专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用泥洗液制备单质和三氯化铝的方法-CN201010556431.8无效
  • 王嘉兴 - 王嘉兴
  • 2010-11-23 - 2011-09-14 - C01B35/04
  • 一种用泥洗液制备单质和三氯化铝的方法,涉及无机化工三废治理和综合利用的技术领域。将澄清的泥洗液与盐酸反应于耐腐蚀的反应器里,其泥洗液中的硼酸与盐酸按纯物质计的质量比为1∶0.98-1.38,在搅拌下进行着化学反应,反应生成三氯化液体;液体三氯化单质铝反应于高温反应锅里,液体三氯化单质铝按纯物质计的质量比为1∶0.03-0.43,在搅拌下反应生成单质和三氯化铝混合物,低于100℃时过滤得到单质,经甩干、粉碎及包装成为单质产品;滤液三氯化铝经蒸馏、冷却、洗涤、甩干及包装得到三氯化铝晶体。有效的利用了分离泥的物质组成,为对泥下一步提取和利用工作的顺畅进行打下基础,创造了很大的经济效益。
  • 一种用硼泥洗液制备单质氯化铝方法
  • [发明专利]碳氮基复合材料及其制备方法-CN201110417954.9无效
  • 李亚利;孟凡星 - 天津大学
  • 2011-12-14 - 2012-07-11 - C04B35/515
  • 本发明涉及一种硅碳氮基复合材料及制备方法。本发明是以聚硅氮烷和钨、钛、、氮化钛等单质或化合物粉为原料,混合后加热,形成硅碳氮基复合材料。典型制备步骤为:将单质或化合物粉加入聚硅氮烷液,50~500℃下加热得聚硅氮烷与单质或化合物粉的混合物;或将聚硅氮烷与单质或化合物粉混合,600~2000℃惰性或活性气氛下加热该混合物制备。本发明技术可将各种单质或化合物与硅碳氮复合,大范围调控引入单质或化合物的含量,制备含多种组分的硅碳氮基复合材料。本发明技术制备的硅碳氮基复合材料具有耐高温、抗氧化、抗高温蠕变等优异性能,可应用于航空航天和高温系统等领域。
  • 硅硼碳氮基复合材料及其制备方法
  • [发明专利]多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统-CN201910574662.2在审
  • 武珠峰;刘兴平;银波;范协诚;宋高杰 - 新特能源股份有限公司
  • 2019-06-28 - 2020-12-29 - B01D53/70
  • 本发明公开了一种多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统,该方法包括以下步骤:将多晶硅还原工艺尾气与氧化剂氯气混合,多晶硅还原工艺尾气包括氢气、氯硅烷、磷烷、烷,其中,磷烷、烷与氯气反应,磷烷、烷分别被氧化,生成单质磷和/或磷的氯化物、单质和/或的氯化物,得到反应后的混合气,将混合气降温进行气液分离,得到分离开的液体、分离开的气体,分离开的液体包括:氯硅烷、单质磷和/或磷的氯化物、单质和/或的氯化物本发明中的多晶硅还原工艺尾气的净化方法及净化系统,通过将还原尾气中的低价态的磷杂质氧化为单质或高价态的磷杂质,大大降低了回收氢气中磷杂质的分离难度,提高了回收氢气的品质。
  • 多晶还原工艺尾气净化方法净化系统
  • [发明专利]一种制备单质-10的熔盐电解装置-CN202010251973.8有效
  • 葛岩;王海松;蒋蕊;关云歌;沈海丰;田陆 - 北京镭硼科技有限责任公司
  • 2020-04-01 - 2021-02-26 - C25B1/01
  • 本发明公开了一种制备单质‑10的熔盐电解装置,要解决的是现有制备单质‑10装置中存在的问题。本发明包括电解槽、直流电源、电热炉、电动升降杆、阴极导电杆、半月板阀和直板阀。本发明在电解过程整个装置内部始终处于氩气环境中,隔绝空气,防止电解产物单质‑10被氧化,确保产物‑10的处于较高纯度,附着于阴极电极上;本发明在电解后通过电动升降杆将电极提升至第一冷却室,封闭直板阀,隔绝电解槽热量传递,此过程始终处于氩气环境中,隔绝空气,通过冷却循环水进行快速降温,得到高纯单质‑10;本发明通过操作提拉杆可以改变电极浸入深度,从而控制电流密度,电解出致密的单质
  • 一种制备单质10电解装置
  • [发明专利]一种化钛单相陶瓷材料的制备方法-CN201410007168.5有效
  • 张国军;王喜龙;刘海涛 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2014-01-07 - 2014-04-23 - C04B35/58
  • 本发明涉及一种化钛单相陶瓷材料的制备方法,包括:以化钛为原料,单质为烧结助剂,将原料与烧结助剂按质量比(0.950~0.995)∶(0.050~0.005)混合均匀制得混合粉体;通过冷等静压将所得混合粉体制成陶瓷生坯以及将所得生坯进行无压烧结:在真空气压低于100Pa状态下升温至1200℃并保温30分钟,然后通惰性气体保护后升温至1600℃并保温30分钟,最后保持烧结温度为1800℃~2200℃,保温1~3小时,即得致密化化钛单相陶瓷本发明采用直接添加极少量单质为烧结助剂,有效克服了现有技术中高成本单质原料的大量浪费,具有更好的经济效益。直接添加单质可以有效地控制产物中残余含量,避免产物中过多的残余非晶相影响材料的使用性能。
  • 一种硼化钛单相陶瓷材料制备方法

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