接触层，背电极设置在p型硅半导体层的慢光区或禁带区；其厚度小，节省材料，载流子扩散距离短
一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池

[发明专利]一种二维硅基微纳光子晶体太阳能电池-CN201410504341.2有效
发明人：万勇;刘培晨;韩文娟;贾明辉;孙蕾 -专利权人：青岛大学
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种二维硅基微纳光子晶体太阳能电池，前接触层的下侧面上设有周期性排列的前电极；前电极和背电极之间设有二维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构，二维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构的上层为n型硅半导体层，下层为p型硅半导体层，n型硅半导体层和p型硅半导体层形成PN结；背电极的底部设有背接触层，背接触层的材料与前接触层的材料相同；铝薄层结构的背电极设置在p型硅半导体层的慢光区域或禁带区域；其结构简单，厚度远低于传统硅太阳能电池的厚度，体积小，阈值低，载流子扩散距离短，稳定性、光的耦合和传输效率高，加工和复合技术成熟，成为新一代最有潜力、低成本、高效太阳能电池器件。
一种二维硅基微纳光子晶体太阳能电池

[实用新型]一种具有过渡层的硅基薄膜太阳能电池-CN201420726223.1有效
发明人：何湘衡;李廷凯 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有过渡层的硅基薄膜太阳能电池，包括n型硅晶片，在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层采用这种过渡层的硅基薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。
一种具有过渡薄膜太阳能电池

[发明专利]一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池及其制备方法-CN201910054804.2在审
发明人：黄增光;高锟;王晓刚;顼浱;宋晓敏;史林兴;周朕 -专利权人：淮海工学院
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池，属于太阳能电池技术领域，该电池包括单晶硅基底，单晶硅基底的正表面采用硅基类倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅基类倒金字塔结构发射极由硅类倒金字塔结构和2层钝化介质膜构成；本发明还涉及单晶硅基类倒金字塔结构背钝化太阳电池的制备方法。本发明是优化电池在短波段和长波段的光谱响应，实现硅基太阳电池在整个波段（300—1100nm）上的优异光谱响应，最终实现太阳电池效率的提高，在n型标准太阳电池尺寸156×156 mm²
单晶硅倒金字塔结构钝化基底基类倒金字塔绒面结构光谱响应发射极硅基制备电池太阳能电池技术标准太阳电池光电转换效率硅基太阳电池太阳电池效率背钝化结构钝化介质膜背表面长波段短波段正表面波段优化

[发明专利]采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法-CN201310056813.8有效
发明人：缪建民 -专利权人：上海微联传感科技有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明为一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法，包括多孔背极板硅基及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜，其特征在于：所述的多孔背极板硅基和单晶硅振膜作为麦克风电容的两极板，经过硅硅键合工艺键合成一体多孔背极板硅基上设有背极板金属电极、声孔和背腔，单晶硅振膜上设有金属电极和小凸柱，振膜金属电极和背极板电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜由氧化硅层支撑悬于多孔背极板硅基的上方，单晶硅振膜和多孔背极板硅基之间设有气隙，多孔背极板硅基、单晶硅振膜和气隙形成电容结构。
采用多孔 soi 硅硅键合 mems 麦克风及其制造方法

[实用新型]采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风-CN201320082192.6有效
发明人：缪建民 -专利权人：上海微联传感科技有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风，包括多孔背极板硅基及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜，其特征在于：所述的多孔背极板硅基和单晶硅振膜作为麦克风电容的两极板，经过硅硅键合工艺键合成一体多孔背极板硅基上设有背极板金属电极、声孔和背腔，单晶硅振膜上设有金属电极和小凸柱，振膜金属电极和背极板电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜由氧化硅层支撑悬于多孔背极板硅基的上方，单晶硅振膜和多孔背极板硅基之间设有气隙，多孔背极板硅基、单晶硅振膜和气隙形成电容结构。
采用多孔 soi 硅硅键合 mems 麦克风

[发明专利]一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风-CN201410653763.6在审
发明人：缪建民 -专利权人：缪建民
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明为一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基及位于所述背极板硅基上方的振膜，其特征在于：导电良好的背极板硅基和振膜作为麦克风电容的两极板；背极板硅基上沉积有背极板金属电极，背极板金属电极和背极板硅基电连接；背极板硅基上设有若干个直接与大气相通的TSV声孔；振膜上设有小凸柱；振膜上沉积有振膜电极，振膜电极和振膜电连接；振膜电极和背极板金属电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；振膜由氧化硅层支撑悬于背极板硅基的上方，之间形成气隙，背极板硅基、振膜和气隙形成电容结构。
一种背部声学 mems 麦克风

