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[发明专利]一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法-CN201410237615.6有效
发明人：张永爱;郭太良;周雄图;叶芸;胡利勤;辛琦;林婷;林木飞 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-05-31 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，包含以下步骤1、选取一平板基底，并对平板基底进行清洗；2、在平板基底表面沉积一层过渡层；3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料，并高温焙烧形成厚膜银浆导电层；4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层；5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜，在保护层表面形成图形化光刻胶；6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层；7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层，得到图形化厚膜银浆导电层；8、去除光刻胶，然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层；9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理，形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度，还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。
一种图形化厚膜银浆导电制造方法

[实用新型]银浆湿膜测厚设备-CN201922400183.7有效
发明人：张洪旺 -专利权人：无锡帝科电子材料股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了银浆湿膜测厚设备，包括THK‑01银浆湿膜测厚仪、底座、控制面板、防护罩和放置座，所述THK‑01银浆湿膜测厚仪的正面设有控制面板，所述THK‑01银浆湿膜测厚仪底部的四个角固定安装有底座，所述THK‑01银浆湿膜测厚仪的顶部固定安装有放置座，所述THK‑01银浆湿膜测厚仪的顶部罩有防护罩。本实用新型设置了防护罩，防护罩可以对气流进行遮挡，避免外部气流影响到银浆湿膜，保证THK‑01银浆湿膜测厚仪的检测精确性，该银浆湿膜测厚设备设置了螺杆和螺纹管，通过转动螺杆，从而可以调节放置座的高度，满足银浆湿膜的放置高度
银浆湿膜测厚设备

[发明专利]包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途-CN201310025209.9无效
发明人： R·G·瑞简德安 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及厚膜银浆，所述厚膜银浆包含全部分散在有机介质中的(i)银，(ii)铜，和(iii)Pb-Te-O。本发明还涉及由所述浆料形成的电极和半导体装置，并且具体地涉及包括此类电极的太阳能电池。
包含氧化物厚膜银浆及其半导体装置制造中的用途

[发明专利]适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片-CN201410231128.9无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用4G通讯要求厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，其包括一低热阻氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×1.0mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB厚膜电路氮化铝陶瓷10瓦8dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，适用4G通讯要求可达到目前的4G网络的应用要求。
适用通讯要求电路氮化陶瓷 10 db 衰减

[发明专利]一种适应晶硅p+层接触的厚膜银浆用玻璃粉及其制备方法-CN202111669051.X在审
发明人：刘家敬;李宇;杨至灏;黄良辉 -专利权人：广东南海启明光大科技有限公司;佛山市瑞纳新材科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明涉及C03C，更具体地，本发明涉及一种适应晶硅p+层接触的厚膜银浆用玻璃粉及其制备方法。所述玻璃粉的制备原料包括金属氧化物和非金属氧化物。本发明提供一种适应晶硅p+层接触的厚膜银浆用玻璃粉，通过在厚膜银浆中引入该玻璃粉，可减少金属‑半导体接触电阻和金属诱导复合速度。通过控制玻璃粉的粒度和用量，可促进银浆烧结中银微晶快速形成的同时，减少对掺杂层的侵蚀和铝钉扎的形成，提升电池开路电压和填充因子。本发明提供的玻璃粉可用于TOPCon电池银铝浆中，优化银铝浆与晶体硅太阳电池p+层的金属‑半导体接触性能，降低金属诱导复合，提升太阳电池的开路电压，提高N型或P型TOPCon晶体硅太阳电池光电转换效率。
一种适应接触厚膜银浆用玻璃粉及其制备方法

