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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案化材料和图案化薄膜-CN202010761964.3在审
发明人：张宇;曾志雄;周慧慧 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本申请提供一种图案化材料，包括聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包括至少一个由Si‑O键重复构成的环状结构和连接在所述环状结构中的Si原子上的有机基团；其中，至少一个所述环状结构中的部分Si原子被金属元素取代，和/本申请图案化材料在1nm～15nm X射线照射下，具有高敏感性、高图案分辨率，可实现高质量、高效率图案化工艺。将本申请图案化材料用于芯片等电子元器件的制备，可提高电子元器件精度和制备效率。本申请还提供了采用该图案化材料形成的图案化薄膜。
图案材料薄膜

[发明专利]量子点图案化薄膜的制备方法及图案化薄膜-CN201910080463.6在审
发明人：施立甫;钟海政;刘瑞扩;孟令海;江峰 -专利权人：致晶科技（北京）有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点图案化薄膜的制备方法，至少包括步骤：(1)获得成膜溶液S1；(2)获得用于图案化的溶液S2；(3)在基板上获得由成膜溶液S1制备的薄膜；(4)将溶液S2转移至步骤(3)中所述薄膜的像素位点上，得到所述量子点图案化薄膜；其中，所述溶液S2中含有图案化溶质；所述图案化溶质包括量子点、钙钛矿量子点前驱体中的至少一种。该方法操作简便，成本低廉，适用于工业生产，可以实现大面积量子点图案化，并且由本申请所制备的图案化薄膜可以有效地隔绝水氧，且耐化学腐蚀，具有较高的稳定性。
量子图案薄膜制备方法

[发明专利]薄膜涂膜的方法-CN200710188792.X无效
发明人：吕志平;李裕正;林国栋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种形成连续薄膜层的薄膜涂膜的方法，所述的方法包含：提供一具有一表面的基板；于所述的表面上形成一第一图案化薄膜层，所述的第一图案化薄膜层包括复数个彼此隔开的第一薄膜单元；且于所述的第一图案化薄膜层之上形成一第二图案化薄膜层，所述的第二图案化薄膜层沿第一图案化薄膜层延伸且包括复数个彼此隔开的第二薄膜单元，所述的复数个第二薄膜单元的每一者连接第一图案化薄膜层的至少两个紧邻的第一薄膜单元。使用本发明的方法能够于与薄膜具有相对低亲和力的表面层上形成连续薄膜。
薄膜方法

[发明专利]图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构-CN200910139945.0有效
发明人：赖识翔;苏国辉;王敏吉;梁硕玮;姜信铨 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构。图案化的方法包括在基板上提供待图案化的薄膜，接着，在薄膜上形成覆盖层。覆盖层的材料与薄膜的材料相异。之后，以高能光束熔损覆盖层与薄膜，以形成图案化的覆盖层与图案化的薄膜。其后，选择性移除图案化的覆盖层。
图案方法以及用于堆叠结构

[发明专利]薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法-CN201910961967.9在审
发明人：郭德献 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法，其中该薄膜倒装封装结构包括可挠薄膜、图案化金属层、芯片、图案化阻焊层以及含代码图案。可挠薄膜包括芯片配置区及围绕芯片配置区的外围区。图案化金属层位于可挠薄膜上。芯片配置于芯片配置区上且电连接至图案化金属层。图案化阻焊层暴露芯片配置区且覆盖部分的图案化金属层。含代码图案位于可挠薄膜的外围区上，其中含代码图案包括多个机器可读数据。
薄膜倒装封装结构读取代码图案方法

[发明专利]触控感应层及触控显示装置的形成方法-CN201410323444.9有效
发明人：简廷宪;钟德镇;戴文君;潘新叶 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提出一种触控感应层的形成方法，用于形成图案化的氧化铟锡薄膜及导电薄膜，其包括在玻璃基板上形成图案化的第一光阻层；在图案化的第一光阻层上镀上导电薄膜；利用第一道剥离工序形成图案化的导电薄膜；在图案化的导电薄膜上覆盖第二光阻层，且形成图案化的第二光阻层；在图案化的第二光阻层上镀上氧化铟锡薄膜；及利用第二道剥离工序形成与图案化的导电薄膜对位的氧化铟锡薄膜。本发明的触控感应层的形成方法首先图案化光阻层，再利用剥离工序分别形成导电薄膜及氧化铟锡薄膜，形成的导电薄膜及氧化铟锡薄膜对位精准、制成简单，从而使得形成的触控感应层精准度高。
感应显示装置形成方法

[发明专利]薄膜倒装封装结构-CN202310593612.5在审
发明人：郭德献 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜倒装封装结构，其包括可挠薄膜、图案化金属层、芯片、图案化阻焊层以及含代码图案。可挠薄膜包括芯片配置区及围绕芯片配置区的外围区。图案化金属层位于可挠薄膜上。芯片配置于芯片配置区上且电连接至图案化金属层。图案化阻焊层暴露芯片配置区且覆盖部分的图案化金属层。含代码图案位于可挠薄膜的外围区上，其中含代码图案包括多个机器可读数据。
薄膜倒装封装结构

