专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成图案工序及采用该工序制造液晶显示设备的方法-CN02123216.4无效
  • 城户秀作 - NEC液晶技术株式会社
  • 2002-06-12 - 2003-12-31 - G03F7/00
  • 利用发射到将被蚀刻的薄膜上的感光薄膜上的光量的不同,制成仅通过一个照相平版印刷步骤形成并且具有不同薄膜厚度的感光薄膜图案,利用感光薄膜图案薄膜厚度的不同对将被蚀刻的薄膜进行两次蚀刻,以便在其中形成多个图案,由此减少制造工序步骤的数量。在这种情况下,在蚀刻并除去感光薄膜图案之外的薄感光薄膜时,感光薄膜图案之外的厚感光薄膜的上层已经被改造成为几乎不受干蚀刻影响的二氧化硅薄膜,因此厚感光薄膜能保持其平面形状,并几乎与蚀刻薄感光薄膜之前厚感光薄膜的平面形状相同因此,使用二氧化硅薄膜作为掩膜,将被蚀刻的薄膜被蚀刻为具有与设计图案几乎相同的图案
  • 形成图案工序采用制造液晶显示设备方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810005666.0无效
  • 石桥健夫;米仓和贤;筱原正昭;寺井护 - 株式会社瑞萨科技
  • 2008-02-14 - 2008-08-20 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,其中包含以下工序:在半导体衬底的主表面上形成被加工层的工序;在被加工层上形成底层的工序;在底层上依次形成第1中间层和第2中间层的工序;在用底层覆盖被加工层的状态下使第2中间层形成图案工序;在形成图案的第2中间层上形成第1掩膜图案工序;使用第1掩膜图案使第2中间层形成图案工序;使用形成图案的第2中间层,使第1中间层和底层形成图案形成第2掩膜图案工序;使用第2掩膜图案,使被加工层形成图案工序
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]积层基板的制造方法-CN201010613514.6无效
  • 镰仓知之;角谷彰彦 - 精工爱普生株式会社
  • 2010-12-24 - 2011-07-27 - H05K3/46
  • 本发明提供以抑制了接触部的剖面积和/或形成位置的偏差的状态形成积层结构的积层基板的制造方法,该接触部将夹持绝缘膜而以绝缘状态配置的布线图案电连接。积层基板的制造工序,作为形成第1层的布线图案工序,包括表面处理工序S1、以喷墨方式形成催化剂图案的催化剂图案形成工序S2、催化剂图案的烧制工序S3、形成布线图案的化学镀铜工序S4。此外,作为形成第2层的布线图案以及将第1层与第2层的布线图案电连接的接触部的工序,包括疏液部形成工序S5、绝缘膜形成工序S6、绝缘膜表面处理工序S7、催化剂图案形成工序S8、催化剂图案的烧制工序S9、形成布线图案以及接触部的化学镀铜工序
  • 积层基板制造方法
  • [发明专利]微细图案成形方法、压印用模具制造方法及压印用模具、以及光学设备-CN201980076533.9在审
  • 田边大二;粟屋信义;田中觉 - SCIVAX株式会社
  • 2019-10-15 - 2021-07-23 - H01L21/027
  • 本发明提供一种按被成形物的规定位置形成控制了方向或位置的微细图案的成形方法、使用该成形方法的压印用模具制造方法、压印用模具、以及光学设备。所述成形方法包括:第1掩模图案形成工序,通过压印,在被成形物(2)的至少包含未形成有微细图案(21)的区域的表面形成用于形成微细图案(21)的第1掩模图案(31);第2掩模图案形成工序,在被成形物(2)及第1掩模图案(31)上形成抗蚀膜(4),通过光照射进行曝光并且进行显影,以使未形成有微细图案(21)且形成有第1掩模图案(31)的区域露出的方式形成第2掩模图案(41);以及微细图案形成工序,对该被成形物(2)进行蚀刻,形成微细图案(21),将第1掩模图案形成工序、第2掩模图案形成工序、微细图案形成工序按该顺序反复进行。
