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[发明专利]双介电层场效应晶体管及其制备方法-CN202210392987.0在审
发明人：徐勇;饶锦航;高相林;严宇;戴晓菡;窦存花;陈泉桦;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。
双介电层场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种柔性的MEMS双电层电容压力传感器及其制备方法-CN201810053477.4有效
发明人：刘景全;唐龙军;洪雯;孙文熙;杨斌;陈翔;王晓林 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性的MEMS双电层电容压力传感器及其制备方法，所述传感器包括微腔体，测量电极，参考电极，引出线，所述参考电极或所述测量电极与所述电解质溶液接触表面的正负离子层形成的电容即称为双电层电容，所述电解质溶液与所述测量电极接触面积变化即双电层电容值变化。利用双电层电容测量液体环境的压力值及改变量；液体环境压力发生变化时，进入微腔体内的电解质溶液体积随微腔体内微气泡体积变化而变化，测得进入微腔体内电解质溶液体积变化即可求得环境压力。
双电层电容电解质溶液测量电极微腔压力传感器参考电极体积变化体内制备生物兼容性体内电解质测量液体环境压力面积变化压力测量压力发生液体环境正负离子改变量灵敏度微气泡微腔体引出线电容传感器可用植入

[发明专利]一种双界面智能卡-CN201810742438.5在审
发明人：朱海林 -专利权人：东莞市芯安智能科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提供一种双界面智能卡，包括天线层和双界面卡芯片层，所述天线层包括天线卡基和天线，所述双界面卡芯片层包括双界面卡基和双界面芯片，所述双界面芯片包括芯片本体和电路板，所述电路板包括正电极和负电极，还包括单向导电胶，所述正电极与所述单向导电胶的上表面电性连接，所述天线的一端与所述单向导电胶的下表面电性连接，所述负电极与所述单向导电胶的上表面电性连接。通过单向导电胶，双界面芯片稳固的定位和固定在双界面卡基中，不容易脱落。
单向导电胶双界面卡双界面芯片天线电性连接负电极正电极双界面智能卡电路板上表面天线层芯片层导通芯片本体天线卡下表面稳固

[实用新型]一种双界面智能卡-CN201821075361.2有效
发明人：朱海林 -专利权人：东莞市芯安智能科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双界面智能卡，包括天线层和双界面卡芯片层，所述天线层包括天线卡基和天线，所述双界面卡芯片层包括双界面卡基和双界面芯片，所述双界面芯片包括芯片本体和电路板，所述电路板包括正电极和负电极，还包括单向导电胶，所述正电极与所述单向导电胶的上表面电性连接，所述天线的一端与所述单向导电胶的下表面电性连接，所述负电极与所述单向导电胶的上表面电性连接。通过单向导电胶，双界面芯片稳固的定位和固定在双界面卡基中，不容易脱落。
单向导电胶双界面卡双界面芯片天线电性连接负电极正电极双界面智能卡电路板本实用新型上表面天线层芯片层导通芯片本体天线卡下表面稳固

[发明专利]一种蛋黄型双壳层中空复合吸波材料的制备方法-CN201810108331.5有效
发明人：鲍艳;李帅;刘超;马建中;张文博;董雨菲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C18/08 文献下载
摘要：一种蛋黄型双壳层中空复合吸波材料的制备方法，以双壳层中空复合微球为模板，在其表面包覆上过渡层，得到多壳层中空复合微球；以多壳层中空复合微球为模板，在其表面包覆上具有介电损耗功能的介电层，然后去除过渡层，得到蛋黄型双壳层中空复合微球。本发明制备的材料是一种强吸波、频带宽、质量轻的复合吸波材料，其兼具磁损耗和电损耗于一体，增强了复合材料的吸波性能，拓宽了复合材料的吸波频带，并且具有独特的蛋黄、中空双空间结构，使得复合材料在保持优异吸波性能的基础上密度更小
一种蛋黄型双壳层中空复合材料制备方法

