专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光敏层及其制备用组合、制备方法和应用-CN202210798078.7在审
  • 孙建侠;钱家栋;范利生;田清勇;范斌 - 昆山协鑫光电材料有限公司
  • 2022-07-06 - 2022-10-11 - H01L51/48
  • 本发明揭示了一种光敏层及其制备用组合、制备方法和应用。所述光敏层的制备方法包括:提供含有前驱体溶液,该前驱体溶液含有硫氰酸盐以及苯乙胺或苯乙胺的氢酸盐;将前驱体溶液涂覆在基底上形成涂层,并将涂层中的至少部分溶剂去除,之后进行退火处理,制得光敏层。本发明工艺简便,直接在前驱体溶液中加入一定比例的硫氰酸盐及苯乙胺或苯乙胺的氢酸盐就可以有效调节晶体大小以及尺寸均匀性,提高晶体结晶度以及吸光层的成膜质量,从而降低了工艺难度以及对设备精度的要求,进而大幅度降低了生产高效太阳能电池及组件的成本。
  • 钙钛矿光敏及其制备组合方法应用
  • [发明专利]一种制备ABX3单晶薄膜的方法-CN201611064731.8在审
  • 冯晶;胡明钰;种晓宇 - 昆明理工大学
  • 2016-11-28 - 2017-05-17 - C30B29/12
  • 本发明公开了一种制备ABX3单晶薄膜的方法,所述制备ABX3单晶薄膜的方法将含A和含B金属化合溶解于溶剂M中,含A和含B金属化合的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05‑5.0mol/L溶液;向基片P上滴加溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间溶液中溶剂的蒸发制得单晶薄膜本发明可制备出较高质量、较大尺寸的单晶薄膜;方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
  • 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜方法

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