专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板和窗户-CN202110038172.8在审
  • 吴湲琳;黄昱嘉;蔡宗翰 - 群创光电股份有限公司
  • 2021-01-12 - 2022-07-19 - G09F9/30
  • 本发明提供一种显示面板以及一种窗户,其中,该显示面板包括软性基板、多个发光单元、周边电路以及电路板。软性基板包括显示周边电路以及虚设,其中周边电路邻近于显示,且虚设围绕周边电路并形成间隔。发光单元设置于显示中。周边电路设置于周边电路中并用以驱动发光单元。电路板通过间隔电连接到周边电路
  • 显示面板窗户
  • [发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板-CN201910001472.1有效
  • 关峰;袁广才;许晨 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-01-02 - 2021-12-10 - H01L21/84
  • 该方法包括:提供基板,所述基板上限定有显示,以及沿着所述显示对称设置的第一周边电路和第二周边电路;以及在所述基板的所述第一周边电路以及所述第二周边电路设置薄膜晶体管,所述设置薄膜晶体管的步骤包括:在所述第一周边电路以及所述第二周边电路设置非晶硅层,对所述非晶硅层进行退火处理,以形成多晶硅层,其中,应用于所述第一周边电路的退火掩膜版,与应用于所述第二周边电路的退火掩膜版相同。由此,第一周边电路与第二周边电路使用相同的退火掩膜版,可以减少退火掩膜版的更换次数,降低制备难度,提高工作效率,降低生产成本。
  • 阵列制作方法显示面板
  • [发明专利]半导体器件的制作方法-CN201910971630.6有效
  • 孙正庆;徐朋辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-10-14 - 2022-05-06 - H01L21/8242
  • 该方法包括在存储单元阵列周边电路中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽;形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层;在存储单元阵列周边电路表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列的图案转移层和周边电路的图案转移层,形成存储单元阵列待转移图形和周边电路待转移图形,且存储单元阵列待转移图形和周边电路待转移图形之间存在正高度差;以存储单元阵列待转移图形和周边电路待转移图形为窗口,去除相邻源/漏接触孔隔离沟槽之间的以及周边电路中的第一绝缘介质层,在存储单元阵列形成源/漏接触孔图形,并在周边电路形成源/漏接触孔图形。
  • 半导体器件制作方法
  • [发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202211406507.8在审
  • 高昕伟;马凯葓;张大成;刘烺;许晨 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-10-21 - 2023-01-17 - H10K50/844
  • 该显示面板具有显示和位于显示周边的边框,边框包括周边电路和外围周边电路设置在显示区域和外围之间;显示面板包括:衬底基板、阻挡结构、周边电路、封装基板和封装胶。阻挡结构的至少部分位于衬底基板上的周边电路且包括:有机阻挡层和无机阻挡层,有机阻挡层包括贯穿有机阻挡层的开口,开口的延伸方向与显示面板中靠近开口的显示面板边缘的延伸方向大致相同;无机阻挡层覆盖有机阻挡层且填充开口;周边电路位于衬底基板上且位于周边电路;封装基板设置在阻挡结构远离衬底基板的一侧;封装胶填充在衬底基板和封装基板之间,覆盖显示周边电路
  • 显示面板及其制作方法显示装置
  • [发明专利]显示设备-CN201410383529.6在审
  • 徐伟智;李忠宪 - 胜华科技股份有限公司
  • 2014-08-06 - 2015-07-08 - G06F3/041
  • 显示面板包括显示基底、显示组件层及电路控制组件。显示基底具有显示周边电路,其中周边电路区位于显示的至少一侧。显示组件层设置在显示基底的上表面并位于显示电路控制组件设置在显示基底的上表面并位于周边电路。盖板设置在显示面板朝着电路控制组件的一侧,表面定义有透光周边区,其中透光对应于显示基底的显示,而周边区对应于显示基底的周边电路。盖板具有一容置空间设置在周边区,容置空间对应于电路控制组件且用来容置至少一部分的电路控制组件。通过容置空间的设置,可以节省显示设备的整体厚度。
  • 显示设备
  • [实用新型]显示设备-CN201420440780.7有效
  • 徐伟智;李忠宪 - 胜华科技股份有限公司
  • 2014-08-06 - 2015-02-11 - G06F3/041