[发明专利]双电层复合纳滤膜的制备方法-CN202010482734.3有效
发明人：武春瑞;厍景国;史乐;刘四华;吕晓龙 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B01D61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双电层复合纳滤膜的制备方法，首先，通过多羟基胺分子对基膜进行胺化处理，然后在胺化后的基膜表面通过界面聚合构建具有双电层结构的超薄分离层；该双电层复合纳滤膜对于二价阳离子和二价阴离子均具有较好的选择性
双电层复合滤膜制备方法

[发明专利]冲压装置-CN201880022684.1在审
发明人：正藤勇介;西川辉;政野峻 -专利权人：小松产机株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B30B15/14 文献下载
摘要：本实施方式的冲压装置(1)是使用上模具(7)与下模具(8)对材料进行冲压成形的冲压装置，具备滑块(2)、垫板(3)、伺服马达(21)、双电层电容器(42)和电容器冷却部(10)。双电层电容器(42)能够将蓄积的电力供给到伺服马达(21)。电容器冷却部(10)对双电层电容器(42)进行冷却。
双电层电容器伺服马达滑块电容器冲压装置冷却部上模具下模具垫板表面安装冲压成形电力供给驱动滑块载置冷却蓄积配置

[发明专利]双电层电容器用极化电极及使用其的双电层电容器-CN200880106237.0有效
发明人：渡边晋;萩谷将之;仁科直也;中村修 -专利权人：日本贵弥功株式会社
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01G9/016 文献下载
摘要：本发明提供一种在高温下的放置特性良好、且可以防止静电电容降低及内部电阻上升的双电层电容器用极化电极及使用其的双电层电容器。其中，通过混合科琴黑、活性炭和聚四氟乙烯(PTFE)水溶液，形成极化电极。集电体使用铝蚀刻箔，并通过将该铝蚀刻箔浸渍在磷酸水溶液或磷酸铵等磷酸水溶液中，使该铝蚀刻箔的表面保持有15～115mg/m2的磷。该铝蚀刻箔表面的每单位面积的静电电容为50～350μF/cm2。
双电层电容器用极化电极使用电容器

[发明专利]双电层电容器和双电层电容器用非水电解液-CN201280015803.3有效
发明人：高桥谦三;高明天;坂田英郎;山本绘美 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01G11/60 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供长期可靠性、特别是双电层电容器的膨胀抑制效果优异的双电层电容器和该双电层电容器用非水电解液。本发明为一种双电层电容器，其特征在于，具备正极、负极、以及包含非水溶剂和电解质盐的非水电解液，上述非水溶剂含有通式（1）：Rf1－O－Rf2（1）（式中，Rf1和Rf2相同或不同，为碳原子数1～10的烷基或碳原子数
双电层电容器电容器用水电

[实用新型]一种高稳定性电缆-CN201920406166.1有效
发明人：赵国志 -专利权人：浙江广来电气有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高稳定性电缆，解决了电缆结构稳定性差，耐热和耐寒效果差的问题，其技术方案要点是：一种高稳定性电缆，包括护套层和电芯，所述的电芯位于护套层内部，所述的电芯外设置于绝缘层，所述的护套层中内部中间设置有填充绳，所述的电芯周向均匀分布于填充绳周围，所述的填充绳截面为正多边形结构，所述填充绳的表面设置有固定槽，所述电芯镶嵌于固定槽内，所述的电芯和护套层之间设置有双阻燃层，双阻燃层之间设置有隔热层和耐寒层。
电芯护套层填充绳高稳定性电缆固定槽阻燃层耐寒绝缘层技术方案要点正多边形结构周向均匀分布本实用新型表面设置电缆结构中间设置隔热层耐热外设镶嵌

