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[发明专利]一种制备微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜的方法及应用-CN202211188007.1在审
发明人：蔡墨朗;陈香港;李星;原政博;戴松元;刘雪朋 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种制备微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜的方法及应用。本发明提供的处理方法：将卤化物钙钛矿薄膜表面涂覆碱金属卤素盐后静置长晶，得到微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜；所述微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛矿晶粒的尺寸≥0.5μm。本发明提供的方法能够促进卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛晶体二次生长，同时，碱金属离子能够有效抑制卤化物钙钛矿薄膜的相分离。由此，本发明提供的方法制备得到的微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛矿晶粒的尺寸≥0.5μm，从而能够制备得到具有低缺陷密度、光电性能优异且稳定性好的卤化物钙钛矿薄膜。
一种制备微米晶粒卤化物钙钛矿薄膜方法应用

[发明专利]卤化物钙钛矿的应变工程和外延稳定-CN202080047495.7在审
发明人：徐升;陈怡沐;雷雨声 -专利权人：加利福尼亚州立大学董事会
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据形成卤化物钙钛矿薄膜的方法，选择待形成卤化物钙钛矿薄膜的第一卤化物钙钛矿材料。还选择由第二卤化物钙钛矿材料形成的外延基底。由第一卤化物钙钛矿材料在基底上外延形成卤化物钙钛矿薄膜。选择基底，使得在基底上形成的卤化物钙钛矿薄膜具有至少一种特性的选定值。所述特性选自晶体结构稳定性、电荷载流子迁移率和能带隙。
卤化物钙钛矿应变工程外延稳定

[发明专利]钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿电池及叠层电池-CN202111449010.X在审
发明人：顾小兵;何永才;丁蕾;王永磊;何博;张富;李勃超 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿电池及叠层电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％‑60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
钙钛矿薄膜制备方法电池

[发明专利]一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN202211055488.9在审
发明人：任天令;囤冠华;覃肯;耿祥顺;谢丹 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括：制备卤化物钙钛矿晶粒；将所述卤化物钙钛矿晶粒与溶剂、添加剂混合，形成浆料；将所述浆料涂覆在衬底上、随后进行加热，重复所述涂覆、所述加热步骤，得到厚度可控卤化物钙钛矿薄膜；其中，所述重复的次数大于等于0。由此，本发明方法可以降低晶粒的间隙、反位等内部缺陷，提高卤化物钙钛矿薄膜的质量。同时，本发明通过控制涂覆、加热步骤的重复次数，可以控制卤化物钙钛矿薄膜的厚度，卤化物钙钛矿薄膜的厚度可以从数百纳米到数厘米之间调节，可以满足不同场景的需求，改善了传统方法难以制备厚度较大的卤化物钙钛矿薄膜的缺陷
一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]具有有序取向铁电畴的金属卤化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN202211527545.9在审
发明人：李蔚;江炀;杜红强 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件材料技术领域，具体公开了一种具有有序取向铁电畴的金属卤化物钙钛矿薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将金属卤化物钙钛矿前驱体原料溶于极性溶剂中，得金属卤化物钙钛矿前驱体溶液；在覆有TiO2电子传输层的FTO导电玻璃表面一次旋涂金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，得金属卤化物钙钛矿液态薄膜；在金属卤化物钙钛矿液态薄膜表面二次旋涂有机胺的盐酸盐溶液，经退火处理，制得。本发明的金属卤化物钙钛矿薄膜具有有序取向铁电畴的三维金属卤化物钙钛矿薄膜，该薄膜的结晶性和稳定性也得到了明显改善。
具有有序取向铁电畴金属卤化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法-CN201811104242.X有效
发明人：程传同;黄北举;朱城;张欢;陈润;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属结构方法

[发明专利]一种金属卤化物钙钛矿-聚合物复合发光薄膜及其制备方法和应用-CN202310339346.3在审
发明人：陈江山;李昆昆;马东阁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属卤化物钙钛矿‑聚合物复合发光薄膜及其制备方法和应用。本发明的金属卤化物钙钛矿‑聚合物复合发光薄膜的组成包括聚合物基体和分散在聚合物基体中的核‑壳结构金属卤化物钙钛矿颗粒，核‑壳结构金属卤化物钙钛矿颗粒的内核的组成包括金属卤化物钙钛矿晶体和离子钝化剂，金属卤化物钙钛矿晶体的组成包括CsPbX3和CsPb2X5，X为溴离子、氯离子中的至少一种，核‑壳结构金属卤化物钙钛矿颗粒的外壳的组成包括氢氧卤化铅本发明的金属卤化物钙钛矿‑聚合物复合发光薄膜具有荧光量子产率高、发光性能优异、性能稳定、制备工艺简单等优点，适合进行大规模工业化应用。
一种金属卤化物钙钛矿聚合物复合发光薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法-CN202110954137.0有效
发明人：韩宏伟;梅安意;刘爽;张德义;李代宇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
一种质量卤化物钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]卤化物钙钛矿薄膜和包含其的太阳能电池及其形成方法-CN201780043145.1有效
发明人：岑子健;安柯·索兰奇;林瑞贤;陈石 -专利权人：南洋理工大学
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K71/30 文献下载
摘要：本发明涉及卤化物钙钛矿薄膜的形成方法，将氧化氘与卤化物钙钛矿溶液混合以形成卤化物钙钛矿薄膜。卤化物钙钛矿溶液包含金属阳离子(例如铅离子、锡离子、锗离子或铋离子)、卤族阴离子和选自有机正离子(例如甲铵或甲脒正离子)和无机正离子(例如铯离子、铷离子或钾离子)中的至少一种。本申请还公开了包含具有一个或多个碳氘键的有机正离子的卤化物钙钛矿薄膜，以及包含所述卤化物钙钛矿薄膜的太阳能电池。
卤化物钙钛矿薄膜包含太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子点及其制备方法-CN202110999277.X在审
发明人：陈芳;戴兴良;何海平;叶志镇 -专利权人：浙江大学温州研究院;浙江锌芯钛晶科技有限公司
申请日： 2021-08-28 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子点及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：提供一种卤素钙钛矿量子点溶液、有机配体溶液、卤化铝和二价金属卤化物；将所述有机配体溶液、卤化铝和二价金属卤化物加入所述卤素钙钛矿量子点溶液搅拌反应，制得复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子点。本发明通过有机配体置换卤素钙钛矿量子点的原始配体，同时通过卤化铝和二价金属卤化物实现光学性能优异、稳定性好的纯色卤素钙钛矿量子点，特别是发蓝光卤素钙钛矿量子点，且所述卤素钙钛矿量子点可以应用于制备高效稳定的光电器件
一种复合金属卤化物改性卤素钙钛矿量子及其制备方法