  • 显示面板包括显示基底、显示组件层及电路控制组件。显示基底具有显示周边电路,其中周边电路区位于显示的至少一侧。显示组件层设置在显示基底的上表面并位于显示电路控制组件设置在显示基底的上表面并位于周边电路。盖板设置在显示面板朝着电路控制组件的一侧,表面定义有透光周边区,其中透光对应于显示基底的显示,而周边区对应于显示基底的周边电路。盖板具有一容置空间设置在周边区,容置空间对应于电路控制组件且用来容置至少一部分的电路控制组件。通过容置空间的设置,可以节省显示设备的整体厚度。
  • 显示设备
  • [发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN201980002052.3在审
  • 高昕伟;马凯葓;张大成;刘烺;许晨 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-10-21 - 2021-07-23 - H01L51/52
  • 显示面板(10)具有显示(101)和位于显示(101)周边的边框(102),边框(102)包括周边电路(1020)和外围周边电路(1020)设置在显示(101)和外围之间;显示面板(10)包括:衬底基板(1)、阻挡结构(3)、周边电路(2)、封装基板(15)和封装胶(13)。阻挡结构(3)的至少部分位于衬底基板(1)上的周边电路(1020)且包括:有机阻挡层(31)和无机阻挡层(32),有机阻挡层(31)包括贯穿有机阻挡层(31)的开口(3101),开口(3101)的延伸方向与显示面板(10)中靠近开口(3101)的显示面板(10)边缘的延伸方向大致相同;无机阻挡层(32)覆盖有机阻挡层(31)且填充开口(3101);周边电路(2)位于衬底基板(1)上且位于周边电路(1020);封装基板(15)设置在阻挡结构(3)远离衬底基板(1)的一侧;封装胶(13)填充在衬底基板(1)和封装基板(15)之间,覆盖显示(101)和周边电路(1020)。
  • 显示面板及其制作方法显示装置
  • [发明专利]单芯片系统组件的制造方法-CN02140910.2无效
  • 简山杰;郭建利 - 联华电子股份有限公司
  • 2002-07-10 - 2003-07-30 - H01L21/82
  • 一种单芯片系统组件的制造方法,该方法是在基底的存储单元周边电路上依序形成栅极氧化层和多晶硅层,然后,在基底其周边电路上方形成一层介电层,再在基底上依序形成导电层和顶层。接着,去除混合电路中部分的顶层和导电层,以形成电容器的上电极,并同时去除存储单元的部分的顶层和其下方的导电层和多晶硅层,以形成数个存储元件的栅极。其后,去除周边电路的部分介电层和多晶硅层,以在周边电路的逻辑组件上形成一栅极导体层并在周边电路的混合电路形成电容介电层和电容器的下电极。
  • 芯片系统组件制造方法
  • [实用新型]柔性电路板、柔性芯片封装结构-CN201922057361.0有效
  • 陈闯;喻源;李炳辉;王波;缪炳有;宋冬生;魏瑀;刘东亮;腾乙超;姚建;黄勤兵 - 浙江荷清柔性电子技术有限公司
  • 2019-11-25 - 2020-08-18 - H05K1/02
  • 本实用新型公开了柔性电路板、柔性芯片封装结构。具体的,本实用新型公开了一种柔性电路板,该柔性电路板包括:芯片,所述芯片用于设置柔性芯片;第一周边区,所述第一周边区环绕所述芯片设置;第二周边区,所述第二周边区包括所述柔性电路板上除去所述芯片和所述第一周边区之外的区域,所述第二周边区中具有接线,所述接线用于和所述柔性芯片电连接,其中,所述芯片和所述第一周边区的至少之一的厚度小于所述第二周边区的厚度。由此,通过对柔性电路板上用于设置柔性芯片的芯片以及芯片周围的第一周边区的至少之一进行减薄,将柔性芯片封装在该柔性电路板上后,形成的柔性芯片封装结构具有良好的柔性,使用性能较佳。
  • 柔性电路板芯片封装结构
  • [发明专利]闪存的制造方法-CN02102389.1有效
  • 苏俊联;韩宗廷 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2002-01-24 - 2003-08-06 - H01L21/8239
  • 一种闪存的制造方法,此方法是在基底的存储单元周边电路上形成第一氧化层。然后于第一氧化层上形成第一导体层并定义之,以形成数个浮置栅极,再于存储单元周边电路上依次形成第二氧化层与氮化硅层。接着去除周边电路上的第一导体层、第二氧化层与氮化硅层,以暴露第一氧化层,然后于存储单元的氮化硅层上覆盖一层光阻层,且以周边电路的第一氧化层作为牺牲氧化层,进行离子植入步骤,以在周边电路的基底中形成一掺杂接着于基底的存储单元周边电路上形成第三氧化层。最后于基底上形成一第二导体层并定义之,以同时形成存储单元上的控制栅极与周边电路上的栅极。
  • 闪存制造方法

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