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[发明专利]一种管式炉外延系统-CN201310211483.5有效
发明人：吴以治;许小亮;王武翟;王会杰;郁菁;杨亮亮;王子文;蔡家琦 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种管式炉外延系统，包括：反应管、混气箱、真空系统以及压强控制系统；其中：所述混气箱的出气口与反应管的进气端密封连接；所述真空系统与反应管的排气端密封连接；所述压强控制系统包括压强控制阀、压强控制电路和压强计，压强控制阀设置于混气箱的出气口上并通过压强控制电路与压强计相连，压强计设置于反应管的排气端，以测量反应管的压强。通过外延控制系统，可以有效的控制进入管式炉的气体的压强，且设备价格低，便于推广。
一种管式炉外延系统

[实用新型]一种管式炉外延系统-CN201320306459.5有效
发明人：吴以治;许小亮;王武翟;王会杰;郁菁;杨亮亮;王子文;蔡家琦 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种管式炉外延系统，包括：反应管、混气箱、真空系统以及压强控制系统；其中：所述混气箱的出气口与反应管的进气端密封连接；所述真空系统与反应管的排气端密封连接；所述压强控制系统包括压强控制阀、压强控制电路和压强计，压强控制阀设置于混气箱的出气口上并通过压强控制电路与压强计相连，压强计设置于反应管的排气端，以测量反应管的压强。通过外延控制系统，可以有效的控制进入管式炉的气体的压强，且设备价格低，便于推广。
一种管式炉外延系统

[发明专利]智能压力平衡控制系统-CN202110541512.9在审
发明人：陈奇志;钟晓宏;何永文;肖岳意 -专利权人：凯德技术长沙股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：本发明公开了智能压力平衡控制系统，包括反应炉，所述反应炉的内壁固定连接有多个压强检测器，所述反应炉的两侧分别固定连接有进气端和出气端，所述反应炉的一侧设有用于增加反应炉内压强的加压组件，所述反应炉的另一侧设有用于降低反应炉内压强的降压组件，所述反应炉的一侧固定连接有控制面板，本发明结构简单，使用方便，通过启动驱动电机和第一电动推杆可以分别打开进气端与出气端，方便平衡反应炉内的压强，且通过启动转动电机和第二电动推杆可以使反应炉内的气体分布均匀，方便在反应炉内不同位置的压强检测器检测到准确的压强，进而方便控制面板控制驱动电机、第一电动推杆、抽气泵和吸气泵来平衡反应炉内的压强。
智能压力平衡控制系统

[实用新型]一种压力平衡控制装置-CN202121064114.4有效
发明人：华传健;钟晓宏;喻磊;谭建军 -专利权人：凯德技术长沙股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压力平衡控制装置，包括反应炉，所述反应炉的内壁固定连接有多个压强检测器，所述反应炉的两侧分别固定连接有进气端和出气端，所述反应炉的一侧设有用于增加反应炉内压强的加压组件，所述反应炉的另一侧设有用于降低反应炉内压强的降压组件，所述反应炉的一侧固定连接有控制面板，本实用新型结构简单，使用方便，通过启动驱动电机和第一电动推杆可以分别打开进气端与出气端，方便平衡反应炉内的压强，且通过启动转动电机和第二电动推杆可以使反应炉内的气体分布均匀，方便在反应炉内不同位置的压强检测器检测到准确的压强，进而方便控制面板控制驱动电机、第一电动推杆、抽气泵和吸气泵来平衡反应炉内的压强。
一种压力平衡控制装置

[发明专利]果露酒的蒸馏方法和设备以及果露酒-CN202011439772.7在审
发明人：李仪 -专利权人：北京百漾科技股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C12H6/02 文献下载
摘要：蒸馏方法包括：将已发酵的果露酒原液置于反应釜中；对反应釜内的空间抽负压，以达到并保持在第一预设压强；将反应釜中的果露酒原液加热至预设温度，并保温；在第一预设压强和预设温度下，收集从果露酒原液中蒸馏出的第一物质；提高对反应釜内空间的抽负压功率，以使反应釜内的压强达到并保持在第二预设压强，并在第二预设压强和预设温度下，收集从果露酒原液中蒸馏出的第二物质；以及进一步提高对反应釜内空间的抽负压功率，以使反应釜内的压强达到并保持在第三预设压强，并在第三预设压强和预设温度下，收集从果露酒原液中蒸馏出的第三物质。
露酒蒸馏方法设备以及

