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- [发明专利]过渡金属配合物,其制备方法,含该过渡金属配合物的烯烃聚合催化剂和生产烯烃聚合物的方法-CN96196382.4无效
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片山博晶;并河正明;今井昭夫;宫下晃;渡边毅;常法寺博文;织田佳明;花冈秀典
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住友化学工业株式会社
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1996-07-15
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2001-07-25
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C07F17/00
- 一种如下通式(1)表示的过渡金属配合物$其中M#+[1]为元素周期表第4族的过渡金属原子,A为元素周期表第16族的原子,B为元素周期表第14族的原子;Cp#+[1]为具有环戊二烯型阴离子骨架的基团;X#+[1]、X#+[2]、R#+[1]、R#+[2]、R#+[3]、R#+[4]、R#+[5]和R#+[6]各自独立地为氢原子、卤原子、具有1—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的烷基、具有7—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的芳烷基、具有6—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的芳基、具有1—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的取代甲硅烷基、具有1—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的烷氧基、具有7—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的芳烷氧基、具有6—20个碳原子的任意性可有可无地被至少一个卤原子取代的芳氧基、或具有2—20个碳原子的二取代氨基,条件是R#+[1]、R#+[2]、R#+[3]、R#+[4]、R#+[5]和R#+[6]可任意性可有可无地结合形成环;生产该过渡金属配合物的方法;含该过渡金属配合物的烯烃聚合催化剂
- 过渡金属配合制备方法烯烃聚合催化剂生产聚合物
- [发明专利]改善原子力纳米探针导电性的方法-CN201310217818.4无效
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李剑;陈强;唐涌耀;黄维
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上海华力微电子有限公司
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2013-06-03
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2013-10-02
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G01Q60/40
- 本发明提出一种改善原子力纳米探针导电性的方法,包括在导电物质上接触有至少一根或多根被氧化的原子力纳米探针;依次将每根被氧化的原子力纳米探针和导电物质间施加电压差,将被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿;重复前一步,直至改善原子力纳米探针的导电性。本发明还提出一种改善原子力纳米探针导电性的方法,包括在导电物质上接触有至少两根被氧化的原子力纳米探针;依次将一根被氧化的原子力纳米探针和剩余的每根被氧化的原子力纳米探针间施加电压差,将被氧化的原子力纳米探针的部分氧化物击穿;重复前一步,直至改善原子力纳米探针的导电性,用以保证进行失效分析时样品测试的准确性,以及延长原子力纳米探针的使用寿命。
- 改善原子纳米探针导电性方法
- [发明专利]防污性薄膜-CN201780005426.8有效
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林秀和;新纳厚志
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夏普株式会社
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2017-07-03
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2020-08-25
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B05D5/00
- 本发明提供防污性以及耐磨性优良的防污性薄膜。本发明为具备在表面具有凹凸构造的聚合体层的防污性薄膜,所述凹凸构造为多个凸部以可见光波长以下的间隔设置,所述聚合体层含有碳原子、氮原子、氧原子以及氟原子作为构成原子,通过X射线光电子能谱法测量的氟原子数相对于碳原子数、氮原子数、氧原子数以及氟原子数的总数的比例为在上述凹凸构造的表面为33atom%以上,往深度方向远离上述凹凸构造的表面90~120nm的区域的平均值为3atom%以下,通过X射线光电子能谱法测量的氮原子数相对于碳原子数、氮原子数、氧原子数以及氟原子数的总数的比例在往深度方向远离上述凹凸构造的表面90~120nm的区域的平均值为4atom%以下。
- 防污薄膜
- [发明专利]化合物结构的生成方法、化合物结构的生成程序及化合物结构的生成装置-CN201980059785.0在审
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中林淳
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富士胶片株式会社
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2019-09-13
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2021-04-20
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G16C20/64
- 本发明提供一种能够获取具有合成适用性的改变的化合物结构的化合物结构的生成方法、化合物结构的生成程序及化合物结构的生成装置。化合物结构的生成方法具备:工序(A),准备评价合成适用性的基准的化合物数据库及化合物结构;工序(B),选择对化合物结构追加原子或原子团或者从化合物结构中删除原子或原子团中的任一个;工序(C),当选择了对化合物结构追加原子或原子团时,使新型原子或新型原子团键合于选自化合物结构中所包含的原子中的原子上,或者,当选择了从化合物结构中删除原子或原子团时,删除选自化合物结构中所包含的原子或原子团中的原子或原子团而得到改变的化合物结构;工序(D),根据化合物数据库的信息来判断改变的化合物结构的合成适用性;工序(E),当改变的化合物结构具有合成适用性时,概率上允许改变,当改变的化合物结构不具有合成适用性时,概率上拒绝改变;及工序(F),重复进行工序
- 化合物结构生成方法程序装置
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