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[发明专利]移相装置、天线及基站-CN201711486815.5有效
发明人：苏国生 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司;京信通信技术（广州）有限公司;京信通信系统（广州）有限公司;天津京信通信系统有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种移相装置，包括两移相器及至少一个设于两所述移相器之间的合路器；所述合路器包括输出端和两输入端，各所述移相器包括至少一个输出端，所述合路器的一输入端与两所述移相器中的一个的输出端连接，所述合路器的另一输入端与另一所述移相器的输出端连接；所述移相器包括至少两个依次连接的U型移相电路，任意两相邻所述U型移相电路中的一U型移相电路的输出端分别与另一U型移相电路的输入端、所述合路器的一输入端连接。本发明的移相装置采用较少的电缆和焊点，具有较小的体积和较高的集成度。相应地，本发明还提供一种运用了所述移相装置的天线和基站。
移相器合路器移相电路移相装置输入端输出端输出端连接基站天线焊点输入端连接依次连接集成度电缆

[实用新型]移相装置、天线及基站-CN201721927465.7有效
发明人：苏国生 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司;京信通信技术（广州）有限公司;京信通信系统（广州）有限公司;天津京信通信系统有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种移相装置，包括两移相器及至少一个设于两所述移相器之间的合路器；所述合路器包括输出端和两输入端，各所述移相器包括至少一个输出端，所述合路器的一输入端与两所述移相器中的一个的输出端连接，所述合路器的另一输入端与另一所述移相器的输出端连接；所述移相器包括至少两个依次连接的U型移相电路，任意两相邻所述U型移相电路中的一U型移相电路的输出端分别与另一U型移相电路的输入端、所述合路器的一输入端连接。本实用新型的移相装置采用较少的电缆和焊点，具有较小的体积和较高的集成度。相应地，本实用新型还提供一种运用了所述移相装置的天线和基站。
移相器合路器移相电路移相装置输入端本实用新型输出端输出端连接基站天线焊点输入端连接依次连接集成度电缆

[实用新型]一种新型彩钢暗扣式屋面板-CN201220500949.4有效
发明人：周明才 -专利权人：成都彩艺钢制品有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： E04D3/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型彩钢暗扣式屋面板，包括底板以及两端的Ⅰ扣合部和Ⅱ扣合部，两端之间设有向上凸起的等腰梯形型肋，所述底板两端与Ⅰ扣合部和Ⅱ扣合部连接处分别为一向上向外倾斜的斜板，且斜板与型肋相邻的一侧对称本实用新型的有益效果是：通过将底板左右两端的扣合部位置抬高之后，形成较深的沟槽，再大的雨量都会马上顺波流走不会造成反渗和屋面漏雨现象，安全可靠；集雨面积大，适合做较大跨度的房屋。
一种新型彩钢暗扣式屋面板

[发明专利]含表面活性剂的凝胶对裂隙碳酸盐储层的化学渗吸-CN201680067294.7在审
发明人： M·韩;J·王;D·曹;阿卜杜拉·阿勒-博其米;阿马尔·J·阿尔舍利 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C09K8/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种促使水相自发渗吸至储层基质的渗吸凝胶组合物。所述渗吸凝胶组合物包含表面活性剂，所述表面活性剂能够有效地将储层基质表面的润湿性由油湿改变为水湿，并且所述表面活性剂还能够有效地扩散通过水相。所述渗吸凝胶组合物还包含凝胶体系，其能够有效地保持表面活性剂，并且所述凝胶体系还能够有效地在水相存在下释放表面活性剂，其中将所述储层基质表面的润湿性改变为水湿促使了水相自发渗吸至储层基质。
表面活性剂有效地凝胶组合物基质表面凝胶体系基质润湿性改变碳酸盐储层裂隙润湿性凝胶扩散释放

[发明专利]一种变应力场中非常规储层气-水相渗曲线计算方法-CN201711304249.1在审
发明人：窦祥骥;何岩峰;王相;浮历沛;邓嵩;张世锋;曹文科 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01N13/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种变应力场中非常规储层气‑水相渗曲线计算方法，首先利用实验方法测定不同应力条件下的孔隙度及相渗曲线各端点值，在此基础上拟合获得相渗曲线各端点值与应力之间的定量表征系数，从而构建相渗曲线端点值随应力场的动态变化模型；进而建立考虑相渗曲线端点值随应力变化的气‑水相对渗透率计算模型，并计算变应力场中非常规储层的气‑水相对渗透率，绘制相对渗透率曲线。本发明受实验条件及次数的限制较小，同时不依赖于油田现场实际含水率数据，可以快速准确地获得地层中任意应力条件下的气‑水相对渗透率曲线，从而为非常规气藏的开发提供更加丰富和准确的两相渗流基础资料。
相对渗透率变应力曲线端点曲线计算应力条件实验方法测定定量表征动态变化基础资料计算模型实验条件应力变化含水率孔隙度应力场构建两相拟合气藏渗流地层绘制油田开发