[发明专利]反应腔室的清洗方法-CN201410369481.3有效
发明人：王京;谢秋实 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的清洗方法，其包括以下步骤：对反应腔室进行干法清洗，并随着清洗时间的增加，按预定规则调节反应腔室的腔室压强，以使其自预设的最高压强值下降至最低压强值，或者自预设的最低压强值上升至最高压强值本发明提供的反应腔室的清洗方法，其不仅可以缩短清洗时间，而且还可以改善清洗效果，从而可以延长湿法清洗和维护的周期。
反应清洗方法

[发明专利]大气光化学反应的调压方法-CN201010133627.6有效
发明人：董宁;朱平;李波;郭勇;杨果 -专利权人：深圳市华测检测技术股份有限公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明公布了使用一种双层烟雾箱对光化学反应的压强进行调节的方法。这种方法主要利用了烟雾箱的双层结构，通过改变外层的调控舱的压强，来间接控制内层光化学反应舱的压强，同时保证了反应舱中的光化学反应不受各种调温调压装置的影响。根据本发明，可以在大气光化学反应的准备阶段对压强进行调控，也可以在反应进行过程中根据需要对压强实时调控，因此，本方法可以精确的控制反应条件，增加实验的可重复性和实验结果的可靠性。
大气光化学反应调压方法

[发明专利]黑磷薄膜反应装置、黑磷薄膜制备方法-CN202111238217.2有效
发明人：张凯;陈程;陈捷 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷薄膜反应装置和黑磷薄膜制备方法，所述装置包括真空密闭的反应腔室，所述反应腔室内设置有缓释体，所述缓释体将反应腔室分隔成用以放置反应物的第一反应腔和用以放置生长基底的第二反应腔，所述缓释体内形成有毛细通道，在受热反应过程中控制第二反应腔内的压强小于第一反应腔内的压强。本发明在反应物和生长基底之间设置一段缓释体填充，适度抑制第一反应腔内的气态源向第二反应腔的传输，借此控制生长端的压强不至于过高，也就是第二反应腔的压强小于第一反应腔的压强，提高时间上源供给的均匀性，有效地抑制衬底上的过多成核点的形成
黑磷薄膜反应装置制备方法

[实用新型]一种填料式变气压强化剩余污泥臭氧减量化装置-CN201721769314.3有效
发明人：任宏洋;王兵;张宁康 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C02F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种填料式变气压强化剩余污泥臭氧减量化装置，涉及污泥处理领域。本实用新型是一种能够减少污水处理过程中剩余污泥的产生的装置。它包括臭氧变压强化污泥减量化反应装置包括臭氧投加点、加压强化反应器、减压强化反应器。臭氧投加系统包括一个进料泵泵后射流器臭氧投加点和反应器内循环泵后射流器投加点。加压强化反应器采用圆柱形反应器，加压反应器内壁设置导流板，混合液在反应器中呈螺旋流上升。减压强化反应器采用圆柱形反应器，减压反应器内部设置不锈钢环填料层，通过布水器将混合液均匀分布在不锈钢环填料层，通过增压、减压过程提高剩余污泥臭氧化减量效率。
臭氧强化反应器剩余污泥圆柱形反应器本实用新型不锈钢环反应器减压混合液减量化射流器填料层填料式气压加压臭氧投加系统污水处理过程加压反应器减压反应器污泥减量化反应装置减压过程内部设置内循环泵污泥处理增压布水器臭氧化导流板进料泵螺旋流变压减量内壁

[发明专利]一种抑制薄膜隆起缺陷生成的方法-CN202310582119.3在审
发明人：王平 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制薄膜隆起缺陷生成的方法，所述方法包括提供一晶圆，并将晶圆置于反应腔；向反应腔通入反应气体以使反应腔的压强为第一压强，在晶圆的表面沉积形成氮化硅薄膜；对氮化硅薄膜执行后处理工艺以去除氮化硅薄膜表面的硅不饱和键，后处理工艺包括依次执行的至少两道工艺，依次执行至少两道工艺时反应腔内的压强递减，且执行每一道工艺时反应腔内的压强小于所述第一压强。通过将现有技术中的一步式后处理工艺分解为至少两道工艺，并控制在依次执行至少两道工艺的反应腔内的压强为递减关系，压强存在一阶梯变化有利于后处理工艺中和处理处于不同压强下的具有不同分子运动自由程的硅不饱和键
一种抑制薄膜隆起缺陷生成方法

