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[发明专利]含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法与应用-CN201711030383.7在审
发明人：应磊;彭沣;钟知鸣;黄飞;曹镛 -专利权人：华南协同创新研究院
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C07D339/08 文献下载
摘要：本发明公开了一类含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法与应用。本发明通过三元稠环单元与苯衍生物偶联后进行关环，得到含噻蒽五元稠环单元。本发明中，噻蒽五元稠环单元是五元并环结构，有利于提高分子的荧光量子产率和热稳定性。含噻蒽五元稠环单元衍生物中，噻蒽具有一定的供电性，可以提高分子的空穴传输性能，此外噻蒽具有非平面结构，可以维持分子的单线态和三线态能级，同时抑制分子堆积。此类含噻蒽五元稠环单元衍生物可作为有机发光或主体材料，通过蒸镀和溶液加工的方法制备有机发光二极管。
含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法应用

[发明专利]含氮二酐化合物、聚酰亚胺、液晶取向膜及液晶显示面板-CN202211431770.2在审
发明人：兰松 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07D307/66 文献下载
摘要：本申请提供一种含氮二酐化合物、聚酰亚胺、液晶取向膜及液晶显示面板，可快速释放直流残留所致的蓄积电荷，改善液晶显示面板残影问题。本申请提供的含氮二酐化合物具有如通式(1)或通式(2)所示的结构，其中，环A为未取代的六元非芳香杂环或者两个以上六元非芳香杂环的稠环；或者环A为被具有1～6个碳原子的烷基取代的六元非芳香杂环或者两个以上六元非芳香杂环的稠环
含氮二酐化聚酰亚胺液晶取向液晶显示面板

[发明专利]含哒嗪并咪唑稠环含能化合物或其含能盐及制备方法-CN202210454650.8在审
发明人：胡璐;王雅西;何春林;庞思平 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明公开了含哒嗪并咪唑稠环含能化合物或其含能盐，其通过在哒嗪并咪唑稠环中引入硝胺基团形成了一系列高能量密度含能化合物及其含能盐。本发明还公开了制备含哒嗪并咪唑稠环含能化合物或其含能盐的方法，其从已知可得的原料出发，通过简单步骤即合成出具有良好应用前景的系列全硝胺稠环含能化合物。
含哒嗪咪唑稠环含能化合物含能盐制备方法

[发明专利]一类含非稠环受体单元的n-型聚合物及其制备方法与应用-CN202010951712.7有效
发明人：段春晖;吴宝奇;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一类含非稠环受体单元的n‑型聚合物及其制备方法与应用。所述的基于非稠环受体单元的n‑型聚合物的结构式如式Ⅰ所示，其中共聚单元1为A2‑D‑A1‑D‑A2型非稠环单元，A1和A2为缺电子单元，D为供电子单元；共聚单元2为共轭芳环单元，所述重复单元个数n为1～
一类含非稠环受体单元聚合物及其制备方法应用

[发明专利]含薁稠环芳烃材料及其合成方法、荧光元器件-CN202210639731.5有效
发明人：刘志常;王上上 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07C1/28 文献下载
摘要：本发明公开一种含薁稠环芳烃材料的合成方法、含薁稠环芳烃材料和荧光元器件，该含薁稠环芳烃材料的合成方法包括以下步骤：将邻卤代芳醛、芳基取代环戊二烯衍生物和第一固体碱加入第一无水溶剂中加热，进行脱水缩合反应制得中间产物；提纯所述中间产物；将提纯后的所述中间产物、第二固体碱和钯金属催化剂加入第二无水溶剂中加热，所述中间产物发生自身脱卤素偶联反应制得含薁稠环芳烃材料。本发明简化了含薁稠环芳烃材料的合成步骤，降低了合成成本且提高了合成效率。
含薁稠环芳烃材料及其合成方法荧光元器件