[发明专利]一种粉末包埋渗铝剂以及包埋渗铝方法-CN03114750.X无效
发明人：黄志荣;徐宏;李培宁 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2003-01-06 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： C23C10/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末包埋渗铝剂以及包埋渗铝方法。粉末包埋渗铝剂为一种组合物，其组分和重量百分比含量包括：铝粉，2～10％；铁粉，5～10％；氯化铵，0.5～2.5％；氧化铝，82～86％。本发明的方法包括如下步骤：将渗铝剂充分混合均匀后与需要进行渗铝处理的钢或铁共置于密封的渗罐中，加热至650～1100℃保温2～8小时。测试结果表明，经上述处理后的钢或铁的渗铝层表面组成主要为FeAl相和Fe3Al相，铝含量为50～23％at。本发明的渗铝剂以及渗铝方法，渗层质量好，工艺简单，所要求的设备也很简单，成本低廉，操作容易，能够方便地控制渗铝层表面的铝含量，便于工业化实施。
一种粉末包埋渗铝剂以及方法

[发明专利]一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法-CN202111064068.2有效
发明人：傅丽华;周孟;张永振;杜三明;刘建;贺甜甜;岳赟;倪锋;毛艳珊 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种双连续相SiC/Cu复合材料的方法，属于无压浸渗技术领域。本发明的双连续相SiC/Cu复合材料的方法，包括以下步骤：将SiC多孔陶瓷和铜基金属作为预浸渗体；然后采用碳化硅砂对预浸渗体进行填埋使预浸渗体的底部和周围分布碳化硅砂，在无氧环境下升温进行无压浸渗，无压浸渗完成后，降温即得双连续相SiC/Cu复合材料。本发明的方法工艺简单，易于实现，且操作过程简单，以碳化硅砂作为模具材料，有助于通过高温无氧条件下无压浸渗提高铜基复合材料力学性能时，避免氧化物砂在高温无氧环境下发生脱氧反应，导致模具坍塌失效；同时还可以减少模具材料跟预浸渗体中
一种双连 sic cu 复合材料方法

[发明专利]一种油气储层中孔、洞、缝三维分布表征方法-CN201510420741.X有效
发明人：欧成华;李朝纯 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种油气储层中孔、洞、缝三维分布表征方法，包括下述步骤1、通过孔、洞、缝信息的跨尺度传递，建立并识别微观孔、缝模式，宏观孔、洞、缝模式和断裂、溶洞分布规律；2、为了实现孔、洞、缝信息的跨尺度融合，将孔、洞、缝依据储渗能力等效分别映射为孔隙相、溶洞相和裂缝相三大类储渗介质相，并按照孔‑洞‑缝三者间的组合关系不同进一步映射为十三亚类储渗介质相；3、通过储渗介质相数据离散化处理，结合随机建模方法建立储渗介质相三维模型，完成在同一地质模型中对多尺度孔
一种油气储层中孔三维分布表征方法

[发明专利]一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法-CN201710161868.3有效
发明人：杨万民;杨芃焘;李佳伟;陈森林 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及到一种底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环的方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱环、压制固相支撑层、压制液相源先驱块、压制Yb₂O₃支撑块、制备钕钡铜氧籽晶、装配先驱块、熔渗生长单畴稀土钡铜氧超导环、渗氧处理步骤。本发明的底部籽晶熔渗生长法制备单畴稀土钡铜氧超导环技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴稀土钡铜氧超导环的生长；不仅大大简化了环状超导体的制备过程，避免了由块状超导体加工至环状超导体过程中样品被破坏的可能性
一种底部籽晶生长法制备单畴稀土钡铜氧超导方法及其制备

[发明专利]基于多GPU的数字岩心相渗曲线的计算方法、装置及计算机设备-CN201811455946.1有效
发明人：李炜;龙威;昝成;程浩然;黄瑞 -专利权人：清能艾科（深圳）能源技术有限公司;深圳清华大学研究院
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开揭示了一种基于多GPU的数字岩心相渗曲线的计算方法及装置，包括：对在网格空间中根据微岩心所构建的数字岩心，获取并存储各孔隙所在孔隙点的网格数据；对数字岩心进行油驱替饱和水模拟，在油驱替饱和水模拟中根据网格数据进行数值计算，获得各个时刻的油相参数和水相参数，直至油驱替饱和水模拟达到稳定状态；以稳定状态时的油相参数和水相参数作为初始参数，对数字岩心进行水驱替油模拟，在模拟中，根据初始参数以及网格数据计算得到为所述微岩心所预测的相渗曲线，所述相渗曲线是根据在所述水驱替油模拟过程中各个时刻的含水饱和度、油相渗透率和水相渗透率所获得的。从而可以快速获得支持开发决策的相渗曲线。
基于 gpu 数字岩心曲线计算方法装置计算机设备

