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[发明专利]压电元件、压电元件应用设备以及压电元件的制造方法-CN201611224574.2有效
发明人：酒井朋裕;北田和也;角浩二 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供压电元件、压电元件应用设备以及压电元件的制造方法。一种压电元件，具备第1电极；压电体层，该压电体层包括第1压电体膜和多个第2压电体膜，上述第1压电体膜形成在第1电极上且含有钾、钠以及铌，上述多个第2压电体膜形成在第1压电体膜上且含有钾、钠以及铌；以及第2电极，该第2电极形成在压电体层上，压电体层是多个压电体膜的层叠体，第1压电体膜具有30nm以上且70nm以下的厚度，分别的压电体膜内的钠的浓度沿膜厚方向形成梯度，在第1电极侧高，在第2电极侧低。
压电体膜压电元件电极压电体层应用设备电极形成膜厚方向层叠体制造

[发明专利]压电元件和喷墨头及它们的制造方法、喷墨式记录装置-CN200410096283.0有效
发明人：村田晶子;藤井映志;鸟井秀雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本、压电特性高且耐湿性高的压电元件。压电元件(20)包括第1电极膜(2)、由在第1电极膜(2)上形成的第1压电体薄膜(3)和在第1压电体薄膜(3)上形成的第2压电体薄膜(4)构成的压电体层叠膜(10)、在第2压电体薄膜(4)上形成的第2电极膜第1及第2压电体薄膜(3、4)是结晶成长方向从压电体层叠膜(10)厚度方向一侧朝向另一侧的柱状颗粒集合体。第1压电体薄膜(3)Pb含量少于第2压电体薄膜(4)Pb含量。第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径大于第1压电体薄膜(3)的柱状颗粒平均剖面直径。压电体层叠膜(10)厚度对第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径之比为20以上60以下。
压电元件喷墨它们制造方法喷墨式记录装置

[发明专利]压电元件及其制法、喷墨头、喷墨式记录装置和角速度传感器-CN200410042697.5有效
发明人：鸟井秀雄;藤井映志;镰田健;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种压电元件及其制造方法、有该压电元件的喷墨头、喷墨式记录装置及角速度传感器。压电元件具备第一电极膜(2)；压电体层叠膜(10)，由形成于第一电极膜(2)上的第一压电体膜(3)、和形成于该第一压电体膜(3)上且由其来控制结晶取向性的第二压电体膜(4)构成；和形成于第二压电体膜(4)上的第二电极膜(5)。第一和第二压电体膜(3、4)是结晶生长方向从压电体层叠膜(10)的厚度方向一侧指向另一侧的柱状粒子的集合体。第二压电体膜(4)的柱状粒子的截面直径比第一压电体膜(3)的柱状粒子的截面直径大。压电体层叠膜(10)的厚度1与第二压电体膜(4)的截面直径d的比l/d为20以上、60以下。
压电元件及其制法喷墨喷墨式记录装置角速度传感器

[发明专利]压电体元件、喷墨记录头和压电体元件的制造方法-CN03157463.7有效
发明人：小林本和;久保田纯;铃木久男;内田文生;清水千惠美;前田宪二 -专利权人：佳能株式会社;富士化学株式会社
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：一种压电体元件，该压电体元件是具有夹在下部电极和上部电极之间的压电体膜的压电体元件，所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜由钙钛矿型氧化物构成，所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜之间不存在接合界面，且所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜之间存在所述下部电极和/或所述上部电极的结晶与所述压电体膜的结晶混合的区域。
压电元件喷墨记录制造方法

[发明专利]带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法-CN201310076574.2有效
发明人：渡边和俊;柴田宪治;末永和史;野本明;堀切文正 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电体元件、喷墨记录头和压电体元件的制造方法-CN200410068616.9有效
发明人：久保田纯;小林本和;襟立信二;铃木久男;内田文生;清水千惠美;前田宪二 -专利权人：佳能株式会社;富士化学株式会社
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种压电体元件、喷墨记录头和压电体元件的制造方法。该压电体元件，由振动板、下部电极、压电体膜和上部电极依次层叠而成，其特征在于：上述下部电极、上述上部电极和上述压电体膜由钙钛矿型氧化物构成，上述振动板由金属氧化物构成，在上述振动板和上述下部电极之间、上述下部电极和上述压电体膜之间、及上述压电体膜和上述上部电极之间实质上不存在接合界面。
压电元件喷墨记录制造方法

[发明专利]压电体元件、喷墨头、角速度传感器、它们的制造方法及喷墨式记录装置-CN200580000228.X在审
发明人：友泽淳;藤井映志;乌井秀雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电体元件、喷墨头、角速度传感器、它们的制造方法及喷墨式记录装置。压电体元件，包括：两个电极膜、和被这些电极膜夹着的由(111)面优先取向的两层压电体薄膜构成的压电体层叠膜。两层压电体薄膜，为彼此连续相接的柱状粒子的集合体。第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径大于第1压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径。压电体层叠膜的厚度与第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径的比大于等于20小于等于60。
压电元件喷墨角速度传感器它们制造方法喷墨式记录装置