[发明专利]非氧氮杂环有机物及其应用-CN200510011620.6无效
发明人：李廷希;程延祥;张廷军;乔聪震;沈阳;于文文 -专利权人：北京慧鑫谷科技有限公司
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： C07D241/42 文献下载
摘要：本发明提供一种非氧氮杂环有机物。该非氧氮杂环有机物能够用作有机电致发光器件的电子传输材料，该新型电子传输材料可以替代传统电子传输材料如常见的八羟基喹啉铝等配合物，提高电子、空穴的复合效率，提高器件的寿命。本发明的技术方案如下：非氧氮杂环有机物，其特征在于：该有机物具有含氮杂环状结构，并且不含有氧原子。所述含氮杂环状结构为氮杂大环或氮杂稠环或氮杂环状共轭对称或氮杂环状共轭不对称。
非氧氮杂环有机物及其应用

[发明专利]稠环苯并硒二唑非富勒烯受体材料及其制备方法和应用-CN202010186531.X在审
发明人：于涵;周慈勇;颜河 -专利权人：香港科技大学深圳研究院
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C07D517/22 文献下载
摘要：本发明涉及稠环苯并硒二唑非富勒烯受体材料及其制备方法和应用。稠环苯并硒二唑非富勒烯受体材料，具有式1结构：其中，R1为C1～C20的烷基；Ar为基于苯或噻吩的给电子稠环芳烃；EG为基于绕丹宁或二氰基亚甲基茚‑1‑酮的吸电子基团；所述稠环苯并硒二唑非富勒烯受体材料包括稠环苯并硒二唑中心核与吸电子端基，稠环苯并硒二唑中心核为氮桥梯形稠环结构，吸电子端基连接在中心核的两端。
稠环苯硒二唑非富勒烯受体材料及其制备方法应用

[发明专利]非水系二次电池负极用黏结剂组合物、非水系二次电池负极用浆料组合物、非水系二次电池用负极及其制造方法、以及非水系二次电池-CN202180084842.8在审
发明人：田中庆一朗 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C08K5/13 文献下载
摘要：本发明提供一种非水系二次电池负极用黏结剂组合物，其包含颗粒状黏结剂、以及芳香环稠合含氮五元环化合物或芳香族取代含氮五元环化合物。颗粒状黏结剂至少包含芳香族乙烯基单体单元和脂肪族共轭二烯单体单元，芳香环稠合含氮五元环化合物或芳香族取代含氮五元环化合物为具有(4n+2)个环状π电子的阴离子性芳香族化合物(其中，n为1以上的整数)，阴离子性芳香族化合物的含量相对于
水系二次电池负极黏结组合浆料及其制造方法以及

[发明专利]含稠环甲基丙烯酰胺类荧光指示剂及作为荧光探针的应用-CN201210017842.9有效
发明人：邱化玉;丁丽媛 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C07C231/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含稠环甲基丙烯酰胺类荧光指示剂，由甲基丙烯酰氯、含稠环胺类物质、三乙胺在有机溶剂反应制备得到，所述含稠环甲基丙烯酰胺类荧光指示剂可作为荧光探针，应用于烯烃类单体物质共聚反应的聚合反应动力学的荧光检测
含稠环甲基丙烯酰胺荧光指示剂作为探针应用

[发明专利]一种氮杂稠合五环化合物及其制备方法-CN202011290767.4在审
发明人：徐鑫明;杨翰林;李文忠 -专利权人：烟台大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C07D471/10 文献下载
摘要：本发明公开一种含氮杂稠合五环结构的刺桐碱类似物及其制备方法。在催化剂存在的条件下，式III结构通式所示化合物首先发生亲核加成反应，生成酰亚胺正离子中间体，其随后被分子内的富电子单元吲哚环捕获，一步反应关两个环。在Lewis酸的催化条件下，反应完毕得到所述式I所示的氮杂稠合五环化合物；在Brøsted酸的催化条件下，反应完毕得到所述式II所示的氮杂稠合五环化合物。本发明使用廉价易得的原料和极其简洁的操作，使烯酰胺发生分子内的亲核串联反应，一步高效高选择性的制备得到含氮杂稠合五环结构的刺桐碱类似物。该方法反应条件温和，操作简便，产率很高，产物的非对映选择性高且易分离纯化，产物还可以进一步衍生化，具有很好的应用前景。
一种氮杂稠合五环化及其制备方法

