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- [发明专利]半导体器件的制作方法-CN201910971630.6有效
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孙正庆;徐朋辉
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长鑫存储技术有限公司
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2019-10-14
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2022-05-06
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H01L21/8242
- 该方法包括在存储单元阵列区和周边电路区中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽;形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层;在存储单元阵列区和周边电路区表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列区的图案转移层和周边电路区的图案转移层,形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形,且存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形之间存在正高度差;以存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形为窗口,去除相邻源/漏接触孔隔离沟槽之间的以及周边电路区中的第一绝缘介质层,在存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形,并在周边电路区形成源/漏接触孔图形。
- 半导体器件制作方法
- [发明专利]显示设备-CN201410383529.6在审
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徐伟智;李忠宪
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胜华科技股份有限公司
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2014-08-06
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2015-07-08
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G06F3/041
- 显示面板包括显示基底、显示组件层及电路控制组件。显示基底具有显示区与周边电路区,其中周边电路区位于显示区的至少一侧。显示组件层设置在显示基底的上表面并位于显示区。电路控制组件设置在显示基底的上表面并位于周边电路区。盖板设置在显示面板朝着电路控制组件的一侧,表面定义有透光区与周边区,其中透光区对应于显示基底的显示区,而周边区对应于显示基底的周边电路区。盖板具有一容置空间设置在周边区,容置空间对应于电路控制组件且用来容置至少一部分的电路控制组件。通过容置空间的设置,可以节省显示设备的整体厚度。
- 显示设备
- [实用新型]显示设备-CN201420440780.7有效
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徐伟智;李忠宪
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胜华科技股份有限公司
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2014-08-06
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2015-02-11
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G06F3/041
- 显示面板包括显示基底、显示组件层及电路控制组件。显示基底具有显示区与周边电路区,其中周边电路区位于显示区的至少一侧。显示组件层设置在显示基底的上表面并位于显示区。电路控制组件设置在显示基底的上表面并位于周边电路区。盖板设置在显示面板朝着电路控制组件的一侧,表面定义有透光区与周边区,其中透光区对应于显示基底的显示区,而周边区对应于显示基底的周边电路区。盖板具有一容置空间设置在周边区,容置空间对应于电路控制组件且用来容置至少一部分的电路控制组件。通过容置空间的设置,可以节省显示设备的整体厚度。
- 显示设备
- [发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN201980002052.3在审
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高昕伟;马凯葓;张大成;刘烺;许晨
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京东方科技集团股份有限公司
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2019-10-21
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2021-07-23
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H01L51/52
- 显示面板(10)具有显示区(101)和位于显示区(101)周边的边框区(102),边框区(102)包括周边电路区(1020)和外围区,周边电路区(1020)设置在显示区(101)和外围区之间;显示面板(10)包括:衬底基板(1)、阻挡结构(3)、周边电路(2)、封装基板(15)和封装胶(13)。阻挡结构(3)的至少部分位于衬底基板(1)上的周边电路区(1020)且包括:有机阻挡层(31)和无机阻挡层(32),有机阻挡层(31)包括贯穿有机阻挡层(31)的开口(3101),开口(3101)的延伸方向与显示面板(10)中靠近开口(3101)的显示面板(10)边缘的延伸方向大致相同;无机阻挡层(32)覆盖有机阻挡层(31)且填充开口(3101);周边电路(2)位于衬底基板(1)上且位于周边电路区(1020);封装基板(15)设置在阻挡结构(3)远离衬底基板(1)的一侧;封装胶(13)填充在衬底基板(1)和封装基板(15)之间,覆盖显示区(101)和周边电路区(1020)。
- 显示面板及其制作方法显示装置
- [发明专利]单芯片系统组件的制造方法-CN02140910.2无效
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简山杰;郭建利
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联华电子股份有限公司
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2002-07-10
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2003-07-30
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H01L21/82
- 一种单芯片系统组件的制造方法,该方法是在基底的存储单元区和周边电路区上依序形成栅极氧化层和多晶硅层,然后,在基底其周边电路区上方形成一层介电层,再在基底上依序形成导电层和顶层。接着,去除混合电路区中部分的顶层和导电层,以形成电容器的上电极,并同时去除存储单元区的部分的顶层和其下方的导电层和多晶硅层,以形成数个存储元件的栅极。其后,去除周边电路区的部分介电层和多晶硅层,以在周边电路区的逻辑组件区上形成一栅极导体层并在周边电路区的混合电路区形成电容介电层和电容器的下电极。
- 芯片系统组件制造方法
- [发明专利]闪存的制造方法-CN02102389.1有效
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苏俊联;韩宗廷
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旺宏电子股份有限公司
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2002-01-24
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2003-08-06
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H01L21/8239
- 一种闪存的制造方法,此方法是在基底的存储单元区与周边电路区上形成第一氧化层。然后于第一氧化层上形成第一导体层并定义之,以形成数个浮置栅极,再于存储单元区与周边电路区上依次形成第二氧化层与氮化硅层。接着去除周边电路区上的第一导体层、第二氧化层与氮化硅层,以暴露第一氧化层,然后于存储单元区的氮化硅层上覆盖一层光阻层,且以周边电路区的第一氧化层作为牺牲氧化层,进行离子植入步骤,以在周边电路区的基底中形成一掺杂区接着于基底的存储单元区与周边电路区上形成第三氧化层。最后于基底上形成一第二导体层并定义之,以同时形成存储单元区上的控制栅极与周边电路区上的栅极。
- 闪存制造方法
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