[发明专利]一种耐高温防渗涂料及其制备方法和应用-CN201610752825.8有效
发明人：古宏博;侯彬;马凌霄;殷开山;宋本县;黄辉;刘敏;王文军 -专利权人：中航动力股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型耐高温防渗涂料及其制备方法和应用，属于气相渗金属领域。本发明所述新型耐高温防渗涂料，可实现900～1030℃的局部气相渗金属，以质量份计，包括固体粉末100g，液体粘结剂10～50ml，增韧纤维5～10g三种组分。本发明所述的防渗涂料配料简便，操作方便，易涂刷于复杂型面，能彻底防渗漏，易清理，对精密尺寸无粘结和腐蚀等影响。
防渗涂料制备方法和应用新型耐高温渗金属涂刷致密按比例混合液体粘结剂复杂型面固体粉末零件表面防渗漏耐高温无粘结易清理质量份膜壳增韧制备精密纤维腐蚀

[发明专利]一种酸化用微乳液型暂堵剂及其制备方法和应用-CN201911016592.5有效
发明人：王尔珍;张随望;陆小兵;王勇;宋昭杰;邓志颖;隋蕾;杨玲智 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C09K8/508 文献下载
摘要：本发明提供了一种酸化用微乳液型暂堵剂及其制备方法和应用。以质量百分比计，该暂堵剂包含如下组分：油相30％‑40％，表面活性剂5％‑10％，助表面活性剂5％，螯合剂5％‑10％，分散剂5％‑10％，余量为水。该暂堵剂适用于低渗、特低渗和超低渗油藏储层酸化。使用该暂堵剂配合水井酸化施工，工艺流程简单，酸化效果好。该暂堵剂适用于长庆油田大部分特低渗和超低渗油藏，并在现场应用取得了较好的实施效果。
一种酸化乳液型暂堵剂及其制备方法应用

[发明专利]增强相金属梯度复合材料制造工艺及设备-CN200710133221.6有效
发明人：丁家伟;丁刚 -专利权人：丁家伟;丁刚
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： B22D19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强相金属梯度复合材料制造工艺及设备，首先将增强体合金膏块固定在塑料泡沫模型的所需位置上，进行真空负压振动造型，启动安装在铸模外部或砂箱内的电磁感应加热器对铸模内的合金膏块进行感应加热，待达到100－1200℃后浇入基体金属液，金属液向合金粉末的空隙中渗入，在基体金属的表面所需的部位上形成具有特殊性能的大厚度的合金层的梯度功能复合材料使用该发明，减少了型外二次加热工序，避免了增强体的氧化，提高了金属液的流动性和铸渗能力，从而可以制备大厚度的铸渗产品，实现了铸渗工艺参数的动态调整，提高了两相材料的结合强度和质量。
增强金属梯度复合材料制造工艺设备

[发明专利]静电放电保护电路-CN200410044551.4有效
发明人：郑念祖;何志龙;施博议 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护电路，其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱，该第一P型阱上设置有一第一P⁺渗杂区及一第一N⁺渗杂区，该第一P⁺渗杂区及该第一N⁺渗杂区接地，该第二P型阱上设置有一第二P⁺渗杂区及一第二N⁺渗杂区，该第二P⁺渗杂区及该第二N⁺渗杂区连接于电源供应电压V_DD，该第三P型阱上设置有一第三N⁺渗杂区、一第三P⁺渗杂区、及一第四N⁺渗杂区，该第三N⁺渗杂区、该第三P⁺渗杂区及第四N⁺渗杂区用来输出入信号。
静电放电保护电路

[发明专利]静电放电保护电路-CN200410044553.3有效
发明人：郑念祖;何志龙;施博议 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护电路，其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱，该第一P型阱上设置有一第一P⁺渗杂区及一第一N⁺渗杂区，该第一P⁺渗杂区及该第一N⁺渗杂区接地，该第二P型阱上设置有一第二P⁺渗杂区及一第二N⁺渗杂区，该第二P⁺渗杂区及该第二N⁺渗杂区连接于电源供应电压V_DD，该第三P型阱上设置有一第三N⁺渗杂区、一第三P⁺渗杂区、及一第四N⁺渗杂区，该第三N⁺渗杂区、该第三P⁺渗杂区及第四N⁺渗杂区用来输出入信号。
静电放电保护电路