[发明专利]含杂环的稠环芳烃及其卤代物有机闪烁体的制备与应用-CN202310638261.5在审
发明人：方昕;林苗;陈鸿铭;林梅金 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07D213/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含杂环的稠环芳烃及其卤代物有机闪烁体及其制备与应用，其是在惰性气体氛围下，利用铃木偶联反应合成含杂环的稠环芳烃有机闪烁体，再进一步利用卤化氢对含杂环的稠环芳烃进行质子化，得到含杂环的稠环芳烃卤代物有机闪烁体本发明合成方法简单，所需装置简单，得到的含杂环的稠环芳烃及其卤化物有机闪烁体在X射线辐照下具有强X射线荧光，可用于X射线的探测和成像，并具有良好的分辨率，且衰减时间短、响应速度快，抗辐照稳定性强，还可应用于柔性成像
含杂环芳烃及其卤代物有机闪烁制备应用

[发明专利]含稠环基聚硅烷制备方法-CN200510061319.6有效
发明人：来国桥;李美江;刘志芳;吕素芳;邱化玉;刘勇 -专利权人：杭州师范学院
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C08F283/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含稠环基聚硅烷制备新方法，本发明需要解决的技术问题是，提供一种操作简单、安全，聚硅烷聚合度较高，所得共聚物分离较方便的含稠环基聚硅烷制备新方法。本发明方法，乙烯基硅烷共聚物B在高沸点溶剂α－氯萘中，氮气保护下与稠环基环戊二烯酮A发生加成反应，在聚硅烷的侧链中引入稠环基，得含稠环基聚硅烷产品。
含稠环基聚硅烷制备方法

[发明专利]含五元砜基稠杂环单元的聚合物及其应用与五元砜基稠杂环单体及其制备方法-CN201610932980.8有效
发明人：杨伟;张俞浩;应磊;郭婷;彭俊彪;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了含五元砜基稠杂环单元的聚合物及其应用与五元砜基稠杂环单体及其制备方法。本发明含五元砜基稠杂环单元的聚合物中由于砜基的存在，有利于提高电子亲和势，促进电子的注入和传输，具有高的荧光效率和化学稳定性；五元砜基稠杂环单元适中的共轭平面可以提高聚合物的空穴和电子传输性能而不会引起较大的光谱红移，同时在稠环的活性位点引入烷基链可以有效改善单体在有机溶剂中的溶解性。本发明由五元砜基稠杂环单体通过Suzuki、Stille、Yamamoto聚合反应获得聚合物。本发明含五元砜基稠杂环单元的聚合物在有机溶剂中具有良好的溶解性，适合于溶液加工，在有机光电领域中具有广泛的应用前景。
含五元砜基稠杂环单元聚合物及其应用五元砜基稠杂环单体制备方法

[发明专利]含稠环噻吩有机光电材料、其制造方法和应用-CN201010121114.3无效
发明人：周明杰;黄杰;刘辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-03-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明涉及有机材料技术领域，提供一种含稠环噻吩有机光电材料，其包含结构式(1)表示的化合物，式中：R₁、R₂、R₃、R_{4含稠环噻吩有机光电材料的制造方法和上述含稠环噻吩有机光电材料的应用。上述含稠环噻吩有机光电材料由于具有噻吩环和氰基，具有较宽的光谱响应，较好的热稳定性和环境稳定性，能较好的与太阳光的发射光谱匹配。上述含稠环噻吩有机光电材料制造方法合成路线简单、制造成本低，具有广泛的应用前景。}
含稠环噻吩有机光电材料制造方法应用

[发明专利]三嗪化合物及发光器件-CN201710264953.2在审
发明人：黄达;马腾达;谢再锋;曹辰辉 -专利权人：瑞声光电科技（常州）有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：其中，L为取代或未取代的C6～C24亚芳基；n为0或1；Py为取代或未取代的C3～C24的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团；Ac1和Ac2为取代或未取代的C12～C48的含氮杂环稠合基团；Ac1和Ac2可以相同也可以不同当两个含氮杂环稠合基团连接到三嗪基团时，空间位阻导致含氮杂环稠合基团与三嗪基团必然形成一定的角度，实现TADF的设计。
化合物发光器件

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