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[发明专利]一种碳化硅薄膜的制备方法-CN201110287216.7无效
发明人：饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。
一种碳化硅薄膜制备方法

[发明专利]一种高温钢渣改质剂及改性预处理工艺-CN201910357977.1有效
发明人：饶磊;李帮平;邱艳生;张耀辉;桂满城;马孟臣 -专利权人：马鞍山钢铁股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C21C5/36 文献下载
摘要：它包括含单质硅物质和含单质碳物质，所述含单质硅物质中单质硅含量≥60％；所述含单质碳物质中单质碳含量≥80％。本发明还公开一种高温钢渣改性预处理工艺，包括以下步骤：1)向渣罐中预先加入含单质碳物质和含单质硅物质；2)在转炉出渣时，再向渣罐中同时加入含单质硅物质；3)出渣完毕后，向物料中吹氮气，同时收集产生的粉尘
一种高温钢渣改质剂改性预处理工艺

[发明专利]一种负极极片及包括它的锂离子电池-CN202210657087.4在审
发明人：单旭意;金新凯;王志敏;徐鹏飞 -专利权人：中创新航科技（合肥）有限公司;中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：公开一种负极极片及包含它的锂离子电池，所述负极极片包括：负极集流体；及依次设置于负极集流体的至少一个表面上的第一活性物质层、第二活性物质层和第三活性物质层，其中各活性物质层的活性物质均为石墨材料和含硅材料的混合物，且第一活性物质层中的含硅材料的质量占比小于第二活性物质层中的，第二活性物质层中的含硅材料的质量占比大于第三活性物质层中的。这种多活性物质层结构的负极极片，因表层含硅量低可防止负极充电断裂；因中间层含硅量高可显著提高能量密度改善快充性能，因底层含硅量低可避免与负极集流体剥离和极耳处涂层开裂，从而整体上提高电池能量密度和循环性能
一种负极包括锂离子电池

[发明专利]制备有机基卤代硅烷和卤代硅烷的改进-CN201610630289.4在审
发明人： D·C·本特利;C·布里顿;J·P·科哈尼 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：一种在流化床反应器中由含硅接触物质生产有机基卤代硅烷或卤代硅烷的半连续方法，包括通过如下步骤除去在所述反应器用过的含硅接触物质(i)在未反应的有机卤化物或卤化氢物流和/或有机基卤代硅烷或卤代硅烷产物物流中进行淘析和(ii)使用重力或压差法直接除去和使除去的含硅接触物质返回到流化床反应器和/或新鲜的含硅接触物质中。当用于生产有机基卤代硅烷(例如烷基卤代硅烷)时，含硅接触物质除了硅以外可含有催化剂和促进剂。
制备有机基卤代硅烷改进

[发明专利]制备有机基卤代硅烷和卤代硅烷的改进-CN200980127874.0无效
发明人： D·C·本特利;C·布里顿;J·P·科哈尼 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：一种在流化床反应器中由含硅接触物质生产有机基卤代硅烷或卤代硅烷的半连续方法，包括通过如下步骤除去在所述反应器用过的含硅接触物质：(i)在未反应的有机卤化物或卤化氢物流和/或有机基卤代硅烷或卤代硅烷产物物流中进行淘析和(ii)使用重力或压差法直接除去和使除去的含硅接触物质返回到流化床反应器和/或新鲜的含硅接触物质中。当用于生产有机基卤代硅烷(例如烷基卤代硅烷)时，含硅接触物质除了硅以外可含有催化剂和促进剂。
制备有机基卤代硅烷改进

[发明专利]对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法-CN201410458727.4无效
发明人：李丹阳 -专利权人：贵州万方铝化科技开发有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及脱硅领域，具体涉及对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法包括如下步骤：将含硅矿物中金属氧化物与含卤素物质反应完全制成该金属的卤化物；将得到的所述金属卤化物与含硅矿物在高温下反应得到高温态的卤化硅气体和脱硅后的矿物；将生成的高温态卤化硅气体收集并水解完全生成二氧化硅和含卤素物质；将得到的所述含卤素物质经加工处理再与步骤(1)中的含硅矿物中金属氧化物反应生成该金属的卤化物，参与脱硅循环反应。由于二氧化硅是将收集到的卤化硅气体水解生成，得到的二氧化硅纯度高并且该工艺脱硅彻底，卤化物被循环利用基本没有消耗，并且过程简单没有副产物和损耗成本低应用前景广阔。
矿物气相脱硅循环利用卤素物质方法

[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法和应用以及锂离子电池-CN202010513230.3有效
发明人：孙赛;张丝雨;高焕新;张同宝 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池领域，公开了硅碳负极材料及其制备方法和应用以及锂离子电池，所述硅碳负极材料包括含碳物质和依次包覆在所述含碳物质外表面的含硅材料层和无定型碳层。硅碳负极材料的制备方法包括：(1)将含碳物质与链状聚合物溶液混合，然后向其中加入硅源，将得到的混合物进行分离，得到固体物质；(2)将所述固体物质与碳源前驱体共混，然后进行焙烧。本发明所提供的硅碳负极材料可以改善纳米硅分散性，缓解硅的体积膨胀，提升材料的循环稳定性，应用于锂离子电池中可以提高锂电池的能量密度。
负极材料及其制备方法应用以及锂离子电池