[发明专利]一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末的制备方法-CN202110946748.0在审
发明人：王春雷;瞿俊峰;徐淑宏;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末及其制备方法，该锰掺杂铜基卤化物钙钛矿为Mn:Cs3Cu2I5，所述制备方法为：(1)将碘化铯与碘化亚铜混合后充分研磨，得到铜基卤化物钙钛矿粉末；(2)将步骤(1)制得的铜基卤化物钙钛矿粉末与四水合氯化锰混合后充分研磨，得到锰掺杂的铜基卤化物钙钛矿粉末本发明操作简单，可以大批量生产，且制得的锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末发光可调。
一种掺杂卤化物钙钛矿粉末制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202211695811.9在审
发明人：王良乐;邵君;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。该制备方法包括：(1)在基底形成金属卤化物薄膜；(2)在所述金属卤化物薄膜上施加有机卤化物溶液，以便在所述金属卤化物薄膜上形成有机卤化物薄膜；(3)对步骤(2)制备的基底材料进行退火处理，以便得到钙钛矿薄膜；其中，步骤(2)中，控制所述有机卤化物溶液的温度为40～100℃。该方法工艺简单，可以大规模应用，适于大面积制备钙钛矿薄膜，且制备的钙钛矿薄膜均匀性好，高结晶，具有大尺寸钙钛矿晶体，用该钙钛矿薄膜制备的电池，电池效率优异。
钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]金属卤化物钙钛矿材料，其制备方法以及太阳能电池器件及其制备方法-CN201910152238.9有效
发明人：孙宝全;高鹏;宋涛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C07C257/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属卤化物钙钛矿材料的制备方法，包括：a.在金属卤化物钙钛矿前驱体溶液中引入冠醚类材料；b.采用溶液法处理经步骤a得到的溶液，得到所述金属卤化物钙钛矿材料；其中，所述冠醚类材料选自冠醚、本发明还提供了由上述方法制备的金属卤化物钙钛矿材料，以及基于上述钙钛矿材料的金属卤化物钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法。由本发明的金属卤化物钙钛矿材料制备的太阳能电池器件，光伏性能和稳定性都得到显著提升。
金属卤化物钙钛矿材料制备方法以及太阳能电池器件及其

[发明专利]一种钙钛矿器件的制备方法-CN202211554206.X在审
发明人：毕恩兵;文芳;巴前凯 -专利权人：宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿器件的制备方法，包括以下步骤：形成固态的金属卤化物膜，金属卤化物膜中含有金属卤化物和添加剂，添加剂含有胍基；在金属卤化物膜的表面形成有机液膜，有机液膜中含有甲眯基团或胺基团，有机液膜与金属卤化物膜反应生成钙钛矿中间体；对钙钛矿中间体进行第一退火得到三维钙钛矿膜。位于金属卤化物膜中的含有胍基的添加剂，在形成三维钙钛矿膜之后均匀分布在钙钛矿晶界处，不仅抑制了相分离现象，提高了钙钛矿晶体结构的稳定性，还提高了钙钛矿膜的结晶性，增大了钙钛矿晶粒的尺寸，降低钙钛矿膜内的缺陷态密度，从而同时提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和稳定性。
一种钙钛矿器件制备方法

[发明专利]包含金属卤化物钙钛矿和钝化剂的光伏装置-CN201910113993.6有效
发明人：亨利·J·施耐德;安东尼奥·阿巴特;纳基塔·K·诺埃尔 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含金属卤化物钙钛矿和有机钝化剂的装置。特别是，本发明涉及包含钝化的金属卤化物钙钛矿的光伏装置和光电装置。根据本发明的装置包括：(a)金属卤化物钙钛矿；和(b)钝化剂，该钝化剂是有机化合物，其中，所述钝化剂的分子与所述金属卤化物钙钛矿中的阴离子或阳离子化学键合。本发明还提供了一种用于制造光伏装置的方法，其中光伏装置包括：(a)金属卤化物钙钛矿；和(b)钝化剂，该钝化剂是有机化合物，所述钝化剂的分子与所述金属卤化物钙钛矿中的阴离子或阳离子化学键合，所述方法包括用钝化剂处理金属卤化物钙钛矿，该钝化剂是有机化合物并且适合于与金属卤化物钙钛矿中的所述阴离子或阳离子化学键合。
包含金属卤化物钙钛矿钝化剂装置

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