[实用新型]一种多搅拌桨可自变压强式反应釜-CN201721454819.0有效
发明人：徐彬;葛腾;廖弘禹;邵心彤 -专利权人：九江市美景水处理科技有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型专利公开了一种多搅拌桨可自变压强式反应釜，主要包括反应釜部分、搅拌部分、压强改变部分、车架支撑部分组成；其特征在于：反应釜部分通过螺栓安装固定于车架支撑部分的上端，搅拌部分安装固定于反应釜部分的内部，压强改变部分以焊接的方式安装固定于反应釜部分的两侧边，同时也通过螺栓安装固定于车架支撑部分上。本实用新型的优点是：创造性的采用多个搅拌桨进行搅拌反应物，以实现充分搅拌；采用机械式的压强改变装置，不仅结构设计简单、生产制造成本低廉，可以达到反应釜内部压强的改变。
反应釜压强车架支撑搅拌桨本实用新型安装固定螺栓安装生产制造成本压强改变装置反应釜内部搅拌反应上端焊接

[发明专利]原子沉积设备的反应物定量控制方法-CN202211695518.2在审
发明人：孙世娜;陈焰;明帅强;刘振强;毛娃;林永奔;夏洋 -专利权人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种原子沉积设备的反应物定量控制方法、装置、介质以及电子设备。该方法包括:设定各个反应物对应的差压累和阈值，并在未通入反应物时，通入设定流量的载气，获取进气管道处的压强作为第一初始压强；针对各个反应物，通过依次开启各个反应物对应的阀门，获取当前进气管道的压强，以根据所述第一初始压强和各个反应物对应的进气管道的压强，计算当前反应物对应的差压累和值；如果当前反应物对应的差压累和值等于当前反应物设定的差压累和阈值，则关闭当前反应物对应的阀门，以实现反应物的定量控制。本申请提供的技术方案能够提高反应物定量控制的准确性，以及减少反应物的用量，从而提高成膜一致性。
原子沉积设备反应物定量控制方法

[实用新型]节能型撞击流排烟罩-CN201620644372.2有效
发明人：侯群华 -专利权人：北京市泰坦不锈钢厨具有限责任公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种节能型撞击流排烟罩，针对使用者凭借直觉判断反应完全后打开排烟机将烟气排到空气中，不够精确的问题，提供了以下技术方案，包括反应腔以及排烟机，还包括压强检测模块，检测反应腔内的气压以输出压强检测信号；控制模块，包括基准值信号，耦接于压强检测模块以接收压强检测信号，并比较压强检测信号与基准值信号的大小以输出控制排烟机是否工作的控制信号；当压强检测模块输出的压强检测信号大于基准值信号时，控制模块输出的控制信号令排烟机进行工作以排出完全反应的烟气从而实现了排烟机根据反应完全程度的自动开启，足够准确，同时更加智能与方便；排烟机依需启动，避免长时间开启消耗电能，从而达到节约能源目的。
节能型撞击流排烟罩

[发明专利]一种用于高含水物料的脱水提质系统-CN202110595666.6在审
发明人：张博;巩林盛;张真兴;郭君伟;闫光辉;郭梦瑶 -专利权人：中国矿业大学;江苏碳氢元清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C10L9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于高含水物料的脱水提质系统，包括反应釜，反应釜旁设置有蒸气发生器和蒸气回收器，蒸气发生器和蒸气回收器分别位于反应釜的左右两端且通过蒸气管道连接，反应釜上设置有压强感应装置，通过压强感应装置对反应釜内的压强进行感应，反应釜上端设置有进料口，反应釜下端设置有出料口，出料口下方设置有卸料传送带，反应釜中部一侧设置有高压风管，高压风管上设置有高压风阀门。通过反应釜进行脱水提质反应，并且通过蒸气发生器向反应釜内添加高温高压蒸气，使煤中水分脱除以闪蒸和渗流两种形式脱除，同时增大爆破强度，破坏孔隙结构、防止复吸。反应釜带有温度感应装置及压强感应装置，可实时监测系统内部温度压强变化。
一种用于含水物料脱水系统

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202010831769.3在审
发明人：唐子波;张凯;何崇敏;唐磊 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括若干沟槽，所述沟槽用于形成源极和漏极；预处理阶段，对所述沟槽表面进行处理，去除沟槽表面的残留物和氧化物；反应准备阶段，将温度调整至反应温度，将压强调整至反应压强，所述反应压强为10托至60托；反应阶段，通入反应气体，在所述反应温度和反应压强下在所述沟槽表面生成种子层。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用低压低温的反应环境来生长源极和漏极，可以提高源极和漏极的均一性，降低缺陷，提高可靠性。
一种半导体结构形成方法

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