[发明专利]一种氮化铝薄膜的制备方法-CN201110287431.7无效
发明人：饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，含碳物质与硅衬底表面发生化学反应，使得含铝物质中的铝原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，含氮物质与硅衬底表面发生卤代反应，含氮物质中的氮氮原子与硅衬底表面的铝原子形成铝氮键，待反应完全后，硅衬底表面即生成氮化铝薄膜结构。
一种氮化薄膜制备方法

[发明专利]四氯化硅的制造方法-CN201080042828.3无效
发明人：林慎也;朝野刚 -专利权人：吉坤日矿日石能源株式会社
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：四氯化硅的制造方法的一个实施方式，在由工业工艺产生的灰、优选将有机物燃烧而将燃烧能转换成电力的发电设备产生的灰的含碳物质的存在下，将含硅物质、优选含有硅酸生物质的含硅物质氯化。
氯化制造方法

[发明专利]一种硅碳复合材料、其制备方法及含有该材料的二次电池-CN201711215433.9有效
发明人：刘欣;黄起森;官英杰;温严;盛长亮;梁成都 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及二次电池技术领域，具体讲，涉及硅碳复合材料、其制备方法及含有该材料的二次电池。本发明的硅碳复合材料的内核为多孔含硅物质，所述多孔含硅物质内含有金属元素，所述多孔含硅物质表面具有碳包覆层；所述硅碳复合材料的比表面积与所述多孔含硅物质的比表面积之比为0.2‑0.8。本发明提供的硅碳复合材料为具有自支撑结构的多孔硅复合材料，该材料不仅具备传统中空/多孔结构材料优秀的循环性能，同时还能抵挡压实工序的大压力而保持自身结构不被破坏，从而达到制备长寿命高能量密度电池的目的。
一种复合材料制备方法含有材料二次电池

[发明专利]气调保鲜罩-CN89100434.3无效
发明人：张昕;武平;李相发;张盈魁;郭承恩 -专利权人：武平;李相法;张盈魁;郭承恩
申请日： 1989-01-23 - 公布日： 1990-09-05 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：气调保鲜罩由经附着含硅物质处理的塑料薄膜制成，处理的方法是靠含硅物质粉末本身的粘接附着性直接附着，或在一定机械力作用下经含硅物质粉末与塑料薄膜的摩擦。保鲜隔离层为多层结构。
保鲜

[发明专利]改性硅基材料、其制备方法及用途-CN202010813958.8有效
发明人：伍伟;陈春天;孙晓莉;李子坤;任建国 -专利权人：贝特瑞新材料集团股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性硅基活性物质、其制备方法及用途。所述改性硅基活性物质包括硅基活性物质及接枝在所述硅基活性物质表面的含二硫键化合物。解决了现有技术中硅碳材料和硅氧材料等硅基活性物质体积膨胀导致材料易粉化，劣化电池性能的问题，而且，含二硫键化合物在硅基活性物质表面发生氧化还原反应后，生成的小分子化合物成为SEI膜的一部分，有利于形成致密
改性基材制备方法用途

[发明专利]用于制造发光物质颗粒的方法-CN202110246403.4有效
发明人：索尼娅·特拉格尔;蒂姆·菲德勒;弗兰克·耶尔曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提出一种用于制造发光物质颗粒的方法，发光物质颗粒具有至少一个第一保护层，包括下述方法步骤：提供发光物质颗粒，通过酸溶液处理含硅和/或含铝的发光物质颗粒，使得含硅的第二保护层形成在发光物质颗粒的表面上，所述含硅的第二保护层与发光物质颗粒相比具有更高含量的硅，和/或含铝的第二保护层形成在所述发光物质颗粒的表面上，所述含铝的第二保护层与发光物质颗粒相比在所述表面上具有变化的铝含量，借助于原子层沉积将至少一个第一保护层施加到发光物质颗粒的表面上，其中方法步骤包括下述方法步骤：借助于原子层沉积将第一起始化合物沉积在发光物质颗粒的表面上，借助于原子层沉积将第二起始化合物沉积在发光物质颗粒的表面上。
用于制造发光物质颗粒方法

[发明专利]负极和非水电解质二次电池-CN202310348467.4在审
发明人：续木康平;小野寺直利;佐野秀树;森川有纪;小岛由利佳 -专利权人：泰星能源解决方案有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：负极(100)，是非水电解质二次电池用的负极(100)，依次具备集电体(10)、第一活性物质层(30)和第二活性物质层(40)，所述第一活性物质层(30)包含第一含硅粒子(31)和第一粘结剂，所述第二活性物质层(40)包含第二含硅粒子(41)和第二粘结剂，所述第一含硅粒子(31)和所述第二含硅粒子(41)含有碳畴和在所述碳畴中分散的纳米尺寸的硅畴，所述第一粘结剂和所述第二粘结剂含有羧甲基纤维素(CMC)，所述第二活性物质层(40)中的羧甲基纤维素的含有率比所述第一活性物质层(30)中的羧甲基纤维素的含有率多。根据本公开，提供循环特性的降低得到抑制的、包含含硅粒子的负极和非水电解质二次电池。
负极水电二次电池

[发明专利]非水电解质二次电池用电极活性物质及具备其的非水电解质二次电池-CN201510507157.8无效
发明人：吉尾纱良;越崎健司;深泽孝幸;森田朋和;久保木贵志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供一种循环特性优异的非水电解质二次电池用电极活性物质及具备其的非水电解质二次电池。非水电解质二次电池用电极活性物质包含由含硅化合物和含锂硅氧化物形成的复合体，所述含硅化合物含有硅及硅氧化物中的至少1种，其中，所述含锂硅氧化物以Li₂Si₂O
水电二次电池用电活性物质具备

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