[发明专利]一种厚膜电阻电热膜的电极连接结构及其制备方法和加热装置-CN201811093691.9在审
发明人：符小平 -专利权人：四川中坚环境监测服务有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H05B3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻电热膜的电极连接结构，包括第一银电极、第二银电极和铜质连接器，用于玻璃、石英或陶瓷制成的加热器皿上，所述第一银电极设于厚膜电阻电热膜的两电极之上，所述第二银电极设于第一银电极之上，所述铜质连接器设于第二银电极之上，用于连接厚膜电阻电热膜的外接导线；所述第一银电极采用银浆A为浆料，在400～600℃的温度范围内烧结；所述第二银电极采用银浆B为浆料，与铜质连接器贴装后在150～300℃的温度范围内烧结；所述铜质连接器的四周通过粘结剂与第二银电极连接固定。
一种电阻电热电极连接结构及其制备方法加热装置

[发明专利]一种铝合金表面改性烧结无铅低温银浆厚膜法-CN201910058191.X有效
发明人：李明雨;孙钦 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金表面改性烧结无铅低温银浆厚膜法，属于铝合金表面改性技术领域，包括制备一种无铅低温烧结型导电银浆料，通过丝网或者钢网印刷的方式，或者浸涂的方式将该银浆涂覆在铝合金表面，经过短时低温烧结后在铝合金表面形成银厚膜，且厚膜层与铝合金基材有良好的结合力，从而实现铝合金表面改性，使得锡合金钎料对铝合金表面的润湿性大为改善，同时保持银厚膜与铝合金表面实现欧姆接触，进一步增强铝合金的应用性。
一种铝合金表面改性烧结低温银浆厚膜法

[发明专利]π型高频高精度10瓦21dB衰减片-CN201410235156.8无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种π型高频高精度性10瓦21dB衰减片，其包括一氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面厚膜印刷有一层厚膜银浆料，氮化铝陶瓷基片的正面厚膜印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线之间通过厚膜印刷有5个电阻，电阻和银浆导线成衰减电路，所述衰减电路采用π型电路原型进行设计。
高频高精度 10 21 db 衰减

[发明专利]一种厚膜银浆中固体添加剂的分散方法及其应用-CN201810048238.X在审
发明人：黄俊;曹秀华;阮天新 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜银浆中固体添加剂的分散方法，包括如下步骤：(1)将厚膜银浆中的固体添加剂与有机载体进行混合搅拌均匀，得到母液；其中，所述固体添加剂为玻璃粉、金属粉、金属氧化物、金属盐、有机添加剂中的至少一种在低温、超高压纳米均质机中，利用超高压能量使样品通过狭缝瞬间释放，在剪切效应、空穴效应、碰撞效应的作用下，提高添加剂在厚膜银浆中分散的均匀性。
固体添加剂超高压厚膜银金属氧化物纳米均质机有机添加剂玻璃粉金属粉金属盐母液分散处理分散技术剪切效应空穴效应有机载体均匀性预分散浆料狭缝添加剂释放应用

[发明专利]一种5G陶瓷介质滤波器用喷涂型银浆及其制备方法-CN202010921598.3有效
发明人：张莉莉;王大林;党丽萍;张亚鹏;王要东;王顺顺;曾艳艳;刘姚 -专利权人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种5G陶瓷介质滤波器用喷涂型银浆及其制备方法，该银浆包括以下质量份组分：有机粘合剂8‑15份，银粉68‑82份，焊接剂1.5‑3.5份，防沉剂0.5‑2.0份，挥发剂12‑15份。该银浆通过以下方法制得：（1）有机粘合剂的制备；（2）焊接剂的制备；（3）银浆制备：按质量百分比和质量份，将银粉、有机粘合剂、焊接剂、防沉剂和挥发剂混合均匀，辊轧、分散，调整粘度，得到5G陶瓷介质滤波器用喷涂型银浆与现有技术相比，本发明具有膜厚均匀，银膜不易出现开裂、起泡现象，Q值高，插损小，焊接可靠性好，抗拉强度值高等优点。
一种陶瓷介质滤波器用喷涂型银浆及其制备方法

