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[发明专利]一种基于MEMS工艺的高温压力传感器芯片-CN201910654802.7在审
发明人：唐飞;刘海冰;谭庆;尹德帅;王晓浩 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种基于MEMS工艺的高温压力传感器芯片，该高温压力传感器芯片包括芯片基座、P型外延层、N型外延层、压力敏感薄膜、压阻元件、连接支架、压阻元件隔离层、欧姆接触窗口、金属层和金属层保护层；芯片基座正面承载压阻元件；压力敏感薄膜由芯片基座背面刻蚀形成；压阻元件和连接支架由N型外延层刻蚀形成；压阻元件隔离层覆盖在压阻元件及连接支架上面；金属层和压阻元件通过压阻元件隔离层刻蚀出的欧姆接触窗口相互连接；压阻元件和金属层之间的连接高度为压阻元件隔离层厚度该压力传感器芯片不仅能在高温环境下稳定工作，而且有效地避免了压阻元件和金属层氧化失效的问题，因而具有广泛的应用前景。
压阻元件金属层隔离层连接支架芯片基座高温压力传感器压力敏感薄膜欧姆接触刻蚀压力传感器芯片芯片背面刻蚀高温环境保护层有效地承载覆盖应用

[发明专利]输入设备、移动终端、输入方法和计算机可读存储介质-CN201610115222.7有效
发明人：孙庆超 -专利权人：北京京东尚科信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：根据实施例，输入设备可以包括：压阻元件阵列，包括排列为阵列的多个压阻元件，用于感测气流；感测电路，配置为感测压阻元件阵列中各压阻元件处由气流导致的电信号，用以确定压阻元件阵列上的压强分布。
输入设备移动终端方法计算机可读存储介质

[发明专利]金属掺杂非晶碳压阻传感元件、其制备方法与调控方法-CN201410424861.2有效
发明人：汪爱英;郭鹏;李润伟;张栋;檀洪伟;柯培玲 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件。该压阻传感元件由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的压阻传感元件相比，该压阻传感元件具有较低的TCR值，并且通过调节工艺参数不仅能够调控元件的GF值，而且能够调控元件的TCR值，从而得到同时具有高GF值、低TCR值的压阻传感元件，实现压阻传感元件的高灵敏度
金属掺杂非晶碳压阻传感元件制备方法调控

[实用新型]SOI压力传感芯片结构-CN201220311278.7有效
发明人：张鹏;熊建功;李小刚;赵健 -专利权人：慧石（上海）测控科技有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于公开一种SOI压力传感芯片结构，它包括一SOI基片，在所述SOI基片上设置有压力膜，所述压力膜上设置有若干压阻元件，所述压阻元件上沉积有一层绝缘层，在所述绝缘层上沉积有一层填充物层；与现有技术相比，在压阻元件上沉积绝缘层和填充物层，绝缘层可以实现压阻元件与填充物层之间的电隔离，使填充物层不影响压阻元件的电性能，填充物层可以改变压阻元件的受力状态，使整个压阻元件只受到均匀的单一性质应力，而不再同时承受拉应力和压应力（负的拉应力），既提高了压阻单元的整体应力，从而提高了器件的灵敏度，又避免了应力集中，提高了器件的抗过载能力，实现本实用新型的目的。
soi 压力传感芯片结构

[发明专利]压阻式温度感测器-CN01112034.7无效
发明人：黄宗伟;陈志清 -专利权人：明基电通股份有限公司
申请日： 2001-03-27 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：一种压阻式温度感测器，包括感测装置及压阻元件，以感测喷墨头内的墨水温度，操作时，可用半导体材料在喷墨头处形成矩形的感测区域，在感测区域各边缘中心点设置压阻元件，以承受因压阻元件形变而产生的应力。当墨水温度上升后，喷墨头表面会因受热而隆起，故感测装置也随之形变，使压阻元件受到大应力而使其电阻值改变；若将各压阻元件以电桥型态相互耦接，便使各电阻值变化被转换为电压信号输出，以得知墨水温度。
压阻式温度感测器

[发明专利]具有温度补偿的压力感测电路及压力检测设备-CN202210893127.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳数马电子技术有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有温度补偿的压力感测电路及压力检测设备，通过将压阻感测元件设置在测头的感测部，其第一端用于接收外部电压；通过供压模块向参考感测元件提供恒定电压，以产生流经参考感测元件的回路电流，然后由电流镜模块将回路电流镜像至压阻感测元件的导电通路，以在压阻感测元件的第二端产生压力感测信号，由于参考感测元件和压阻感测元件处于同一环境温度，且参考感测元件的阻值随环境温度的温升变化正相关于压阻感测元件的阻值随环境温度的温升变化，如此则可补偿因压阻感测元件阻值受温度变化影响
具有温度补偿压力电路检测设备

[发明专利]手写笔的压阻式传感器-CN201480040391.8在审
发明人： Y·斯特恩 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：压敏手写笔包括手写笔外壳、从所述外壳突出的书写笔尖、以及压力传感器。所述压力传感器包括压阻式元件、支撑元件以及用于检测通过所述支撑元件施加在所述压阻式元件上的压力的电路，所述支撑元件包括固定至所述书写笔尖的第一端以及与所述第一端相对且压在所述压阻式元件上的第二端。
手写压阻式传感器

[发明专利]集成压阻和压电微机械超声换能器装置及相关的处理方法-CN202310159120.5在审
发明人： J·M·蔡;D·K·本杰明;Y·陈;T·克瓦 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本公开涉及集成压阻(PZR)和压电微机械超声换能器(PMUT)装置及相关的处理方法。一种混合传感器，其包含：压阻元件，所述压阻元件用于感测施加的力；压电微机械超声换能器(PMUT)，所述PMUT用于感测所述混合传感器的阈值距离内对象的存在；以及衬底，所述压阻元件和所述PMUT两者都安置于所述衬底上
集成压电微机超声换能器装置相关处理方法