  • 微细图案成形方法压印模具制造以及光学设备
  • [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202010470263.4在审
  • 中井仁司;大须贺勤;吉原直彦;金松泰范;奥谷学;天久贤治;林昌之 - 株式会社斯库林集团
  • 2020-05-28 - 2020-12-01 - H01L21/06
  • 基板处理方法包括:药液处理工序,保持覆盖基板的图案形成面的药液的液膜,并使用药液来处理图案形成面;中间处理工序,使用中间处理液来处理图案形成面;填充剂喷出工序,朝向图案形成面喷出填充剂;填充剂扩大工序,使填充剂朝向基板的外周扩展;固化膜形成工序,在图案形成形成填充剂的固化膜;下位置配置工序,将遮断部件配置在下位置并维持在下位置;以及遮断部件上升工序,朝向位于比下位置更靠上方的上位置开始遮断部件的上升药液处理工序包括从中央喷嘴朝向图案形成面喷出药液的工序。填充剂扩大工序包括在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大的工序
  • 处理方法以及装置
  • [发明专利]导电图案的制造方法及电子器件的制造方法-CN202180094300.9在审
  • 片山晃男;两角一真;佐藤守正 - 富士胶片株式会社
  • 2021-12-21 - 2023-10-20 - H05K3/06
  • 本发明的导电图案的制造方法包括形成工序1、形成工序2、曝光工序、去除工序1及去除工序2。形成工序1中,在支承体上的一部分或整个面上形成包含金属纳米材料及树脂的导电层。形成工序2中,在上述导电层上形成感光性树脂层。曝光工序中,对上述感光性树脂层进行曝光。去除工序1中,从经曝光的上述感光性树脂层去除不必要的部分而形成树脂图案。去除工序2中,去除未形成有上述树脂图案的部分中的上述导电层而获得导电图案。本发明的电子器件的制造方法具备通过上述导电图案的制造方法获得的导电图案
  • 导电图案制造方法电子器件
  • [发明专利]立体配线基板的制造方法、立体配线基板、立体配线基板用基材-CN201580065134.4在审
  • 道脇茂 - 名幸电子有限公司
  • 2015-10-30 - 2017-08-01 - H05K3/22
  • 包括准备工序,在该准备工序中,准备具有50%以上的断裂伸长率的树脂膜(1);第一金属膜形成工序,在该第一金属膜形成工序中,在所述树脂膜的表面上形成第一金属膜(3);图案形成工序,在该图案形成工序中,对所述第一金属膜进行图案处理,以形成所期望的图案;立体成型工序,在该立体成型工序中,对所述树脂膜进行加热和加压从而立体成型;以及第二金属膜形成工序,在该第二金属膜形成工序中,在形成图案的所述第一金属膜上形成第二金属膜(21),在所述第一金属膜形成工序中,将金属以粒子状堆积,以将所述第一金属膜形成疏松状。
  • 立体配线基板制造方法配线基板用基材
  • [发明专利]图案形成材料、以及图案形成装置和图案形成方法-CN200710129075.X无效
  • 南一守;池田贵美;高岛正伸 - 富士胶片株式会社
  • 2007-07-11 - 2008-01-16 - G03F7/033
  • 本发明的目的在于,通过组合规定的聚合性化合物进而在一定范围内调节感光层的感度,提供感度和析像度高、且遮盖膜强度强、密合性出色、防止未曝光膜破裂的效果出色的图案形成材料、以及图案形成装置、以及图案形成方法本发明的图案形成材料,具有支撑体并且在该支撑体上至少具有感光层而成,该感光层至少含有粘合剂、聚合性化合物、和光聚合引发剂,所述聚合性化合物含有具有双酚骨架的聚合性化合物(a-1)、和分子具有4个以上的反应性基团且分子量为本发明使用了该图案形成材料的图案形成方法也具有所述特征。
  • 图案形成材料以及装置方法

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