[发明专利]压电体元件及其制造方法-CN200410045859.0有效
发明人：喜多弘行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及由第1电极膜、第2电极膜、第1电极膜及第2电极膜所夹的压电体薄膜构成的压电体元件，特征是上述压电体薄膜为氧化物压电体薄膜，其相对化学计量组成上具有0％以上至10％或10％以下的氧缺损量。与处于化学计量组成的氧化状态的氧化物压电体薄膜相比，具有上述氧缺损量的压电体薄膜制成的压电体元件有较大的压电性，而且，在该条件下制作，可以增大成膜速度，从而能改善批量生产性。
压电元件及其制造方法

[发明专利]角速度传感器-CN201510274848.8在审
发明人：名取宏文;远池健一;海野晶裕;青柳岳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明所涉及角速度传感器，其中，在压电元件中，压电体膜、设置在压电体膜的一个面的第1电极膜以及设置在压电体膜的另一个面的第2电极膜成为层叠结构，第1电极膜的外轮廓和第2电极膜的外轮廓位于从层叠方向看比压电体膜的外轮廓更靠外侧的位置，有机树脂膜接触于压电体膜，抑制了噪声的产生。
角速度传感器

[发明专利]压电体膜的制造方法、压电元件、液体喷射头及喷射装置-CN201110050753.X有效
发明人：滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造对环境友好且相对介电常数高的压电体膜的压电体膜的制造方法、压电元件、液体喷射头及液体喷射装置。其具有下述工序：通过含有含Bi、Fe、Mn、Ba及Ti的金属化合物的前体溶液而形成压电体前体膜的工序，和通过加热所述压电体前体膜进行结晶化而得到在(110)面优先取向的压电体膜的工序。
压电制造方法元件液体喷射装置

[发明专利]压电体薄膜元件、其制造方法、以及电子设备-CN201410498351.X有效
发明人：末永和史;柴田宪治;渡边和俊;堀切文正;野口将希 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(Na_xK_yLi_z)NbO₃，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×10¹⁷atoms
压电薄膜元件制造方法以及使用电子设备

[发明专利]压电元件以及压电元件应用装置-CN201810159615.7有效
发明人：北田和也;角浩二;酒井朋裕;高桥敏明;浅川勉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有由向(100)面结晶取向的KNN构成的压电体层的压电元件以及压电元件应用装置。压电元件具有：基板；第一电极，其被形成在基板上；压电体层，其被形成在第一电极上，且为包含钾、钠、以及铌的多个压电体膜层叠而成的层叠体；第二电极，其被形成在压电体层上，压电体层中的钠浓度在多个压电体膜中的第一压电体膜的第一电极的附近处具有作为钠浓度的极大值的Na极大值，且从Na极大值起越靠近第二电极则越向钠浓度减少的方向倾斜，并且在第一压电体膜与被形成在其正上方的第二压电体膜的边界的附近处具有作为钠浓度的极小值的Na极小值。
压电体膜压电元件压电体层第一电极第二电极应用装置基板结晶取向浓度减少层叠体

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310205783.6在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上重叠设置2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；基板电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电体薄膜(27)，其粘贴于基板电极(34)上，具有第1压电膜(25)和形成于第1压电膜(25)上的第1上部电极膜(26)；以及第2压电体薄膜(17)，其粘贴于第1上部电极膜(26)上，具有与第1压电膜(25)不同的第2压电膜(15)和形成于第2压电膜(15)上的第2上部电极膜(16)。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备-CN201410374523.2在审
发明人：末永和史;柴田宪治;渡边和俊;堀切文正;野口将希 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备。一种制造方法，能够对使用了不包含铅的铌酸碱金属系压电体的薄膜元件在不使其压电体特性发生劣化的情况下进行微细加工。本发明的压电体薄膜元件的制造方法的特征在于，具有如下工序：在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序、在前述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序、在前述压电体薄膜上按照成为所希望图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序、以及对前述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，前述蚀刻掩模中，至少与前述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。
压电薄膜元件制造方法以及使用电子设备

[发明专利]压电体膜、压电体膜的制造方法以及压电体器件-CN201880089047.6有效
发明人：佐藤祐辅;寺岛久明;佐藤信文;菅野和幸;会田恵子 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N30/857 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制压电常数d31的降低的压电体膜、压电体膜的制造方法以及压电体器件。一种压电体膜，其包含氟树脂作为压电材料，所述氟树脂包含源自偏氟乙烯的重复单元作为主要的构成单元，所述压电体膜的压电常数d31为20pC/N以上，并且，通过TMA测定求出的收缩开始的外推起始温度为90℃以上且在将压电体膜在100℃下加热24小时的前后测定出的压电常数d31之差相对于加热24小时前的压电常数d31为20％以下。
压电制造方法以及器件

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