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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]液体排放头和液体排放装置-CN202110568828.7在审
发明人： 下津佐峰生;野村宏康 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供液体排放头和液体排放装置。该液体排放头包括：绝缘构件，其布置在基板上；电阻加热元件，其布置在绝缘构件中并且构造成产生用于排放液体的热能；气泡室，其设置在绝缘构件上方，构造成基于热能产生液体的气泡；以及温度检测元件，其能够检测气泡室中的温度，其中，温度检测元件布置在电阻加热元件和气泡室之间，位于相对于绝缘构件设置的多个导电层中最接近气泡室的导电层中。
液体排放装置

[发明专利]打印元件基板、打印头和打印装置-CN202110581479.2在审
发明人：野村宏康;下津佐峰生 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B41J2/05 文献下载
摘要：本发明涉及打印元件基板、打印头和打印装置。打印元件基板包括：底座；加热器，其设置在底座上并且构造成产生用于排出墨水的热量；流路构件，其形成墨水流路，所述墨水流路构造成与底座一起形成起泡室，在所述起泡室中墨水通过设置在起泡室的底面中的加热器的热量而起泡；和温度传感器，其能够检测起泡室的温度，温度传感器由与加热器相同的材料形成并且与加热器同层地设置在底座上。
打印元件打印头装置

[发明专利]固态图像拾取设备-CN201610164142.0有效
发明人： 下津佐峰生 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
固态图像拾取设备

[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统及制造光电转换装置的方法-CN201610171227.1有效
发明人： 下津佐峰生;市川武史;关根康弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
光电转换装置图像拾取系统制造方法

[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统-CN201510549978.8有效
发明人：冈部刚士;铃木健太郎;碓井崇;加藤太朗;下津佐峰生;滝本俊介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
固态图像拾取装置制造方法系统

[发明专利]光电转换装置-CN201410655549.4有效
发明人：加藤太朗;下津佐峰生;佐野博晃;市川武史;关根康弘;篠原真人;门间玄三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
光电转换装置

[发明专利]制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器-CN201510320636.9在审
发明人：大贯裕介;板桥政次;杮沼伸明;下津佐峰生;藤田雅人;荻野拓海;鸟居庆大 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。
制造固态图像传感器方法

[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法-CN201310062459.X有效
发明人： 下津佐峰生;市川武史;关根康弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
光电转换装置图像拾取系统以及制造方法

[发明专利]固态图像拾取设备-CN201180033415.3有效
发明人： 下津佐峰生 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供能够抑制暗电流和/或泄漏电流的生成的固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
固态图像拾取设备

[发明专利]固态成像装置-CN201180032170.2有效
发明人： 下津佐峰生 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种包括上面具有多个光电转换单元的第一基板和上面具有读取电路和并行处理电路的第二基板的固态成像装置。固态成像装置包括被配置为向多个并行处理电路供给DC电压的DC电压供给布线。DC电压供给布线是通过电连接设置在第一基板上的第一导电图案与设置在第二基板上的第二导电图案形成的。
固态成像装置

[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法-CN201210028218.9有效
发明人： 下津佐峰生;小林昌弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态图像拾取装置及其制造方法，该装置包括布置有光电转换单元的半导体基板。绝缘体被设置在半导体基板上。绝缘体具有与各个光电转换单元相关联的孔。在各个孔中布置构件。在所述构件之一的与半导体基板相反的一侧上设置遮光构件，使得仅仅相关联的光电转换单元被遮光。在固态图像拾取装置中，同时形成所述孔，以及同时形成所述构件。
固态图像拾取装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置-CN201210024573.9有效
发明人：加藤太朗;下津佐峰生;佐野博晃;市川武史;关根康弘;篠原真人;门间玄三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
光电转换装置

[发明专利]光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统-CN201210028226.3有效
发明人： 下津佐峰生;加藤太朗;关根康弘;篠原真人;市川武史;门间玄三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
光电转换元件使用装置成像系统

[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统-CN201210027929.4无效
发明人：冈部刚士;铃木健太郎;碓井崇;加藤太朗;下津佐峰生;滝本俊介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
固态图像拾取装置制造方法系统

[发明专利]图像感测装置和照相机-CN201080006236.6有效
发明人：渡边高典;下津佐峰生;市川武史;池田一;关根康弘;大谷章;小岛毅 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
图像装置照相机

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