[发明专利]驱动电路及显示装置-CN202010327925.2有效
发明人：高雅楠;彭邦银;金一坤 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动电路及显示装置，驱动电路包括：电路单元，电路单元包括一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括图案化构件；一电容器，电容器与电路单元中的薄膜晶体管的至少一端连接，电容器包括一个电极板；以及冗余图案化构件，冗余图案化构件、电极板以及图案化构件位于同一导电层，冗余图案化构件连接于图案化构件和电极板之间。通过在组成薄膜晶体管的图案化构件和电容器的电极板之间设置冗余图案化构件，以避免图案化导电层过程中薄膜晶体管的图案化构件出现蚀刻不均导致电路单元的薄膜晶体管的电性受影响的问题。
驱动电路显示装置

[发明专利]一种图案化3D石墨烯导电薄膜及其绿色制备方法和应用-CN201510547598.0在审
发明人：陈涛;肖鹏;谷金翠;张佳玮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化3D石墨烯导电薄膜及其绿色制备方法和应用。所述方法包括步骤1)提供图案化印章、氧化石墨烯分散液和基底；2)将所述氧化石墨烯分散液涂覆在所述图案化印章上，得到涂覆氧化石墨烯薄膜的图案化印章；3)所述涂覆氧化石墨烯薄膜的图案化印章翻转在基底上，在图案化印章上表面进行滚压处理得到氧化石墨烯薄膜；4)还原所述氧化石墨烯薄膜，得到图案化3D石墨烯导电薄膜。所述图案化3D石墨烯导电薄膜结构稳定、柔性强度高、导电率高且图案清晰度高。
一种图案石墨导电薄膜及其绿色制备方法应用

[发明专利]一种图案化薄膜的高温退火方法-CN201810110906.7有效
发明人：闫兴振;王冠达;周路;杨帆;迟耀丹;高晓红;边虹宇;史恺;李旭;杨小天 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题，提供一种图案化薄膜的高温退火方法，包括以下步骤：S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液，所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂；S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理，得到薄膜前体；所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4‑5℃；S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理，得到薄膜过渡体；所述过渡退火温度比目标退火温度低100‑150℃；S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理，然后冷却，得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂，品质高，为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。
一种图案薄膜高温退火方法

[发明专利]图案化有机薄膜的制备方法-CN201510061759.5有效
发明人：杨小牛;叶峰;赵晓礼;张通;吴凡;吕红英 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化有机薄膜的制备方法，属于有机薄膜图案化技术领域。解决了现有技术中有机薄膜图案化的方法对待加工层进行激光刻蚀时，容易对与待加工层相邻的非加工层造成热损伤的技术问题。该方法首先在基底的上表面上制备图案化衬底薄膜层，然后在图案化衬底薄膜层和裸露的基底的上表面上制备单层或复合有机薄膜层，之后通过红外激光源逐点扫描单层或复合有机薄膜层，利用有机薄膜材料和衬底薄膜材料对红外光的吸收率的不同，使图案化衬底薄膜层吸收热量，将其上的单层或复合有机薄膜层的烧掉，裸露的基底的上表面上的单层或复合有机薄膜层被保留，得到图案化有机薄膜。
图案有机薄膜制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法-CN200610080408.X无效
发明人：陈麒麟;黄志仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其包含提供一个基体；于基体上形成一个图案化第一导体层；于图案化第一导体层上形成一层第一绝缘层；于第一绝缘层上形成一层多晶硅薄膜层；于多晶硅薄膜层上形成一层第二绝缘层；将多晶硅薄膜层与第二绝缘层予以图案化以形成一个图案化多晶硅薄膜层与一个位于图案化多晶硅薄膜层上的图案化第二绝缘层；于图案化第二绝缘层上形成一层掺杂的多晶硅薄膜层；于掺杂的多晶硅薄膜层上形成一个图案化第二导体层，该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂的多晶硅薄膜层的局部；以及将曝露出的掺杂的多晶硅薄膜层的局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层的局部。
低温多晶薄膜晶体管结构及其制造方法

[发明专利]激光图案化的薄膜电池-CN201580055121.9在审
发明人：秉·圣·利奥·郭;宋道英 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：一种薄膜电池所述可包括基板、阴极集电体层、阳极集电体层、阴极层、电解质层和阳极层，其中阳极集电体的阳极接触区域的一部分未被阳极层覆盖，且其中电解质层中的电气绝缘缓冲区域未被阳极层覆盖，所述电气绝缘缓冲区域位于阴极集电体层的接触区域与阳极层之间本文也描述用于形成薄膜电池的方法和设备。
激光图案薄膜电池

[发明专利]图案化柔性有机薄膜及制备方法、层叠体及图案化方法-CN201810480971.9有效
发明人：冯雪;曹宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化柔性有机薄膜及制备方法、层叠体及图案化方法。一种图案化的柔性有机薄膜，其通过将功能性膜与待图案化的柔性有机薄膜接触而进行图案化而得到，其中：所述功能性膜中含有能够与待图案化的柔性有机薄膜反应的溶液；所述功能性膜为通过干法造纸法得到的、含有纤维的膜
图案化有机薄膜功能性膜层叠体制备干法造纸纤维

[发明专利]模内装饰印刷方法-CN200610137934.5无效
发明人：张木财;郑定群;康兆锋 -专利权人：华硕电脑股份有限公司
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：首先，提供一图案化薄膜与一模具，图案化薄膜具有一预设图案，模具具有一模穴、多个进气孔与一浇注口，其中进气孔以及浇注口与模穴相通，且图案化薄膜配置于模具的内壁。接着，使塑料自浇注口注入模穴。之后，自进气孔引进气流，使得塑料被气流挤压至图案化薄膜，并使图案化薄膜平整地贴附于模具的内壁。
装饰印刷方法

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