[发明专利]一种导电性粉末、厚膜银铝浆及其制备方法和应用-CN202111669447.4有效
发明人：刘家敬;黄耀浩;李宇;杨至灏;黄良辉 -专利权人：广东南海启明光大科技有限公司;佛山市瑞纳新材科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及H01B1，更具体地，本发明涉及一种导电性粉末、厚膜银铝浆及其制备方法和应用。通过在银铝浆中引入银铝粉或银包铝粉并控制实际铝的用量、银粉和银铝粉的粒径，可促进银铝浆烧结中银铝相快速形成。本发明提供的银铝粉或银包铝粉可用于正面银浆中，改善铝金属在浆料中的均匀分布，优化银铝浆与晶体硅太阳电池p+层的金属‑半导体接触性能，降低金属诱导复合，提升太阳电池的开路电压，提高N型或P型TOPCon晶体硅太阳电池光电转换效率
一种导电性粉末厚膜银铝浆及其制备方法应用

[发明专利]一种多层电路板导电结构的形成方法-CN202310221091.0在审
发明人：陈苑明;房成玲;庞宇萱;魏高怀;何为;苏元章;王守绪;周国云;王翀;洪延 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：包括：1)覆铜板开设金属化的连接孔，连接孔至少贯穿其中一个导电层和绝缘层、且连接孔内完成树脂填塞；2)以感光导电银浆为介质，通过丝网印刷的方式，在覆铜板两侧导电层表面印刷图形化的感光导电银浆，经光固化后形成用于抗蚀的感光导电银浆抗蚀膜；3)进行蚀刻处理，将未被感光导电银浆抗蚀膜覆盖的导电层蚀刻掉，露出绝缘层，得到多层电路板导电结构。本发明采用感光导电银浆抗蚀膜形成电路图形，能够实现精细化线路图形的准确控制、膜厚的精准控制，较好地处理温度条件，且无需进行褪膜处理，节省了成本，缩短了周期，在提高效率的同时避免了褪膜不净导致电路板短路的现象
一种多层电路板导电结构形成方法

[发明专利]一种提高银浆工艺性和银层致密度的银浆配方及制备工艺-CN202011253089.4有效
发明人：程海明;刘高盛;房基寿 -专利权人：上海大洲电子材料有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高银浆工艺性和银层致密度的银浆配方，包括：银粉、玻璃粉、有机物、溶剂、助剂；具体配方由以下百分比的原料制成：银粉70％‑80％、玻璃粉1％‑5％、有机物3％‑5％、溶剂5％‑15％、助剂1％‑5％；所述银粉包括：球型银粉70％‑80％、片状银粉10％‑20％、有机银1％‑5％，所述有机物为不同分子量的乙基纤维素。该银浆可用于喷银和浸银工艺，通过添加大比例球型银粉，在喷银工艺中，提高喷银工艺过程中产品的雾化特性，增加膜厚均匀度和平整度以及降低银浆对喷嘴的磨损程度。
一种提高工艺致密配方制备

[发明专利]一种适合于LED陶瓷支架表面敷银的制备工艺-CN201510838984.5在审
发明人：高永泉;翟文斌 -专利权人：常熟市银洋陶瓷器件有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合于LED陶瓷支架表面敷银的制备工艺，包括以下具体步骤：制备膏剂、丝网印刷、烧结、二次烧结、镀银。通过上述方式，本发明提供的适合于LED陶瓷支架表面敷银的制备工艺，采用陶瓷件表面敷金属铜层再经过镀银的工艺来代替传统的厚膜银浆工艺，以达到降低成本的目的，得到的银层各方面性能和直接银浆印刷的银层相同，而且结合强度高
一种适合于 led 陶瓷支架表面制备工艺

[发明专利]高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片-CN201410234685.6无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市新诚氏电子有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片，其包括一宽度为5.7mm、长度为8.9mm、厚度为1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成TT型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。所述银浆背导层、银浆导线、5个黑色电阻、玻璃保护膜、两层保护膜全部采用高精度厚膜印刷技术。该衰减片在设计思路上优化了输入端的电路结构，改善了输入端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。
功率氮化陶瓷 100 11 db 衰减

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