[发明专利]制作钨插塞的方法-CN03109677.8有效
发明人：廖雅卉;白弘吉;毛明瑞;李树恩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种于一半导体晶片上制作钨插塞的方法，该半导体晶片表面包含有一基底，一铜双镶嵌结构设于该基底之上，一介电层覆盖于该铜双镶嵌结构之上，以及一介层洞穿过该介电层并通达该铜双镶嵌结构顶部表面；首先于介层洞底部及侧壁表面形成一氮化钽层，然后于氮化钽层表面形成一氮化钛层；接着进行一化学气相沉积制程以于氮化钛层上形成一钨金属层并填入介层洞内；最后进行一化学机械研磨制程，使钨金属层约略与介电层表面切齐，以于介层洞形成钨插塞；本发明主要利用氮化钽层以及氮化钛层同时作为阻障层，以有效阻绝钨插塞下方连接的双镶嵌结构内铜金属挤出至介层洞内；由于氮化钛金属对于钨金属的附着能力相当良好，使得本发明可直接利用化学气相沉积法于氮化钛层上沉积钨金属层。
制作钨插塞方法

[发明专利]贴片型双电层电容器及其制造方法-CN201010003399.0无效
发明人：李相均;郑昌烈;李圣镐;朴东燮;赵英洙;郑玄喆 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01G9/155 文献下载
摘要：一种贴片型双电层电容器及其制造方法，所述贴片型双电层电容器包括：外壳，包括形成于外壳中的容纳空间，外壳由绝缘树脂形成；第一外端，埋置在外壳中，第一外端包括暴露于容纳空间的第一表面和暴露于外壳外部的第二表面；第二外端，埋置在外壳中，第二外端包括暴露于容纳空间的第一表面和暴露于外壳外部的第二表面；双电层电容器单元，设置在容纳空间中以与第一外端和第二外端的第一表面电连接。
贴片型双电层电容器及其制造方法

[发明专利]降低铜双镶嵌工艺线间漏电流的方法-CN200410018460.3无效
发明人：郭强;李虹;林大野;朱朝嵩 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低铜双镶嵌工艺中铜线间漏电流的方法，它是在一半导体结构上形成一第一介电层与一第二介电层，第二介电层的电学和机械性能优于第一介电层，其介电常数可能略高于第一介电层。经光刻胶转移图案后，进行双镶嵌工艺中的沟槽刻蚀，采用多次刻蚀方法以形成一底部具有圆滑角落的沟槽。在后续铜金属的化学机械抛光(CMP)时，保留一定厚度的第二介电层，从而使铜导线上部两角覆盖在电学性能较好的第二介电层中，而下部两个角具有圆滑角落。本发明制作的结构可以降低铜线间的漏电流。
降低镶嵌工艺漏电方法

[发明专利]电容器用电极-CN200480035761.5有效
发明人：桧圭宪;宫木阳辅;片井一夫;直井克夫;堀入英司;森田祐吉 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01G9/058 文献下载
摘要：本发明提供一种在电极层与铝蚀刻箔集电体的密接性方面非常优良的双电荷层电容器用电极。该双电荷层电容器用电极包括集电体、集电体上的底涂层、底涂层上的电极层，所述集电体由铝箔制成，所述底涂层至少含有导电性粒子(P)和粘合剂(B)，其重量比P/B＝0.25～2.33，所述粘合剂(B)的主成分为含氟聚合物，电极层至少含有碳材料和粘合剂。
电容器用电极

[发明专利]在双极静电卡盘的部分上具有电极的双极静电卡盘-CN201980015431.6在审
发明人：曹生贤 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开一种双极静电卡盘。双极静电卡盘包括：底座；下部介电层，形成于底座的整个上部表面上；边缘电极部分，沿着边沿形成在下部介电层的上部侧上，边缘电极部分包括第一电极和第二电极，第二电极与第一电极分隔开且具有与第一电极的极性不同的极性；和上部介电层，形成于下部介电层和边缘电极部分的上部侧上，其中，在平面图中，双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域和中心区域，边缘电极形成区域对应至从边缘至边缘电极部分的区域，且中心区域对应至除了边缘电极形成区域之外的区域
静电卡盘部分具有电极