[实用新型]一种太阳电池-CN201820929642.3有效
发明人：沈辉;姚志荣;孟蓝翔;蔡伦;张睿 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型的太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，并位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，并位于n型发射层上；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形成于硅基体层的另一面，铝背场形成于欧姆接触层表面。本实用新型的具有的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。
硅基体层欧姆接触层前电极本实用新型铝背场硅基异质结太阳电池异质结太阳电池导电层表面导电层形成顶部表面短路电流光学性能导电层硫化铟延伸衬底硅基寄生吸收

[发明专利]一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层及其制备方法-CN201210022382.9有效
发明人：侯国付;倪牮;马峻;刘飞连;张晓丹;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层，是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积形成，由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成；其制备方法是：在较低的辉光功率下沉积厚度较薄的p型硅薄膜P1，然后逐渐升高功率沉积薄膜P2，最后在较高的功率下完成窗口层P3。本发明的优点是：该纳米硅窗口层用于n-i-p型硅基薄膜太阳电池的窗口层时，既可获得高电导和宽带隙，又能有效地减小太阳电池i/p界面的轰击，还可以实现本征层和窗口层之间的带隙匹配，显著提高太阳电池的填充因子、开路电压和光谱响应，从而得到高光电转换效率的硅基薄膜太阳电池。
一种具有梯度型带隙特征纳米窗口及其制备方法

[发明专利]一种二维硅基光子晶体太阳能电池-CN201510191657.5有效
发明人：万勇;孙彬;贾明辉;孙蕾;高竞 -专利权人：青岛大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种二维硅基光子晶体太阳能电池，前接触层的下侧面上设有前电极；前电极和背电极之间设有蜂窝状太阳能电池结构，蜂窝状太阳能电池结构的上层为N型硅半导体层，下层为P型硅半导体层，N型硅半导体层和P型硅半导体层形成PN结；背电极的底部设有背接触层，背接触层的材料与前接触层的材料相同；背电极设置在P型硅半导体层的慢光区域或禁带区域，背电极的形状与前电极的形状相同，均为条形状；入射光通过前接触层照射在蜂窝状太阳能电池结构上
一种二维光子晶体太阳能电池

[实用新型]一种光电极及Pt基纳米合金催化剂-CN202122209020.8有效
发明人：李刘晶;吴绍龙;郭培基;李孝峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25B11/081 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电极及Pt基纳米合金催化剂。该一种光电极，选用p型单晶硅基底作为平面硅基底，所述平面硅基底的一侧配置有背导电层，所述背导电层连接导线，所述平面硅基底的与所述背导电层相对侧上配置有硅微纳米线阵列层及活性金属层。该Pt基纳米合金催化剂的纳米合金的尺寸可控，空间分布是均匀的。并通过试验验证本申请提出的实施方式获得的纳米合金催化剂，具有优异和稳定的催化活性。
一种电极 pt 纳米合金催化剂

[发明专利]一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺-CN200910030262.1无效
发明人：王树娟;何宇亮 -专利权人：无锡市纳微电子有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺。工艺简单，易加工、生产成本低，且通过该工艺加工出的传感器芯片精度高、稳定性好。为此，本发明还提供了使用该工艺的传感器芯片。特征在于：其采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底，在硅基衬底的正反两面各生长一层SiO₂和Si₃N₄组成的复合绝缘膜，在所述上层复合绝缘膜上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层，在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻，掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线，蒸AL反刻引出内引线合金化，所述硅基衬底反面通过体微加工形成背大膜区和背岛，硅基衬底底部通过硅玻璃键合形成绝压腔。
一种改良灵敏度压力传感器芯片制作工艺

[发明专利]一种单片硅基微压传感器及其制作方法-CN201810222541.7在审
发明人：沈绍群;罗小勇;阮炳权 -专利权人：广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片硅基微压传感器及其制作方法，通过在硅基片之中的腐蚀坑之中，制作背岛结构，而在背岛结构之中，包括有用于稳定测量的背岛，相对于常见的厚度为400微米左右的微压传感器，本发明的背岛的体积很小，而且背岛底面与硅基片的边框平面距离远远大于5－10微米，所以，本发明的单片硅基微压传感器之中的背岛不会受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率、降低成本；与传统的E型结构相比，更能够克服大背岛的自重效应，从而提高稳定性；此外，还能够避免出现背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题；另外，还能够形成厚度一致性好、灵敏度一致性好的弹性硅膜，从而适宜于大规模生产。
背岛微压传感器单片硅基硅基片制作厚度一致性边框平面玻璃键合厚度限制器件失效稳定测量一致性好产出率传统的弹性硅腐蚀坑灵敏度底面

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

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