[发明专利]压阻传感器-CN201880059700.4在审
发明人： S.W.盛;石世铭;Y.谢;S.A.阿尔特卡 -专利权人：森顿斯公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：传感器包括多个压阻元件。物理干扰传感器可以通过以电阻桥配置而配置压阻元件来形成。信号发射器电连接到物理干扰传感器，并且被配置成将编码信号发送到电阻桥配置的压阻元件。信号接收器电连接到压阻元件，并且被配置成接收来自物理干扰传感器的信号。在确定物理干扰的量度时，将来自物理干扰传感器的接收到的信号与所发送的编码信号进行相关。一种用于检测传播介质的表面上的触摸输入的位置的系统，包括耦合到传播介质的压阻传感器。该压阻传感器被配置成至少检测传播介质上的触摸输入的力、应力或所应用的应变。
传感器

[发明专利]睡眠监测带及睡眠呼吸监测方法-CN202011153013.4在审
发明人：吴模信;许建勇 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司;江西慧光微电子有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A61B5/01 文献下载
摘要：睡眠监测带包括:带状基材层，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；温/压感变阻元件，至少一个温/压感变阻元件设置于第一表面和/或第二表面；压感变阻元件，至少一个压感变阻元件设置于第一表面和/或第二表面；电路板，电路板上设置有数据采集模块和数据处理模块，数据采集模块用于采集温/压感变阻元件的电阻值和压感变阻元件的电阻值，数据采集模块与数据处理模块通讯连接，数据处理模块用于根据数据采集模块采集的数据监测用户的温度变化量
睡眠监测呼吸方法

[发明专利]力传感器-CN200910094335.3无效
发明人：许建平 -专利权人：许建平
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及力传感器，特别是微小型力传感器，它包括：壳体，压力敏感元件，力传递体；所述力传递体是柔性材料；所述力传递体不与所述压力敏感元件、所述壳体内壁粘结；所述压力敏感元件的电输入输出键合引线周围固化有绝缘材料；所述力传递体与所述压力敏感元件之间设置有薄膜；所述压力敏感元件是压阻式压力敏感元件或电容式压力敏感元件；所述压阻式压力敏感元件是硅压阻式压力敏感元件。
传感器

[发明专利]一种压阻传感元件及其制备方法-CN201410338897.9有效
发明人：汪爱英;郭鹏;李润伟;张栋;杨华礼;柯培玲 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种压阻传感元件。该压阻传感元件以类金刚石碳膜为压阻材料，由衬底、位于衬底表面的类金刚石碳膜，以及位于类金刚石碳膜表面金属电极组成。与现有的压阻传感元件相比，该元件具有高灵敏度系数GF值，同时由于非晶碳的各向同性，其在各个方向的灵敏度相同，并且可通过改变工艺参数对GF值进行调控；另外，该元件可在强酸碱环境、摩擦接触服役等特殊环境及工况下工作
一种传感元件及其制备方法

[发明专利]频率选择和放大设备-CN201010243706.2有效
发明人：皮特·杰勒德·斯蒂内肯;金·范乐;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括振荡器的频率选择设备，包括：谐振器质量块(m)，通过弹簧装置(60，62)连接至基板；以及压阻元件(62)，用于控制谐振器质量块的振荡，所述压阻元件(62)包括连接至谐振器质量块(m)的压阻元件。将电流驱动通过压阻元件(62)以控制谐振器质量块的振荡。提供输入以将信号耦合至谐振器质量块，其中将根据所述信号来选择期望频率范围；使用检测器来检测被振荡器放大的信号。
频率选择放大设备

[发明专利]一种阻门器-CN202010109398.8在审
发明人：张浩睿;陈正洪;王洁;王钰峰 -专利权人：重庆工程职业技术学院;王洁;赵冬黎
申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： E05C17/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻门器，包括壳体、阻门压杆和蓄能元件，所述蓄能元件安装在所述壳体内，所述阻门压杆穿过所述壳体与所述蓄能元件连接，所述蓄能元件能够用于带动所述阻门压杆转动和逆止，所述壳外侧还安装有快速连接部件本专利申请公开的阻门器，放置在门体上，可以在室内人员自行打开房门的情况下实现阻门，避免办案人员暴力破门引起的骚动，能够实现顺利入门抓捕，本方案具有较强的隐蔽性，强度大，能够实现对门体关闭的延阻，使其无法关闭
一种阻门器

[发明专利]压阻式高频高温动态压力传感器-CN200910234479.4有效
发明人：王冰;王文襄;柳维旗;尤彩红 -专利权人：昆山双桥传感器测控技术有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G01L23/18 文献下载
摘要：一种压阻式高频高温动态压力传感器，由压阻敏感组件、传感器金属壳体和高频宽带放大器组成，压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成，硅压阻敏感元件由圆平硅膜片的正面依次覆盖有SiO2层和Si3N4层形成，硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥而周部裸露出硅膜片后焊固于玻璃环片，硅压阻敏感元件反面形成金属反光膜，惠斯顿电桥上应变电阻用丝内引线引出，璃环片另一面固定于陶瓷隔离基座上环形凹坑面，陶瓷隔离基座又烧结固定于传感器金属壳体的进压端口，压阻敏感组件上金丝内引线引入到传感器内腔室中的转接板后，经过高频宽带放大器信号放大，由传感器尾部的输出电缆引出，本发明能在承受超高温和超高频冲击下仍然具有良好特性。
压阻式高频高温动态压力传感器

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